【技术实现步骤摘要】
本申请属于射频测试，具体涉及一种打线器件的散射参数测量方法、装置、存储介质及电子设备。
技术介绍
1、在射频、微波及高频集成电路领域，引线键合封装的芯片、射频模块等打线器件的散射参数测量是评估其高频性能的关键环节。现有技术中普遍采用矢量网络分析仪进行器件的散射参数测量，但传统的测量方法在应用至打线器件的散射参数测量时存在较大误差，主要原因如下：
2、1、由于矢量网络分析仪的标准校准往往依靠校准片校准，无法将打线器件引入的键合线带来的影响消除，例如键合金线的电感通常为300～400ph，会引入相位误差，在毫米波频段可能造成显著群延迟偏差；
3、2、散射参数测量时通常需要在矢量网络分析仪和被测件之间设置夹具，并通过去嵌算法去嵌夹具对参数的影响，但传统线性去嵌算法难以准确分离夹具与引线键合的非线性耦合效应，尤其当引线与待测件形成不对称结构时，电磁场分布复杂化导致模型失配。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种打线器件的散射参数测量方法、装置、存储介质及电子设备，以解...
【技术保护点】
1.一种打线器件的散射参数测量方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的散射参数测量方法，其特征在于，基于第一散射参数、第二散射参数和去嵌算法计算得到第三散射参数的步骤具体为：
3.根据权利要求1所述的散射参数测量方法，其特征在于，基于所述第三散射参数，计算得到所述目标器件的散射参数的步骤包括：
4.根据权利要求3所述的散射参数测量方法，其特征在于，基于所述第一阻抗参数，计算得到第二阻抗参数的步骤具体为：
5.根据权利要求1所述的散射参数测量方法，其特征在于，所述一对目标器件中心对称设置。
6.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种打线器件的散射参数测量方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的散射参数测量方法，其特征在于，基于第一散射参数、第二散射参数和去嵌算法计算得到第三散射参数的步骤具体为：
3.根据权利要求1所述的散射参数测量方法，其特征在于，基于所述第三散射参数，计算得到所述目标器件的散射参数的步骤包括：
4.根据权利要求3所述的散射参数测量方法，其特征在于，基于所述第一阻抗参数，计算得到第二阻抗参数的步骤具体为：
5.根据权利要求1所述的散射参数测量方...
【专利技术属性】
技术研发人员：钟一鸣，谷飞，
申请(专利权)人：苏州苏纳光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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