【技术实现步骤摘要】
大规模集成电路版图非结构网格偏心中点生成方法和系统
本专利技术涉及电路版图非结构网格剖分领域,特别是涉及一种超大规模集成电路复杂版图非结构网格偏心中点生成方法和系统。
技术介绍
非结构网格剖分广泛用于许多领域,如复杂电气结构的电磁场数值计算、三维重建、计算机图形学等领域。在多层超大规模集成电路的后端验证电磁场仿真方面,非结构网格剖分更是起到非常重要的作用,因为多层超大规模集成电路的电源层通常具有非常复杂的走线和版图,传统的传输线法或有限差分法无法处理尺度范围为厘米级到纳米级的多尺度结构的集成电路,这就需要采用非结构网格精准识别并采用高质量网格单元剖分超大规模集成电路的版图区域,进而采用电磁场数值计算方法计算得到电磁场在超大规模集成电路的分布。针对超大规模集成电路版图的特点,可采用二维非结构三角形网格将每层版图及不同层之间的耦合区域进行网格剖分。由于版图结构异常复杂,因此在对版图区域进行网格剖分时,既需要高质量的三角形网格单元,又需要尽可能少的节点和网格单元。在现有技术中,三角形的质量被定义为:三角形外接圆的半径与最短 ...
【技术保护点】
1.一种大规模集成电路版图非结构网格偏心中点生成方法,其特征在于,包括:/n获取待识别超大规模集成电路版图中包含多个顶点的多个多边形;/n采用Delaunay三角剖分算法形成以多边形顶点为网格节点的Delaunay三角形网格;/n确定是否存在至少一条多边形的边与所述Delaunay三角形网格的边相交;若存在,则判定与所述三角形的边相交的所述多边形的边为丢失边;否则,则判定所述多边形的边为恢复边;/n采用偏心中点恢复法对所述丢失边进行恢复;/n在恢复丢失边的过程中确定所述恢复边的直径圆是否包含其他Delaunay三角形网格节点,且确定所述恢复边的左三角形是否为质量差的三角形; ...
【技术特征摘要】
1.一种大规模集成电路版图非结构网格偏心中点生成方法,其特征在于,包括:
获取待识别超大规模集成电路版图中包含多个顶点的多个多边形;
采用Delaunay三角剖分算法形成以多边形顶点为网格节点的Delaunay三角形网格;
确定是否存在至少一条多边形的边与所述Delaunay三角形网格的边相交;若存在,则判定与所述三角形的边相交的所述多边形的边为丢失边;否则,则判定所述多边形的边为恢复边;
采用偏心中点恢复法对所述丢失边进行恢复;
在恢复丢失边的过程中确定所述恢复边的直径圆是否包含其他Delaunay三角形网格节点,且确定所述恢复边的左三角形是否为质量差的三角形;若所述恢复边的直径圆包含其他Delaunay三角形网格节点,且所述恢复边的左三角形为质量差的三角形,则判定所述恢复边为被侵蚀的边;所述多边形边的左三角形为存在这样一个三角形,该多边形边同时为该三角形的边且该边的方向与该三角形的边的方向相同;所述质量差的三角形为该三角形的外接圆的半径与其最短边的长度之比大于设定阈值的三角形,或为三角形的最小角小于设定的最小角阈值的三角形;
采用偏心中点消除法消除所述被侵蚀的边;
返回确定所述是否存在至少一条多边形的边与所述Delaunay三角形网格的边相交的步骤,直至所述多个多边形中所有的丢失边被恢复,所有的被侵蚀的边被消除。
2.根据权利要求1所述的大规模集成电路版图非结构网格偏心中点生成方法,其特征在于,所述采用偏心中点恢复法对所述丢失边进行恢复,具体包括:
从所述丢失边的第一顶点A和第二顶点B分别出发,找到与所述丢失边相交的边的所有顶点;
确定与所述丢失边相交的边的所有顶点中与所述丢失边的所述第一顶点A或所述第二顶点B距离最近的顶点,作为最近点C;如果交换第一顶点A和所述第二顶点B的位置使得
在所述丢失边上按设定条件确定偏心中点O;所述设定条件为:所述偏心中点O使得∠COB等于所述设定的最小角阈值θthreshold;
判断线段和间的关系,若则将所述丢失边的中点作为新的偏心中点O,若则所确定的偏心中点O位置不变;
将所述偏心中点O插入到所述丢失边上,形成新的多边形边和同时将偏心中点O采用Delaunay三角剖分算法插入到所述Delaunay三角形网格中,形成第一Delaunay三角形网格;
判断所述第一Delaunay三角形网格是否存在丢失边;若存在丢失边,则返回从所述丢失边的第一顶点A和第二顶点B分别出发,找到与所述丢失边相交的边的所有顶点的步骤,直至所有丢失边被恢复。
3.根据权利要求2所述的大规模集成电路版图非结构网格偏心中点生成方法,其特征在于,所述若存在丢失边,则返回从所述丢失边的第一顶点A和第二顶点B分别出发,找到与所述丢失边相交的边的所有顶点的步骤,直至所有丢失边被恢复,具体包括:
若存在丢失边,则将所有所述第一Delaunay三角形网格中的丢失边添加到丢失边集合中;
从所述丢失边集合中调取一丢失边,并执行从所述丢失边的第一顶点A和第二顶点B分别出发,找到与所述丢失边相交的边的所有顶点的步骤,直至所述丢失边集合中的所有丢失边均被恢复。
4.根据权利要求1所述的大规模集成电路版图非结构网格偏心中点生成方法,其特征在于,所述采用偏心中点消除法消除所述被侵蚀的边,具体包括:
确定所述被侵蚀的边的直径圆中与所述被侵蚀的边的第一顶点A′或第二顶点B′距离最近的一顶点C′;如果交换所述第一顶点A′和所述第二顶点B′的位置使得
在被侵蚀的边上找到偏心中点O′,使得∠A′O′C′=θthreshold;其中,θthreshold为所述设定的最小角阈值;
判断线段和间的关系;若则将被侵蚀的边的中点作为新的偏心中点O′,若则所确定的偏心中点O′位置不变;
将所述偏心中点O′插入到所述被侵蚀的边上,形成新的边和同时将所述偏心中点O′采用Delaunay三角剖分算法插入到所述Delaunay三角形网格中,形成第二Delaunay三角形网格;
判断所述第二Delaunay三角形网格是否存在被侵蚀的边;若存在被侵蚀的边,则返回确定所述被侵蚀的边的直径圆中与所述被侵蚀的边的第一顶点A′或第二顶点B′距离最近的一顶点C′的步骤,直至所有被侵蚀的边被消除。
5.根据权利要求4所述的大规模集成电路版图非结构网格偏心中点生成方法,其特征在于,所述若存在被侵蚀的边,则返回确定所述被侵蚀的边的直径圆中与所述被侵蚀的边的第一顶点A′或第二顶点B′距离最近的一顶点C′的步骤,直至所有被侵蚀的边被消除,具体包括:
若存在被侵蚀的边,则将所有所述第二Delaunay三角形网格中的被侵蚀的边添加到侵蚀边集合中;
从所述侵蚀边集合中调取一被侵蚀的边,并执行确定所述被侵蚀的边的直径圆中与所述被侵蚀的边的第一顶点A′或第二顶点B′距离最近的一顶点C′的步骤,直至所述侵蚀边集合中的所有被侵蚀的边均被消除。
6.一种大规模集成电路版图非结构网格偏心中...
【专利技术属性】
技术研发人员:唐章宏,邹军,黄承清,汲亚飞,王芬,
申请(专利权)人:北京智芯仿真科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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