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本发明公开了一种TDDB测试工艺结构及制备方法、TDDB测试方法，所述TDDB测试工艺结构包括：衬底，包括相对设置的第一表面和第二表面；绝缘层，位于所述第一表面上，所述绝缘层包括第一区域和第二区域；电容器，位于所述第一区域上，所述电容器包括...
该专利属于苏州苏纳光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州苏纳光电有限公司授权不得商用。

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