一种晶圆键合方法技术

本发明专利技术提供了一种晶圆键合方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆；采用脉冲偏压等离子体对所述第一晶圆的第一表面和第二晶圆的第二表面进行激活处理，使所述第一表面与所述第二表面形成Si悬挂键；对激活处理后的所述第一晶圆和第二晶圆进行亲水处理，以在所述第一表面和第二表面形成硅羟基键；对亲水处理后的所述第一晶圆和第二晶圆进行贴合，完成所述第一晶圆和第二晶圆的预键合；对预键合后的第一晶圆和第二晶圆进行退火，完成键合。该方法能够在不损伤晶圆的情况下进行贴合，使得退火后的键合晶圆具有较高的键合能，同时提高器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆键合方法
本专利技术涉及一种晶圆键合方法，属于半导体制造

技术介绍
晶圆直接键合是半导体制造领域的一项新兴技术，可以使得经过抛光的半导体晶圆在不使用粘结剂的情况下结合在一起。晶圆与晶圆之间的直接键合，是利用两片晶圆表面的原子键合力，经过处理使两片晶圆表面原子反应产生共价键合，并实现一定的连接强度。通常使用等离子体对晶圆表面进行轰击，使其表面产生物理化学双重反应，使晶圆表面污染物变成粒子或气体状态，经过真空抽离而排出，从而达到对表面的清洗和活化目的；同时会引起表面产生高度不规则的多孔结构，提高键合界面水分子的扩散，使表面形成羟基，羟基键数量越多，在后续的退火工艺完成后晶圆的键合力越高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种晶圆键合方法，通过脉冲偏压等离子体对晶圆进行激活处理，提高晶圆表面活化程度，从而提高键合晶圆的键合力越高。根据本专利技术的一个方面，提供一种晶圆键合方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆；采用脉冲偏压等离子体对所述第一晶圆的第一表面和第二晶圆的第二表面进行激本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：/n提供第一晶圆和第二晶圆；/n采用脉冲偏压等离子体对所述第一晶圆的第一表面和第二晶圆的第二表面进行激活处理，使所述第一表面与所述第二表面形成Si悬挂键；/n对激活处理后的所述第一晶圆和第二晶圆进行亲水处理，以在所述第一表面和第二表面形成硅羟基键；/n对亲水处理后的所述第一晶圆和第二晶圆进行贴合，完成预键合；/n对预键合后的第一晶圆和第二晶圆进行退火处理，完成键合。/n

【技术特征摘要】
20200707 CN 20201064616851.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：
提供第一晶圆和第二晶圆；
采用脉冲偏压等离子体对所述第一晶圆的第一表面和第二晶圆的第二表面进行激活处理，使所述第一表面与所述第二表面形成Si悬挂键；
对激活处理后的所述第一晶圆和第二晶圆进行亲水处理，以在所述第一表面和第二表面形成硅羟基键；
对亲水处理后的所述第一晶圆和第二晶圆进行贴合，完成预键合；
对预键合后的第一晶圆和第二晶圆进行退火处理，完成键合。


2.根据权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，形成所述脉冲偏压等离子体时的脉冲偏压为300～12000V。


3.根据权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，形成所述脉冲偏压等离子体时的放电功率为10～450W。


4.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张凇铭，刘效岩，
申请(专利权)人：北京华卓精科科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11