本发明提供一种便于定位的复投器，包括用于承载硅料的筒体及用于支撑所述筒体的支撑架，还包括位于所述筒体顶部且部分为圆台体的盖帽，所述盖帽下端面与所述支撑架上端面的法兰盘配制连接。本发明还提出一种采用该复投器的复投工艺。本发明一种便于定位的...

本发明提供一种埚底无剩料的保温及复投工艺，解决现有技术采用无剩料的收尾工艺进行收尾后，在石英埚无剩料情况下进行保温复投，由于主加热器温度过高，容易造成石英埚受损或卷边等异常，严重者造成漏硅，影响生产效率，造成事故隐患的问题，提供一种埚底...

本发明提供一种单晶收尾工艺，解决现有技术收尾工艺收尾后，石英埚底会残留剩料，造成原料浪费；且收尾时主加热器温度过高，容易造成石英埚受损或卷边等异常，影响生产效率的问题；该收尾工艺先降低后增加主加热器功率，增加底部加热器功率，使用该工艺进...

本发明提供一种晶圆棒晶线位置的检测方法，步骤包括：在晶圆棒的外壁面上任取两个不同位置的径面；控制所述晶圆棒轴向旋转并识别两个不同位置径面上的所有晶线点；获得每一径面中每一组对位晶线点相对于径面圆心的夹角角度的测量值；对比两组不同径面上的...

本发明提供一种单晶炉参数自动调节的工艺方法，包括，设定剩料重量参考值；获取在拉晶过程中坩埚内剩料重量实际值；根据剩料重量参考值和剩料实际值，计算减重比；根据减重比，计算执行系数；根据执行系数，计算热场温度的变化量，控制拉晶过程中热场温度...

本发明提供一种控制拉晶过程温度一致性的方法，包括：在稳温过程中，监测硅溶液液面温度，判断硅溶液液面温度是否满足第一预设条件；若是，若是，判断液面温度从初始温度至所测得的液面温度过程中的温度变化值是否满足第二预设条件；若是，则根据所测得的...

本发明提供一种用于加工太阳能硅棒开方的喷淋系统，包括：喷淋支架、设置在喷淋支架上的喷淋装置以及循环装置，喷淋支架，设置在靠近硅棒切割线顶部位置处，用于支撑喷淋装置；喷淋装置，可拆卸的设置在喷淋支架靠近硅棒的位置，冷却硅棒切割线以及硅棒；...

本发明提供一种控制单晶轴向电阻率的工艺方法，在等径阶段，随着坩埚内的剩料重量减少，降低拉晶速度；当坩埚内的剩料重量降至临界重量时，拉晶速度降至最低速度；随着坩埚内的剩料重量继续下降，增大拉晶速度；在坩埚内剩料重量逐渐下降的过程中，热场温...

本发明提供一种防止晶圆棒拼缝处磕损的模板结构及采用该模板结构的粘接方法，包括与晶圆棒端部横截面相同的模板，在所述模板径面上配设有若干垫片，所述垫片能够在所述晶圆棒粘接固化时缓冲从所述晶圆棒最外两端面沿所述晶圆棒轴向朝拼缝处对顶抵固的顶力...

本发明提供一种硅单晶出炉电阻率测试方法，在出炉后的硅单晶的头部靠近籽晶方向一端获取测试样品；冷却所述样品并使所述样品降温至标准测量范围内；对所述样品进行电阻率测量。本发明一种硅单晶出炉电阻率测试方法，通过在出炉硅单晶头部取样进行电阻率测...

本发明提供一种大热场环境下的扩肩工艺方法、装置、设备及计算机可读存储介质，在扩肩过程中，监测放肩角的大小，并根据放肩角的大小调节扩肩功率，控制扩肩温度。本发明的有益效果是减少人为干预，自动进行扩肩过程中扩肩功率的调节，改善扩肩过程中界面...

本发明提供一种大热场环境下大尺寸单晶硅棒成晶的扩肩工艺方法、装置、设备及计算机可读存储介质，包括，设定标准肩型；在扩肩过程中，依次获取不同时间点的扩肩长度，并获取与各个时间点的扩肩长度相对应的扩肩的实际直径，以及获取与实际直径相对应的标...

本发明提供一种单晶炉集控系统，包括：服务端和客户端，所述服务端包括工控机服务端和与所述工控机服务端建立通信连接并进行数据交换的集控服务端，所述客户端包括与所述集控服务端建立通信连接并进行数据交换的集控客户端；所述集控客户端向所述集控服务...

本发明提供一种直拉单晶炉保温装置，包括：第一筒体；套设于所述第一筒体外部的第二筒体；以及可用于吸收热能量的导电层；其中，所述第一筒体和所述第二筒体端部密闭连接并形成一真空腔，所述真空腔可在拉晶制程中阻止加热器向外扩散的热传导；所述导电层...

本发明提供一种籽晶砂轮修整方法，包括步骤：固定籽晶砂轮修整器；设置修整原始点；调节修整器砂轮与被修整的籽晶砂轮之间的角度；修整籽晶砂轮。本发明的有益效果是解决目前现有技术的籽晶砂轮的修整方法采用油石条进行修整，修整时间长，且为人工手动修...

本发明提供一种直拉法硅单晶扩肩过程中计算埚升速度方法，包括：测量坩埚的内径；实时测量所述单晶的直径值以及所述单晶的拉速；通过所述单晶实时拉速、所述单晶的实际直径值以及所述坩埚的内径得到所述坩埚的实时提升速度。本发明的有益效果是在扩肩过程...

本发明提供一种直拉法硅单晶新型扩肩方法，包括：实时检测单晶长度和单晶直径，计算所述单晶实际斜率；将所述单晶实际斜率与所述单晶最优斜率范围进行对比，若所述单晶实际斜率在所述单晶最优斜率范围内，则所述单晶的实际拉速为设定拉速；若所述单晶实际...

本发明提供一种取段结晶自动升功率的检测方法，步骤为：通过视觉检测系统捕捉取段结晶过程图像；服务器接收所述取段结晶过程图像并进行逻辑判断，并输出结果，执行是否升功率动作。本发明的有益效果是新开发功能，自主创新开发取段结晶升功率识别逻辑及采...

本发明提供一种提高首颗成晶率的石英坩埚预处理方法，石英坩埚在装料之前，对石英坩埚进行高温空烧，以使得坩埚内表面形成析晶层。本发明的有益效果是阻止石英坩埚在使用过程中无定型二氧化硅颗粒进入熔硅中而引起断苞，提高首颗单晶的成晶率。提高首颗单...

本发明提供一种液面抖动检测方法及装置，包括，对硅溶液液面进行监测，获取液面图像；提取液面图像中的液面抖动的波纹区域，获取波纹区域的面积；判断波纹区域的面积是否符合预设条件；在波纹区域的面积符合预设条件时，输出报警信号。本发明的有益效果是...