【技术实现步骤摘要】
本申请涉及刻蚀设备领域，特别涉及一种干法刻蚀设备中沉积环与缓冲板的定位治具和方法。
技术介绍
1、在半导体干法刻蚀设备中，通常采用静电卡盘(esc)固定晶圆，通过生成等离子体(plasma)，利用物理和/或化学的方式对晶圆进行图形化。在干法刻蚀工艺中，对于刻蚀过程中的刻蚀速率以及刻蚀均匀性都有特定的工艺要求。
2、在现有的一些干法刻蚀设备中，为了保证刻蚀过程中具有较高的刻蚀速率以及较好的刻蚀均匀性，在腔体内部设计安装了名为缓冲板(buffer-plate)的零部件。缓冲板通常是套设在静电卡盘的外周，其表面一般带有大量栅格结构，能有效的将射频系统产生的等离子体均匀的作用于晶圆表面，有效的提高刻蚀过程中的刻蚀速率以及刻蚀均匀性。
3、然而，为了保证充分发挥缓冲板的作用，对于缓冲板的安装精度具有很高的要求，若安装不到位，机台的刻蚀速率和刻蚀均匀度就达不到理想状态；同时，在腔体内壁上还安装有沉积环，而沉积环和缓冲板在工艺过程中易于发生干涉，进而可能导致缓冲板折断并损害腔体及晶圆。
4、应该注意，上面对技术背景...
【技术保护点】
1.一种干法刻蚀设备中沉积环与缓冲板的定位治具，所述刻蚀设备包括刻蚀腔壁、沉积环和缓冲板，其特征在于，所述定位治具包括：呈同心设置的第一校正部和第二校正部；
2.根据权利要求1所述的一种干法刻蚀设备中沉积环与缓冲板的定位治具，其特征在于，所述第一校正部具有等于所述第一安装间隙的第一厚度，通过使所述第一校正部分别与所述刻蚀腔壁以及所述沉积环的外侧抵接，使所述沉积环与所述刻蚀腔壁在第一方向上保持第一安装间隙。
3.根据权利要求2所述的一种干法刻蚀设备中沉积环与缓冲板的定位治具，其特征在于，所述第二校正部具有等于所述第二安装间隙的第二厚度，通过使所述...
【技术特征摘要】
1.一种干法刻蚀设备中沉积环与缓冲板的定位治具，所述刻蚀设备包括刻蚀腔壁、沉积环和缓冲板，其特征在于，所述定位治具包括：呈同心设置的第一校正部和第二校正部；
2.根据权利要求1所述的一种干法刻蚀设备中沉积环与缓冲板的定位治具，其特征在于，所述第一校正部具有等于所述第一安装间隙的第一厚度，通过使所述第一校正部分别与所述刻蚀腔壁以及所述沉积环的外侧抵接，使所述沉积环与所述刻蚀腔壁在第一方向上保持第一安装间隙。
3.根据权利要求2所述的一种干法刻蚀设备中沉积环与缓冲板的定位治具，其特征在于，所述第二校正部具有等于所述第二安装间隙的第二厚度，通过使所述第二校正部的外表面与所述沉积环的内侧抵接，使所述缓冲板与所述沉积环在第一方向上保持第二安装间隙。
4.根据权利要求1所述的一种干法刻蚀设备中沉积环与缓冲板的定位治具，其特征在于，所述第一校正部和所述第二校正部通过连接部连接；
5.根据权利要求1所述的一种干法刻蚀设备中沉积环与缓冲板的定位治具，其特征在于，所述刻...
【专利技术属性】
技术研发人员：王天旻，
申请(专利权)人：上海新微技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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