【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构及其制备方法
本专利技术涉及半导体封装
，特别是涉及一种半导体封装结构及其制备方法。
技术介绍
现有具有天线的扇出型半导体封装结构部中一般包括至少两层天线层，不同的天线层之间通过塑封层或介质填充层隔离开，即不同的天线层之间设有塑封层或介质填充层。而塑封层及介质填充层的介质损耗(Df)均较大，会导致半导体封装结构中的天线层的信号造成严重的信号损耗，使得天线层的带宽较小，从而影响半导体封装结构中的天线层的性能。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种半导体封装结构及其制备方法，用于解决现有技术中天线层之间具有塑封层或介质填充层而导致的天线层的信号损耗较大，带宽较小，从而影响天线层的性能的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种半导体封装结构，所述半导体封装结构包括：重新布线层；芯片，倒装键合于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；电连接结构，位于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；
【技术保护点】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括：/n重新布线层；/n芯片，倒装键合于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；/n电连接结构，位于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；/n塑封层，位于所述重新布线层的上表面，且将所述芯片及所述电连接结构塑封；/n第一天线层，位于所述塑封层的上表面，且与所述电连接结构相连接；/n具有第二天线层的引线框架，位于所述塑封层上，并于所述塑封层上形成空气腔；所述第一天线层位于所述空气腔内，且位于所述第二天线层的下方，与所述第二天线层具有间距；/n焊球凸块，位于所述重新布线层的下表面，且与所述重新布线层电连接。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括：
重新布线层；
芯片，倒装键合于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；
电连接结构，位于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；
塑封层，位于所述重新布线层的上表面，且将所述芯片及所述电连接结构塑封；
第一天线层，位于所述塑封层的上表面，且与所述电连接结构相连接；
具有第二天线层的引线框架，位于所述塑封层上，并于所述塑封层上形成空气腔；所述第一天线层位于所述空气腔内，且位于所述第二天线层的下方，与所述第二天线层具有间距；
焊球凸块，位于所述重新布线层的下表面，且与所述重新布线层电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述重新布线层包括：
布线介电层，位于所述牺牲层的上表面；
金属叠层结构，位于所述布线介电层内，所述金属叠层结构包括多层间隔排布的金属线层及金属插塞，所述金属插塞位于相邻所述金属线层之间，以将相邻的所述金属线层电连接。
3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于：所述重新布线层还包括：
种子层，位于所述布线介电层内，且与所述金属叠层结构电连接；
塑封材料层，位于所述布线介电层内，且位于所述种子层的下表面；
底层介电层，位于所述布线介电层的下表面。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述半导体封装结构还包括：
天线介电层，位于所述塑封层的上表面，所述第一天线层位于所述天线介电层内；
键合金属层，位于所述天线介电层内，且位于所述第一天线层的外围，所述引线框架键合于所述键合金属层上。
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述引线框架包括树脂引线框架、金属引线框架或陶瓷引线框架。
6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第一天线层包括若干个第一天线结构，所述第二天线层包括若干个第二天线结构，所述第一天线结构与所述第二天线结构一一上下对应设置。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于：所述引线框架包括：
侧边框架，位于所述塑封层上，且位于所述第一天线层的外围；
顶部盖板，位于所述侧边框架的顶部，与所述侧边框架的顶部一体连接，且覆盖所述侧边框架内侧的区域；
所述第二天线层镶嵌于所述顶部盖板内，且沿所述顶部盖板的厚度方向贯穿所述顶部盖板。
技术研发人员：吕娇，陈彦亨，林正忠，
申请(专利权)人：中芯长电半导体江阴有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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