一种沉积多晶硅薄膜的方法技术

本申请提供一种沉积多晶硅薄膜的方法，包括：对于进行过多晶硅沉积的腔体，将该腔体加热到第一预定温度，并向该腔体内通入氮气；以及，将第一衬底放置于所述腔体内，将所述腔体加热到第二预定温度，并向该腔体内通入硅烷气体，以在所述第一衬底表面沉积第一多晶硅薄膜。根据本申请的方法，能够使得前后两次沉积的多晶硅的厚度均匀，提高晶圆良率，并提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种沉积多晶硅薄膜的方法
本申请涉及半导体
，尤其涉及一种沉积多晶硅薄膜的方法。
技术介绍
多晶硅是一种晶面取向不同的晶粒组合的单质硅，多晶硅广泛应用于VDMOS、CMOS等制造工艺中。但随着技术发展，越来越多的低应力多晶硅用于半导体晶圆级硅基传感器制造领域。传统工艺中，多晶硅薄膜在620℃条件下沉积，而低应力多晶硅在600℃条件下沉积，以应对于传感器对应力的低应力要求。多晶硅通过硅烷分解得到。硅烷分解的反应机理一般认为通过以下2步完成：第一步：180℃时，SIH4→[SiH2]+H2(气相反应为硅烷在气象反应中热分解)第二步：600℃时，[SIH2]→Si+H2,(表面反应为各组分的解离吸附，及固体硅的生成反应)应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
本申请的专利技术人发现，在基于标准8寸化学气相沉积本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种沉积多晶硅薄膜的方法，包括：/n对于进行过多晶硅沉积的腔体，将该腔体加热到第一预定温度，并向该腔体内通入氮气；以及/n将第一衬底放置于所述腔体内，将所述腔体加热到第二预定温度，并向该腔体内通入硅烷气体，以在所述第一衬底表面沉积第一多晶硅薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种沉积多晶硅薄膜的方法，包括：
对于进行过多晶硅沉积的腔体，将该腔体加热到第一预定温度，并向该腔体内通入氮气；以及
将第一衬底放置于所述腔体内，将所述腔体加热到第二预定温度，并向该腔体内通入硅烷气体，以在所述第一衬底表面沉积第一多晶硅薄膜。


2.如权利要求1所述的方法，其中，
所述第一预定温度高于所述第二预定温度。


3.如权利要求2所述的方法，其中，
所述第一预定温度高于620℃。


4.如权利要求1所述的方法，其中，
维持所述腔体的温...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶剑虹，曲利国，
申请(专利权)人：上海新微技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31