TDDB测试工艺结构及其制备方法、TDDB测试方法技术

本发明专利技术公开了一种TDDB测试工艺结构及制备方法、TDDB测试方法，所述TDDB测试工艺结构包括：衬底，包括相对设置的第一表面和第二表面；绝缘层，位于所述第一表面上，所述绝缘层包括第一区域和第二区域；电容器，位于所述第一区域上，所述电容器包括电介质层；电阻，位于所述第二区域上，所述电阻与所述电容器的一端电性连接；电极，包括第一电极和第二电极，所述第一电极位于第二区域上，所述第一电极与所述电阻电性连接，所述第二电极位于所述第二表面上。本发明专利技术将电容器和电阻集成于同一衬底上，构成了电容器和电阻串联结构，便于进行TDDB测试。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制造，具体涉及一种tddb测试工艺结构及其制备方法、tddb测试方法。

技术介绍

1、在半导体器件中，电介质层是其重要的组成结构，例如硅深沟槽电容(deeptrench capacitor，dtc)器件和硅集成无源器件(integrated passive device)。电介质层的质量和寿命对半导体器件的稳定使用及寿命预测至关重要。因而，需要合理、便捷的测试方法以准确、高效地获得电介质层的寿命。

2、时间相关的电介质击穿(time dependent dielectric breakdown，tddb)测试是一种重要的可靠性测试方法，其是在对电介质层施加恒定的测试偏压，使电介质层的漏电流逐渐增加，直至电介质层被击穿，失去绝缘功能，从而评估电介质层的质量，进而预测半导体器件的使用寿命。

3、现有技术中，对电介质层采用tddb测试分为fab流片过程中或fab流片结束后，但是无论是在fab流片过程中还是在fab流片结束后，都需对待测样品进行逐颗测试，测试效率低下。此外，在fab流片过程中，通常在完成电介质层和金属层的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种TDDB测试工艺结构，其特征在于，所述TDDB测试工艺结构包括：

2.根据权利要求1所述的TDDB测试工艺结构，其特征在于，所述TDDB测试工艺结构包括多个间隔设置的电容器和多个间隔设置的电阻，一个电容器和一个电阻对应电性连接，所述第一电极与多个电阻分别电性连接。

3.根据权利要求1所述的TDDB测试工艺结构，其特征在于，所述电容器包括依次层叠于第一区域上的第一金属层、电介质层和第二金属层，所述电阻包括依次层叠于第二区域上的电阻膜层和第三金属层，所述第三金属层分别与第二金属层和第一电极电性连接。

4.根据权利要求1所述的TDDB测试工艺结构，其...

【技术特征摘要】

1.一种tddb测试工艺结构，其特征在于，所述tddb测试工艺结构包括：

2.根据权利要求1所述的tddb测试工艺结构，其特征在于，所述tddb测试工艺结构包括多个间隔设置的电容器和多个间隔设置的电阻，一个电容器和一个电阻对应电性连接，所述第一电极与多个电阻分别电性连接。

3.根据权利要求1所述的tddb测试工艺结构，其特征在于，所述电容器包括依次层叠于第一区域上的第一金属层、电介质层和第二金属层，所述电阻包括依次层叠于第二区域上的电阻膜层和第三金属层，所述第三金属层分别与第二金属层和第一电极电性连接。

4.根据权利要求1所述的tddb测试工艺结构，其特征在于，所述电介质层延伸至所述第二区域上，所述电阻和第一电极位于第二区域的电介质层上。

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【专利技术属性】
技术研发人员：谷飞，何婷婷，
申请(专利权)人：苏州苏纳光电有限公司，
类型：发明
国别省市：