微透镜阵列的形成方法技术

技术编号:26530067 阅读:29 留言:0更新日期:2020-12-01 14:07
本发明专利技术提供了一种微透镜阵列的形成方法,包括提供半导体衬底,所述半导体衬底包括像素区域和外围区域;在所述半导体衬底上涂布光刻胶并对所述光刻胶进行烘烤,利用所述像素区域和所述外围区域存在的台阶,在所述像素区域形成具有一定形貌的光刻胶层;对所述光刻胶层进行光刻作业,以在所述像素区域形成微透镜阵列。本发明专利技术先利用半导体衬底上像素区域和外围区域存在的台阶,在像素区域形成具有一定形貌的光刻胶层,然后通过光刻工艺形成微透镜阵列,使像素区域的中心和像素区域的边缘上的微透镜具有不同的曲率,实现CRA优化,减小像差。

【技术实现步骤摘要】
微透镜阵列的形成方法
本专利技术涉及半导体制造
,尤其涉及一种微透镜阵列的形成方法。
技术介绍
随着光电产品诸如数码相机、数字图像记录器、具有图像拍摄功能的手机以及监视器逐渐普及化,图像传感器的需求也与日俱增。图像传感器用于记录来自图像的光学信号的变化并且将光学信号转换成电子信号。在记录及处理上述电子信号之后,便可产生一数字图像。而图像传感器一般可分为两种主要类型:一者为电荷耦合装置(charge-coupleddevice,CCD),而另一者为互补式金属氧化物半导体(complementarymetaloxidesemiconductor,CMOS)装置。图像传感器通常包括像素区,像素区包括一光感测单元,用以提供对应照射于光感测单元的光强度的一信号,当一图像聚焦于该像素区时,这些信号可用于显示一对应的图像。在传统的技术中,配有滤光片(Colorfilter)的微透镜阵列对应设置于像素区上方,用以将光线聚焦于像素区上。然而,尽管使用了微透镜阵列,由于微透镜阵列几何排列,大量的入射光线并未能有效地导入光感测单元,入射光线对于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微透镜阵列的形成方法,其特征在于,包括:/n提供半导体衬底,所述半导体衬底包括像素区域和外围区域;/n在所述半导体衬底上涂布光刻胶,并对所述光刻胶进行烘烤,利用所述像素区域和所述外围区域存在的台阶,在所述像素区域形成具有一定形貌的光刻胶层;/n对所述光刻胶层进行光刻作业,以在所述像素区域形成微透镜阵列,使位于所述像素区域的边缘的微透镜的曲率大于位于所述像素区域的中心的微透镜的曲率;/n其中,在所述半导体衬底上涂布光刻胶的过程中,所述半导体衬底的转速为50r/min~1500r/min,对所述光刻胶进行烘烤的温度为100℃~140℃。/n

【技术特征摘要】
1.一种微透镜阵列的形成方法,其特征在于,包括:
提供半导体衬底,所述半导体衬底包括像素区域和外围区域;
在所述半导体衬底上涂布光刻胶,并对所述光刻胶进行烘烤,利用所述像素区域和所述外围区域存在的台阶,在所述像素区域形成具有一定形貌的光刻胶层;
对所述光刻胶层进行光刻作业,以在所述像素区域形成微透镜阵列,使位于所述像素区域的边缘的微透镜的曲率大于位于所述像素区域的中心的微透镜的曲率;
其中,在所述半导体衬底上涂布光刻胶的过程中,所述半导体衬底的转速为50r/min~1500r/min,对所述光刻胶进行烘烤的温度为100℃~140℃。


2.根据权利要求1所述的微透镜阵列的形成方法,其特征在于,对所述光刻胶层进行光刻...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴建宏林士程王厚有
申请(专利权)人:晶芯成北京科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1