一种直拉硅单晶炉复投装置制造方法及图纸

技术编号:26592633 阅读:22 留言:0更新日期:2020-12-04 21:13
本实用新型专利技术提供一种直拉硅单晶炉复投装置包括筒体、锥体、调节杆以及底座,筒体下部具有出料口,锥体设置在出料口处,调节杆设置于筒体内并与锥体连接,调节杆的一端穿过锥体,底座设置于锥体的底部并与调节杆通过卡接组件连接。本实用新型专利技术,能够提高对复投装置的防护,结构简单,安装方便;底座为聚四氟乙烯材质,成本低。本实用新型专利技术还设置有护套,有效的避免因硅料与调节杆碰撞引起金属杂质掉入溶液而影响成晶质量。

【技术实现步骤摘要】
一种直拉硅单晶炉复投装置
本技术涉及直拉硅单晶制造
,具体涉及一种直拉硅单晶炉复投装置。
技术介绍
目前制备单晶的方法主要是直拉法,直拉法生长单晶硅是目前生产单晶硅最广泛的应用技术,直拉式单晶炉是呈现直立状,且上、下分别为副室和主室,两者间装设有一隔离阀。主室内设有加热器、保温机构、石墨坩锅与石英坩锅等。主室和副室都配有保护气体冲入装置与真空系统等。直拉法的生产过程是先将晶原料装入复投装置中,再将原料装入石墨坩锅内,然后置于加热器中加热至溶融态,插入晶种,进行引颈、放肩、等颈成晶。其中,英筒复投装置是重要的工具之一,其直接影响单晶的成晶品质。且复投器成本较为高,一旦破损,造成损失,增加成本。有鉴于此,急需对现的直拉硅单晶炉复投装置结构进行改进,以提高对复投装置的防护,降低破碎的风险,进而降低成本。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的缺点,提供一种直拉硅单晶炉复投装置,能够提高对复投装置的防护,降低破碎的风险,进而降低成本。为了解决上述技术问题,本技术所采用的技术方案是提供一种直拉硅单晶炉复投装置,包括:筒体,下部具有出料口;锥体,设置在所述出料口处;调节杆,设置于所述筒体内并与所述锥形体连接,所述调节杆的一端穿过所述锥体;底座,设置于所述锥体的底部并与所述调节杆通过卡接组件卡接。进一步地,所述调节杆的一端设置有卡接凸台,所述底座上凸设有安装部,所述安装部的上表面开设有容纳所述卡接凸台的容纳凹槽,所述容纳凹槽的内表面对称开设有卡接槽;所述卡紧组件包括分别设置在所述卡接槽内的弹性件和与所述弹性件连接的卡接件,所述卡接件的下表面与所述卡接凸台的上表面相抵。进一步地,所述卡接凸台的上表面和所述卡接件的下表面均为接触平面,所述卡接件的上表面为一滑动斜面。进一步地,还包括套设在所述调节杆上的护套,所述护套与所述调节杆可拆卸连接。进一步地,所述调节杆上设置有固定凸台,所述固定凸台的上表面设置有凸柱,所述护套的底壁开设有与所述凸柱相对应的插孔,所述插孔套接在所述凸柱上,以将所述护套固定。进一步地,所述固定凸台呈环形状且位于所述锥体的顶部,所述凸柱设置有多个,多个所述凸柱沿所述固定凸台的周向均匀分布。进一步地,还包括带有入料口的上盖,所述上盖的底部设有环形嵌入槽,所述环形嵌入槽扣合在所述筒体的上顶壁。进一步地,所述筒体上设置有限位凸台,所述限位凸台和所述上盖之间安装有防护杆。进一步地,底座的材质为聚四氟乙烯。进一步地,所述上盖的材质为聚四氟乙烯。与现有技术相比,本技术具有的优点和积极效果是:底座的设置,对锥体进行有效的防护,且结构简单,安装方便;另外,底座为聚四氟乙烯材质,成本低。护套的设置,有效的避免因硅料与调节杆碰撞引起金属杂质掉入溶液影响成晶质量,另外,凸柱和插孔的配置,使护套更加稳固,避免护套与调节杆的碰撞而引起护套破碎,减少杂质污染影响成晶质量。增加聚四氟乙烯材质的上盖,去掉石英法兰成本大幅降低。防护杆的设置,可有效避免筒体晃动,避免与导流筒碰撞发生石英碎片掉入,影响成晶品质。附图说明图1为本技术一实施例的直拉硅单晶炉复投装置整体结构示意图;图2为图1中底座与调节杆连接前示意图;图3为图1中底座与调节杆连接后示意图;图4为图1中底座结构示意图;图5为图1中底座与调节杆连接结构局部放大示意图;图6为图1中护套连接结构示意图;图7为图6中局部示意图。图中:10-筒体;20-锥体;30-调节杆;40-底座;50-卡接组件;60-安装部;70-护套;80-上盖;90-防护杆;11-出料口;12-限位凸台;21-锥形上表面;31-固定凸台;32-锁紧螺母;33-卡接凸台;34-凸柱;51-弹性件;52-卡接件;61-容纳凹槽;62-卡接槽;71-插孔;81-入料口;82-环形嵌入槽;331-接触平面;521-滑动斜面,522-接触平面。具体实施方式下面结合说明书附图和具体实施例对本技术做出详细说明。如图1至7所示,本实施例提供的直拉硅单晶炉复投装置包括筒体10、锥体20、调节杆30以及底座40。参照图1,筒体10下部具有出料口11,锥体20设置在出料口11处。具体而言,锥体20具有锥形上表面21,用以开启和封闭筒体10下部的出料口11,锥体20的上表面21封闭出料口11时,锥体20与筒体10配合用于容纳硅料。其中,筒体10和锥体20均为石英材质。参照图1和图2,调节杆30设置于筒体10内并与锥体20连接,调节杆30的一端穿过锥体20。具体的,调节杆30上设置有固定凸台31,该固定凸台31呈环形并沿调节杆30的外周缘固定且位于锥体20的顶部。调节杆30上位于锥体20的下表面处安装有锁紧螺母32。借此,通过锁紧螺母32与固定凸台31配合将锥体20固定在调节杆30上。其中,调节杆30为钼杆。参照图1,底座40设置于锥体20的底部并与调节杆30通过卡接组件50连接。其中,底座40的材质为聚四氟乙烯。底座40起到保护锥体20的作用,因锥体20通常为石英材质,成本较高,当向筒体10投料时或运输时,一旦遇到磕碰破碎造成严重损失,底座40的设置对锥体20起到了很好的保护作用,有效降低成本。参照图1至图5,具体地,调节杆30的一端设置有卡接凸台33,该卡接凸台33呈环形并沿调节杆30的外周缘固定且位于调节杆30底部,其上表面为一接触平面331(如图2所示)。参照图2和图5,底座40上凸设在安装部60,安装部60的上表面开设有容纳卡接凸台33的容纳凹槽61,容纳凹槽61的内表面对称开设有卡接槽62。参照图4和图5,卡紧组件50包括分别设置在卡接槽62内的弹性件51和与弹性件51连接的卡接件52,卡接件52的下表面与卡接凸台33的上表面相抵。其中,具体地,卡接件52的上表面为一滑动斜面521,下表面为一接触平面522。具体地,卡接件52向外凸出于容纳凹槽61,弹性件51可以为弹簧等可伸缩弹性部件,卡接件52为一卡接块。由此,调节杆30对准底座40上的容纳凹槽61,下压调节杆30使调节杆30端部的卡接凸台33与卡接件52的滑动斜面521接触,继续下压调节杆30,卡接件52向内压缩弹性件51,卡接件52缩回至卡接槽凹槽61内,当卡接凸台33的上表面331运动至卡接件52的下表面522时,卡接件52弹出,卡接件52的下表面与卡接凸台33的上表面相抵,实现底座40与调节杆30的卡接。此结构简单,安装方便,节约成本。该实施例中,参照图1、图6和图7,还包括套设在调节杆30上的护套70,护套70与调节杆30可拆卸连接。具体地,调节杆30上设置有固定凸台31,固定凸台31的上表面设置有凸柱34,护套70的底壁开设有与凸柱34相对应的插孔71,插孔71套接在凸柱34上,以将护套70固定。具体地,凸柱34设置有多个,多个凸柱34沿固定凸本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种直拉硅单晶炉复投装置,其特征在于,包括:/n筒体,下部具有出料口;/n锥体,设置在所述出料口处;/n调节杆,设置于所述筒体内并与所述锥体连接,所述调节杆的一端穿过所述锥体;及/n底座,设置于所述锥体的底部并与所述调节杆通过卡接组件连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种直拉硅单晶炉复投装置,其特征在于,包括:
筒体,下部具有出料口;
锥体,设置在所述出料口处;
调节杆,设置于所述筒体内并与所述锥体连接,所述调节杆的一端穿过所述锥体;及
底座,设置于所述锥体的底部并与所述调节杆通过卡接组件连接。


2.根据权利要求1所述的直拉硅单晶炉复投装置,其特征在于,所述调节杆的一端设置有卡接凸台,所述底座上凸设有安装部,所述安装部的上表面开设有容纳所述卡接凸台的容纳凹槽,所述容纳凹槽的内表面对称开设有卡接槽;所述卡接组件包括分别设置在所述卡接槽内的弹性件和与所述弹性件连接的卡接件,所述卡接件的下表面与所述卡接凸台的上表面相抵。


3.根据权利要求2所述的直拉硅单晶炉复投装置,其特征在于,所述卡接件的下表面和所述卡接凸台的上表面均为接触平面,所述卡接件的上表面为一滑动斜面。


4.根据权利要求3所述的直拉硅单晶炉复投装置,其特征在于,还包括套设在所述调节杆上的护套,所述护套与所述调节杆可拆卸连接。


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【专利技术属性】
技术研发人员:高建芳徐强高润飞王林王建平白大伟李利军赵国伟许建郭志荣
申请(专利权)人:内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
类型:新型
国别省市:内蒙古;15

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