一种用于检测曝光机台透镜眩光程度的光掩膜版及方法技术

技术编号:26595673 阅读:51 留言:0更新日期:2020-12-04 21:17
本发明专利技术提供了一种用于检测曝光机台透镜眩光程度的光掩膜版及方法。上述光掩膜版包括中心曝光区域和外围区域,上述曝光机台的曝光光线经过上述透镜后透过上述中心曝光区域对晶圆上的光刻胶进行曝光,其中,整个上述中心曝光区域设置有遮光层,以阻止上述曝光光线透过;以及上述外围区域设置有若干透光条纹,上述曝光光线经过上述透镜后形成的杂散光透过上述若干透光条纹对上述光刻胶进行曝光。本发明专利技术还提供了利用上述的光掩膜版检测曝光机台透镜眩光程度的方法。根据本发明专利技术所提供的用于检测曝光机台透镜眩光程度的光掩膜版及方法能够随时对曝光机台的透镜进行检测,从而提高透镜维护的便捷性,能够及时发现并改善透镜的眩光问题。

【技术实现步骤摘要】
一种用于检测曝光机台透镜眩光程度的光掩膜版及方法
本专利技术涉及半导体领域,尤其涉及半导体器件光刻工艺中所采用的曝光机台的透镜眩光程度的检测。
技术介绍
光刻(Photolithography),在希腊语字面上的意思是光(photo)-石(litho)-书写(writing)。光刻是将掩模版上的图形转移到涂有光致抗蚀剂(或称光刻胶)的硅片上,通过一系列生产步骤将硅片表面薄膜的特定部分除去的一种图形转移技术。光刻技术是借用照相技术、平板印刷技术的基础上发展起来的半导体关键工艺技术。光源发出的光线照射在掩模版上,出射的光线已经携带了掩模版上的图形信息。掩模版就是在透明的基底(石英)上绘制出需要制作的图形结构,其中,使需要光透过的图形区域保持透明,而在不需要透过光的非图形区域设置遮光层。携带掩模版图形信息的光线照射在旋涂有感光材料(光刻胶)的基底上,这一过程称为曝光。受到照射的光刻胶性质将区别于未收到照射的光刻胶的性质,从而能够在后续的显影过程中区别处理,即正光刻胶的感光区、负光刻胶的非感光区会溶解于显影液中被去除,正光刻胶的非感光区图形和负本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于检测曝光机台透镜眩光程度的光掩膜版,所述光掩膜版包括未被光圈快门阻挡的中心曝光区域和被光圈快门阻挡的外围区域,所述曝光机台的曝光光线依次经过所述光圈快门、透镜后透过所述中心曝光区域对晶圆上的光刻胶进行曝光,其特征在于,/n整个所述中心曝光区域设置有遮光层,以阻止所述曝光光线透过;以及/n所述外围区域设置有若干透光条纹,所述曝光光线经过所述透镜后形成的杂散光透过所述若干透光条纹对所述光刻胶进行曝光。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于检测曝光机台透镜眩光程度的光掩膜版,所述光掩膜版包括未被光圈快门阻挡的中心曝光区域和被光圈快门阻挡的外围区域,所述曝光机台的曝光光线依次经过所述光圈快门、透镜后透过所述中心曝光区域对晶圆上的光刻胶进行曝光,其特征在于,
整个所述中心曝光区域设置有遮光层,以阻止所述曝光光线透过;以及
所述外围区域设置有若干透光条纹,所述曝光光线经过所述透镜后形成的杂散光透过所述若干透光条纹对所述光刻胶进行曝光。


2.如权利要求1所述的光掩膜版,其特征在于,所述外围区域设置有图案化的遮光层,其中
未设置遮光层的外围区域构成所述若干透光条纹。


3.如权利要求1或2所述的光掩膜版,其特征在于,所述遮光层为铬层。


4.如权利要求1所述的光掩膜版,其特征在于,所述中心曝光区域为矩形,所述若干透光条纹位于包围所述中心曝光区域、与所述中心曝光区域同心且形状几何相似的若干同心矩形的边上。


5.如权利要求1所述的光掩膜版,其特征在于,所述中心曝光区域为矩形,所述若干透光条纹构成包围所述中心曝光区域、与所述中心曝光区域同心且形状几何相似的若干同心矩形。


6.一种检测曝光机台透镜眩光程度的方法,其特征在于,所述方法包括:
提供测试晶圆,所述测试晶圆表面涂布有光刻胶;
采用如权利要求1-5中任意一项所描述的光掩膜版对所述测试晶圆表面的光刻胶进行曝光,以仅使所述曝光机台的曝光光线经过所述透镜后形成的杂散光透过所述光掩膜版到达所述光刻胶;
对曝光后的光刻胶进行显影;以及
检测显影后的光刻胶图形来判断所述透镜的眩光程度。...

【专利技术属性】
技术研发人员:宋海生王晓龙周世均
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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