过曝图形漏报错的检查方法、计算机设备及存储介质技术

本发明专利技术提供了一种过曝图形漏报错的检查方法、计算机设备及存储介质，检查方法将OPC修正后的目标版图作为第一检查对象，其中，第一检查对象中的校正图形呈M×N分布；根据第一检查对象所在的区域和校正图形所在的区域，计算得到第二检查对象的若干个待检查区域，待检查区域与校正图形的区域邻接或相离；对第二检查对象作基于面积的OPC修正后检查，判断是否有存在面积大于预设阈值的过曝图形。本发明专利技术提供的过曝图形漏报错的检查方法将桥接检查变成区域范围的面积检查，可以有效的检出过曝图形现象；能及时反馈OPC修正后的检查结果，使其在OPC处理过程中能够进一步的优化程序，使工艺窗口能够最大化。

Inspection method, computer equipment and storage medium of over exposed graphic error

【技术实现步骤摘要】
过曝图形漏报错的检查方法、计算机设备及存储介质
本专利技术涉及微电子版图数据光学修正领域，更具体地说，本专利技术涉及一种过曝图形漏报错的检查方法、计算机设备及存储介质。
技术介绍
随着微电子技术的快速发展，集成电路设计和制造已进入纳米阶段，光掩膜图形的尺寸接近甚至小于形成光刻图形的光线波长，由于光波衍射、干涉而使光刻图形与光掩膜图形之间产生偏差现象，即光学临近效应(OpticalProximityEffect，OPE)。由此导致实际硅片上得到的光刻图形与光掩膜图形之间存在一定的变形和偏差，光刻中的这种误差直接影响了生产成品良率和电路性能。为了消除这种误差，须对光掩膜图形进行预先的光学临近修正(OpticalProximityCorrection，简称OPC)，来弥补光学系统有限分辨率的不足。进一步地，随着集成电路工艺节点不断的缩小，光掩膜图形的设计版图也愈发繁复，同时光掩膜上相邻图形区域的光刻质量受光学临近效应的影响越来越大，OPC修正后得到的目标版图也变得更加复杂。因此，对OPC修正后的目标版图的检查变得越来越不可或缺，随着其检查验证难度也越来越大。在28nm及以下的集成电路工艺制造中，针对如图1所示的设计图形300呈M×N分布的设计版图，OPC修正后得到校正图形400，所述设计版图对应的目标版图如附图2所示，所述目标版图中可能会出现不预期的过曝图形500a、500b、500c等过曝图形。现有技术中，以目标图形110b、110e、110f为例，桥接检查位置111、112、113和114通常位于所述目标图形110a、110e、110f边界线的中心位置，桥接检查位置111和112之间的连线、桥接检查位置113和114之间的连线为桥接检查的穿透方向。此时，由于过曝图形500a位于桥接检查位置113和114的连线上，桥接检查能够检查出过曝图形500a，但是如果过曝图形500b、500c刚好位于桥接检查位置111和112桥接检查连线的两侧，则桥接检查将无法检查出过曝图形500b、500c，导致漏报错过曝图形500b、500c的风险，如果过曝图形的尺寸超过版图设计容错阈值，就会导致光掩膜图形缺陷进一步地导致光刻时影响产品良率。因此，对于OPC修正后的过曝图形漏报错的检查，日渐成为本领域技术人员亟待解决的技术问题之一。需要说明的是，公开于该专利技术
技术介绍
部分的信息仅仅旨在加深对本专利技术一般
技术介绍
的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
本专利技术所要解决的现有技术中桥接检查存在的漏报错过曝图形的问题，其中一个目的是提供一种过曝图形漏报错的检查方法，另外一个目的是提供一种计算机设备和存储介质。为实现上述第一个目的，本专利技术提供了一种过曝图形漏报错的检查方法，通过以下技术方案予以实现，一种过曝图形漏报错的检查方法，包括以下步骤，S100：将OPC修正后的目标版图作为第一检查对象，其中，所述第一检查对象中的校正图形呈M×N阵列分布，其中，M和N至少有一个的值≥2；S200:根据所述第一检查对象所在的区域和所述校正图形所在的区域，计算得到第二检查对象的若干个待检查区域，其中，所述第二检查对象的区域为所述第一检查对象的子区域，且所述待检查区域与所述校正图形的区域邻接或相离；S300：对所述第二检查对象作基于面积的OPC修正后检查，判断每一个所述待检查区域中是否存在面积大于预设阈值的过曝图形，若是，则存在漏报错的过曝图形。可选地，步骤S200中根据所述第一检查对象所在的区域和所述校正图形所在的区域，计算得到第二检查对象的若干个待检查区域，包括以下方法，S210：将所述校正图形的外接区域作为目标图形，根据M×N个所述目标图形所在的区域，在所述目标版图上生成所述第一检查对象的区域，其中，所述第一检查对象的区域包括，M×N个所述目标图形的外接图形围合成的区域；S220：根据M×N个所述目标图形所在的区域，将所述第一检查对象的区域作为全集，计算得到M×N个所述目标图形所在区域的补集，将所述补集作为所述第二检查对象的区域；S230：按照相近相邻的原则，在至少两个相邻的所述目标图形的边界线上选取若干个边界点，将若干个所述边界点依次相连得到一个围合区域，根据所述围合区域得到至少一个所述待检查区域；其中，所述围合区域位于所述第二检查对象的区域内，所述待检查区域与所述围合区域重合或位于所述围合区域内；S240：选取不同的所述目标图形，重复步骤S230，得到若干个所述待检查区域。可选地，步骤S230中所述目标图形包括四边形，所述边界点为所述目标图形的顶点，所述待检查区域为四边形区域。可选地，步骤S230中所述按照相近相邻的原则，在至少两个相邻的所述目标图形的边界线上选取若干个边界点，将若干个所述边界点依次相连得到一个围合区域，根据所述围合区域得到至少一个所述待检查区域，包括以下方法，选取两个相邻的所述目标图形，在彼此靠近的一侧，从每一个所述目标图形上分别选取两个顶点作为所述边界点，将四个所述边界点依次相连得到一个围合区域，将所述围合区域作为一个所述待检查区域。可选地，在步骤S100之前，还包括对设计版图中的设计图形进行OPC修正，得到所述OPC修正后的目标版图。可选地，步骤S100中所述第一检查对象中的校正图形呈M×N阵列分布，M、N的取值包括，M≥3，N≥3。可选地，所述对设计版图中的设计图形进行OPC修正，得到所述OPC修正后的目标版图，其中，所述设计图形的宽度、所述设计图形的间距以及设计尺寸间距的关系包括，P×95％≤(H+S)≤P×105％，其中，H为所述设计图形的宽度，S为所述设计图形的间距，P为所述设计尺寸间距。可选地，步骤S300中所述对所述第二检查对象作基于面积的OPC修正后检查，判断每一个所述待检查区域中是否存在面积大于预设阈值的过曝图形，其中，所述预设阈值与所述设计尺寸间距的关系包括，其中，T为所述预设阈值，P为所述设计尺寸间距。为了实现本专利技术的第二个目的，本专利技术还提供了一种计算机设备，包括处理器以及存储设备，所述处理器适于实现各指令，所述存储设备适于存储多条指令，所述指令适于由所述处理器加载并执行如上述任一项所述的过曝图形漏报错的检查方法。为了实现本专利技术的第三个目的，本专利技术还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机可执行的指令，其特征在于，当所述计算机可执行的指令被执行时实现如上述任一项所述的过曝图形漏报错的检查方法。与现有技术相比，本专利技术提供的一种过曝图形漏报错的检查方法，具有以下有益效果：本专利技术提供的一种过曝图形漏报错的检查方法，将OPC修正后的目标版图作为第一检查对象，其中，所述第一检查对象中的校正图形呈M×N阵列分布；根据所述第一检查对象所在的区域和所述校正图形所在的区域，计算得到第二检查对象的若干个待检查区域，其中，所述第二检查对象的区域为所述第一检查对象的子区域，且所述待检查区域与所述校正图形的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种过曝图形漏报错的检查方法，其特征在于，包括以下步骤，/nS100：将OPC修正后的目标版图作为第一检查对象，其中，所述第一检查对象中的校正图形呈M×N阵列分布，其中，M和N至少有一个的值≥2；/nS200:根据所述第一检查对象所在的区域和所述校正图形所在的区域，计算得到第二检查对象的若干个待检查区域，其中，所述第二检查对象的区域为所述第一检查对象的子区域，且所述待检查区域与所述校正图形的区域邻接或相离；/nS300：对所述第二检查对象作基于面积的OPC修正后检查，判断每一个所述待检查区域中是否存在面积大于预设阈值的过曝图形，若是，则存在漏报错的过曝图形。/n

【技术特征摘要】
1.一种过曝图形漏报错的检查方法，其特征在于，包括以下步骤，
S100：将OPC修正后的目标版图作为第一检查对象，其中，所述第一检查对象中的校正图形呈M×N阵列分布，其中，M和N至少有一个的值≥2；
S200:根据所述第一检查对象所在的区域和所述校正图形所在的区域，计算得到第二检查对象的若干个待检查区域，其中，所述第二检查对象的区域为所述第一检查对象的子区域，且所述待检查区域与所述校正图形的区域邻接或相离；
S300：对所述第二检查对象作基于面积的OPC修正后检查，判断每一个所述待检查区域中是否存在面积大于预设阈值的过曝图形，若是，则存在漏报错的过曝图形。


2.根据权利要求1所述的过曝图形漏报错的检查方法，其特征在于，步骤S200中根据所述第一检查对象所在的区域和所述校正图形所在的区域，计算得到第二检查对象的若干个待检查区域，包括以下方法，
S210：将所述校正图形的外接区域作为目标图形，根据M×N个所述目标图形所在的区域，在所述目标版图上生成所述第一检查对象的区域，其中，所述第一检查对象的区域包括，M×N个所述目标图形的外接图形围合成的区域；
S220：根据M×N个所述目标图形所在的区域，将所述第一检查对象的区域作为全集，计算得到M×N个所述目标图形所在区域的补集，将所述补集作为所述第二检查对象的区域；
S230：按照相近相邻的原则，在至少两个相邻的所述目标图形的边界线上选取若干个边界点，将若干个所述边界点依次相连得到一个围合区域，根据所述围合区域得到至少一个所述待检查区域；其中，所述围合区域位于所述第二检查对象的区域内，所述待检查区域与所述围合区域重合或位于所述围合区域内；
S240：选取不同的所述目标图形，重复步骤S230，得到若干个所述待检查区域。


3.根据权利要求2所述的过曝图形漏报错的检查方法，其特征在于，步骤S230中所述目标图形包括四边形，所述边界点为所述目标图形的顶点，所述待检查区域为四边形区域。


4.根据权利要求3所述的过曝图形漏报错的检查方法，其特征在于，步骤S2...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏国帅，张辰明，陈翰，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31