基板干燥腔室制造技术

一种基板干燥腔室，包括：上壳体；下壳体；基板放置板，其与下壳体的底表面联接；上供给口，其形成为面对基板放置板并提供用于干燥的超临界流体的供给路径；和集成式供给和排出口，其从下壳体的侧表面延伸至下壳体的中心区域，形成为面对基板放置板，并提供用于初始加压的超临界流体的供给路径以及使用通过上供给口供给的用于干燥的超临界流体执行干燥后的、其中用于干燥的超临界流体中溶解了有机溶剂的混合流体的排出路径。根据本发明专利技术，当供给和排出超临界流体时，可以引导对称流以将超临界流体均匀地分散到腔室中以进行供给和排出，从而提高基板的干燥效率，并且当在完成干燥工序后打开腔室时，可以防止颗粒被引入腔室内的基板上。

【技术实现步骤摘要】
基板干燥腔室
本专利技术涉及一种基板干燥腔室。更具体地，本专利技术涉及一种基板干燥腔室，在该基板干燥腔室中，当供给和排出超临界流体时，可以引导对称流以将超临界流体均匀地分散到腔室中从而进行供给和排出，从而改善基板的干燥效率，并且在完成干燥过程之后打开腔室时，可以防止颗粒被引入腔室内部的基板上。
技术介绍
制造半导体器件的工艺包括各种工序，例如光刻工序、蚀刻工序和离子注入工序。在完成每个工序之后，并且在执行后续工序之前，执行用于去除残留在晶片表面上的杂质和残留物的清洁工序和干燥工序，以清洁晶片的表面。例如，在蚀刻工序之后的晶片清洁工序中，将用于清洁工序的化学液体供给到晶片的表面上，然后，供给去离子水(DIW)以执行漂洗工序。在漂洗工序之后，执行通过去除残留在晶片表面上的DIW来干燥晶片的干燥工序。作为执行干燥工序的方法，例如，已知通过用异丙醇(IPA)替换晶片上的DIW来干燥晶片的技术。然而，根据用于干燥晶片的传统技术，如图1所示，存在的问题在于，在干燥工序过程中，晶片上形成的图案由于液体即IPA的表面张力而塌陷。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种使用超临界流体的基板干燥腔室，包括：/n上壳体；/n下壳体，所述下壳体与所述上壳体联接从而能够打开或关闭；/n基板放置板，所述基板放置板与所述下壳体的底表面联接，并且在所述基板放置板上布置有上面形成了有机溶剂的基板；/n上供给口，所述上供给口形成为在所述上壳体的中心区域中面对所述基板放置板并提供用于干燥的超临界流体的供给路径；和/n集成式供给和排出口，所述集成式供给和排出口从所述下壳体的侧表面延伸至所述下壳体的中心区域，形成为在所述下壳体的中心区域中面对所述基板放置板，并提供用于初始加压的超临界流体的供给路径、以及在使用通过所述上供给口供给的所述用于干燥的超临界流体执行干燥后的混合流体...

【技术特征摘要】
20190604 KR 10-2019-00656901.一种使用超临界流体的基板干燥腔室，包括：
上壳体；
下壳体，所述下壳体与所述上壳体联接从而能够打开或关闭；
基板放置板，所述基板放置板与所述下壳体的底表面联接，并且在所述基板放置板上布置有上面形成了有机溶剂的基板；
上供给口，所述上供给口形成为在所述上壳体的中心区域中面对所述基板放置板并提供用于干燥的超临界流体的供给路径；和
集成式供给和排出口，所述集成式供给和排出口从所述下壳体的侧表面延伸至所述下壳体的中心区域，形成为在所述下壳体的中心区域中面对所述基板放置板，并提供用于初始加压的超临界流体的供给路径、以及在使用通过所述上供给口供给的所述用于干燥的超临界流体执行干燥后的混合流体的排出路径，在所述混合流体中，用于干燥的超临界流体中溶解了所述有机溶剂。


2.根据权利要求1所述的基板干燥腔室，其中，所述集成式供给和排出口包括：
公共管线，所述公共管线形成为从所述下壳体的所述侧表面延伸至所述下壳体的所述中心区域，和
公共口，所述公共口形成为在所述下壳体的所述中心区域中与所述公共管线连通并面对所述基板放置板。


3.根据权利要求2所述的基板干燥腔室，其中，所述用于初始加压的超临界流体通过所述公共管线和所述公共口被供给到干燥空间，所述干燥空间由所述上壳体和所述下壳体密封以与外部隔绝，并且
其中在用于干燥的所述超临界流体中溶解了所述有机溶剂的所述混合流体通过所述公共口和所述公共管线从所述干燥空间被排放到外部。


4.根据权利要求1所述的基板干燥腔室，还包括密封部，所述密封部设置在所述下壳体的联接表面和所述上壳体的联接表面之间。

【专利技术属性】
技术研发人员：申傛湜，
申请(专利权)人：无尽电子有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR