硅电容电极结构及硅电容制造技术

本发明专利技术公开了一种硅电容电极结构及硅电容，硅电容电极结构包括基底以及柱体基元阵列。所述基底具有第一表面；所述柱体基元阵列，形成于所述基底的第一表面上，所述柱体基元阵列包括多组呈周期性分布的柱体基元单元，每组所述柱体基元单元由多个柱体基元排列组合而成，相邻柱体基元之间不接触设置，每个所述柱体基元包括位于中部的第一主体部以及自所述第一主体部沿其径向延伸的两个支脚部，其中，两个所述支脚部之间形成有夹角α<subgt;1</subgt;。本发明专利技术的硅电容电极结构及硅电容，其能够通过对基底上的柱体基元单元进行合理分布，同时对每个柱体基元单元内的主体基元进行合理排布，最大程度的提高电极结构表面积，同时提高结构稳定性，降低等效串联电阻，以满足应用需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于电容结构，特别是关于一种硅电容电极结构及硅电容。

技术介绍

1、在微纳
，在需要在应用中实现大电容的情况下，每平方半导体衬底面积的成本以及对电容的需求都在不断增加。为了增加电容密度，柱体的纵横比可以增加，其中纵横比被定义为其长度与垂直于其长度方向的最小横截面尺寸之比。增加电容密度的策略是增加柱体的长度，或者减小柱体的横截面尺寸或占地面积，进而在同样的衬底面积上放置更多的柱体。然而，具有高纵横比的圆形柱体在受到剪切力时易于断裂和/或倾倒，例如在处理和/或加工过程中可能发生的情况，现有的电极设计通常不能满足特定应用中对电极表面积和结构稳定性的需求，从而限制了电容器的应用领域。其次，现有的电极设计，其在衬底上的排布存在不尽合理之处，导致形成的电极结构的等效串联电阻（esr）较高。

2、公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种硅电容电极结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的硅电容电极结构，其特征在于，两个所述支脚部之间的夹角α1的范围为0°<α1<180°。

3.如权利要求1所述的硅电容电极结构，其特征在于，两个所述支脚部的延伸长度相同。

4.如权利要求1所述的硅电容电极结构，其特征在于，两个所述支脚部在所述夹角α1处的侧壁表面，自其中一个支脚部向另一个支脚部呈弧形延伸。

5.如权利要求1所述的硅电容电极结构，其特征在于，每个所述支脚部均包括一第二主体部以及一连接部，所述连接部连接所述第二主体部和所述第一主体部；

6.如...

【技术特征摘要】

1.一种硅电容电极结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的硅电容电极结构，其特征在于，两个所述支脚部之间的夹角α1的范围为0°<α1<180°。

3.如权利要求1所述的硅电容电极结构，其特征在于，两个所述支脚部的延伸长度相同。

4.如权利要求1所述的硅电容电极结构，其特征在于，两个所述支脚部在所述夹角α1处的侧壁表面，自其中一个支脚部向另一个支脚部呈弧形延伸。

5.如权利要求1所述的硅电容电极结构，其特征在于，每个所述支脚部均包括一第二主体部以及一连接部，所述连接部连接所述第二主体部和所述第一主体部；

6.如权利要求1所述的硅电容电极结构，其特征在于，所述柱体基元单元包括两个相同的柱体基元，其中一个所述柱体基元的一个支脚部与另一个所述柱体基元的夹角α1的角分线重合。

7.如权利要求6所述的硅电容电极结构，其特征在于，与所述角分线重合的所述支脚部与另一个所述柱体基元的第一主体部之间的距离为l11；

8.如权利要求6所述的硅电容电极结构，其特征在于，在垂直方向上，所述柱体基元单元中的一个所述柱体基元的一个支脚部与和其相邻的所述柱体基元单元中的一个所述柱体基元的夹角α1的角分线重合。

9.如权利要求1所述的硅电容电极结构，其特征在于，所述柱体基元单元包括三个相同的柱体基元，三个所述柱体基元的夹角向外呈环形排设，且三个所述柱体基元构成具有三重旋转轴的图形。

10.如权利要求9所述的硅电容电极结构，其特征在于，其中，每个所述柱体基元的支脚部均平行于与其相邻的所述柱体基元的支脚部。

11.如权利要求10所述的硅电容电极结构，其特征在于，相邻所述柱体基元之间的距离为l21；...

【专利技术属性】
技术研发人员：金山，何婷婷，黄志远，费孝斌，黄寓洋，
申请(专利权)人：苏州苏纳光电有限公司，
类型：发明
国别省市：