光刻胶热熔法制备硅微透镜产品的方法及系统技术方案

本发明专利技术公开了一种光刻胶热熔法制备硅微透镜产品的方法及系统。所述方法包括：在基片上均匀涂覆光刻胶，并依次进行光刻、显影处理，从而在基片上形成由光刻胶材料构成的光刻胶胶柱结构；将所述光刻胶胶柱结构倒置于真空环境内，并以支撑装置对其进行支撑；以及，使所述真空环境的温度升温至40～60℃，之后升温至120～140℃并保持12～20min，获得具有球面结构的硅微透镜产品。本发明专利技术还提供了一种制备硅微透镜产品的系统。本发明专利技术的光刻胶热熔法制备硅微透镜产品的方法引入了变温与重力机制，由于重力的影响，光刻胶热熔后可以更容易成球型，所制备的硅微透镜产品的胶球球面与标准球面相比，偏差小于50nm，更接近标准球面。

【技术实现步骤摘要】
光刻胶热熔法制备硅微透镜产品的方法及系统
本专利技术涉及一种硅微透镜的制备方法，更具体涉及一种利用光刻胶热熔法制备硅微透镜芯片等产品的方法及采用的相应系统，有助于提升光刻胶热熔后胶球球面性能，属于微光学及半导体制造

技术介绍
近年来，随着人工智能、大数据、物联网、5G等新技术的崛起，下游的光通信产业展现出蓬勃发展的态势。而且，随着微纳制造技术的发展，现代光学器件正朝着质量更轻，体积更小的方向发展。微透镜及其阵列，作为具有代表性的微光学器件，在光通信系统、微光机电系统等领域发挥着重要的作用。所谓微透镜(microlenses)，是指通光孔径及浮雕深度为微米级的光学透镜，由这些小透镜排成的阵列称之为微透镜阵列。其中，硅微透镜芯片作为光模块中的重要部件，需求也在逐年增长，而且硅微透镜芯片的性能直接关乎光模块传输光信号的效率。目前用于制作微透镜的方法包括光刻胶热熔法、光敏玻璃热成型法、离子交换法、光电反应刻蚀法、聚焦离子束刻蚀与沉积法等。其中，在硅微透镜芯片制备过程中，光刻胶热熔法制备硅微透镜芯片是目前主流、最常用的的生产工艺。利用光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻胶热熔法制备硅微透镜产品的方法，其特征在于包括：/n在基片上均匀涂覆光刻胶，并依次进行光刻、显影处理，从而在基片上形成由光刻胶材料构成的光刻胶胶柱结构；/n将所述光刻胶胶柱结构倒置于真空环境内，并以支撑装置对所述光刻胶胶柱结构进行支撑；以及，/n使所述真空环境的温度升温至40～60℃，之后升温至120～140℃并保持12～20min，获得具有球面结构的硅微透镜产品。/n

【技术特征摘要】
1.一种光刻胶热熔法制备硅微透镜产品的方法，其特征在于包括：
在基片上均匀涂覆光刻胶，并依次进行光刻、显影处理，从而在基片上形成由光刻胶材料构成的光刻胶胶柱结构；
将所述光刻胶胶柱结构倒置于真空环境内，并以支撑装置对所述光刻胶胶柱结构进行支撑；以及，
使所述真空环境的温度升温至40～60℃，之后升温至120～140℃并保持12～20min，获得具有球面结构的硅微透镜产品。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于包括：将所述光刻胶胶柱结构以光刻胶胶柱结构的表面朝下的方式放置于真空环境内的支撑装置上，使所述支撑装置的支撑端部与所述光刻胶胶柱结构表面接触。


3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述支撑装置包括支撑基体，以及设置于所述支撑基体上的一个以上的支撑件。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述光刻胶的涂覆厚度为15～30μm。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述基片的材质包括硅片。


6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述硅微透镜产品的直径为200～800μm。


7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于还包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：王发阔，黄寓洋，
申请(专利权)人：苏州苏纳光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32