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本申请提供一种沉积多晶硅薄膜的方法，包括：对于进行过多晶硅沉积的腔体，将该腔体加热到第一预定温度，并向该腔体内通入氮气；以及，将第一衬底放置于所述腔体内，将所述腔体加热到第二预定温度，并向该腔体内通入硅烷气体，以在所述第一衬底表面沉积第一多...
该专利属于上海新微技术研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新微技术研发中心有限公司授权不得商用。

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