一种晶圆键合方法技术

本发明专利技术提供了一种晶圆键合方法，包括以下步骤：对待键合的晶圆进行等离子体活化处理；对经过等离子体活化处理后的晶圆进行清洗；以梯度升温模式对清洗后的晶圆进行氮气干燥；对干燥后的晶圆进行预键合和键合。该方法通过采用热氮气梯度加热，对整片晶圆进行氮气干燥处理，以消除或减少键合后两片晶圆之间的空洞形成。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆键合方法
本专利技术涉及一种晶圆键合方法，属于半导体制造

技术介绍
随着半导体技术的发展，硅片在半导体行业中有着广泛并重要的应用。晶圆之间的连接通常采用键合技术，利用两片晶圆键合表面的原子键合力，经过处理使键合表面的原子反应产生共价键合，并实现一定的键合强度。晶圆键合技术指的是在不添加粘合剂的情况下先对晶圆进行清洗，之后进行晶圆表面活化处理，再进行两片晶圆的预键合，然后经过一些物理化学反应使键合晶圆对形成一个整体。常用的键合技术有阳极键合、共晶键合等。随着半导体制造技术的发展，键合技术也面临着挑战，迫切需要克服键合失效以及晶圆破裂等问题。常用的等离子体活化键合法可以将两片晶圆在室温下预键合到一起，经过200～400℃的低温退火后达到一定的键合强度。该方法操作方便且成本相对较低，受到了研究者和工业界的重视，但存在的问题是在低温退火过程中，晶圆的键合界面中往往出现大量的孔洞(Void)，这些孔洞严重降低了器件的成品率和可靠性。此外，如果晶圆表面被颗粒物污染，也会造成孔洞缺陷。因此，在进行键合前通常需本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括以下步骤：/n对待键合的晶圆进行等离子体活化处理；/n对经过等离子体活化处理后的晶圆进行清洗；/n以梯度升温模式对清洗后的晶圆进行氮气干燥；/n对干燥后的晶圆进行预键合和键合。/n

【技术特征摘要】
20200707 CN 20201064618251.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括以下步骤：
对待键合的晶圆进行等离子体活化处理；
对经过等离子体活化处理后的晶圆进行清洗；
以梯度升温模式对清洗后的晶圆进行氮气干燥；
对干燥后的晶圆进行预键合和键合。


2.根据权利要求1所述的晶圆键合方法，氮气干燥步骤中，氮气温度为23～150℃。


3.根据权利要求1或2所述的晶圆键合方法，氮气干燥步骤中，所述梯度升温模式包括第一梯度和第二梯度，其中，所述第一梯度氮气温度为23～70℃，第二梯度氮气温度为70～150℃。


4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：张凇铭，司伟，
申请(专利权)人：北京华卓精科科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11