【技术实现步骤摘要】
一种真空镀膜设备多路入气多级整流工艺及气路系统
本专利技术涉及真空镀膜控制
,具体为一种真空镀膜设备多路入气多级整流工艺及气路系统。
技术介绍
真空气相沉积技术在工业生产与科学研究中有广范的应用。真空气相沉积技术是指在初始真空态前提下,对真空态的工艺腔室内通入工艺气体,然后对工艺气体以及镀膜基底施加反应条件,例如温度、电场、辐射、激光等,让工艺气体与沉底发生理化反应,最终在沉底上成膜。然而,如图1所示,目前的真空气相沉积技术的气路体系中,工艺气体由气流控制器件控制,通过输气管道输送到集中气孔,然后经整流板的分流气孔分流为分散气体,在位于镀膜工艺区的镀膜基底上发生工艺反应;但是,现有技术中,因为集中气口到整流板的各个分流气孔的位置距离的不同,工艺气体的浓度、气压,流速等都会存在明显的差异,这会导致发生镀膜效果不均匀的问题;尤其是有大面积镀膜需求的情况下,普遍存在镀膜均匀性差,镀膜面积内工艺一致性低等问题。
技术实现思路
为了在避免在大面积镀膜工序中,发生的镀膜均匀性差、镀膜面积内工艺一致性低的问题,本 ...
【技术保护点】
1.一种真空镀膜设备多路入气多级整流工艺,其特征在于,其包括以下步骤:/nS1:将镀膜区域水平划分为N×S个镀膜子区域;其中,N≥2,S≥2且S、N皆为正整数;/nS2:将整流板分割为与所述镀膜子区域形状大小一一对应的独立气流控制区域;/n为每一个所述独立气流控制区域设置一个分离气口,通过区域独立气流管道将工艺气体经所述分离气口导入到所述镀膜子区域;每个所述区域独立气流管道设置独立气流控制器;/nS3:分别设置每一个所述独立气流控制器的气流通入参数;/nS4:自上而下设置M个整流板;其中,M≥1,且M为正整数;/nS5:将基材通过输送装置运输到所述整流板下方的镀膜工艺区;/ ...
【技术特征摘要】
1.一种真空镀膜设备多路入气多级整流工艺,其特征在于,其包括以下步骤:
S1:将镀膜区域水平划分为N×S个镀膜子区域;其中,N≥2,S≥2且S、N皆为正整数;
S2:将整流板分割为与所述镀膜子区域形状大小一一对应的独立气流控制区域;
为每一个所述独立气流控制区域设置一个分离气口,通过区域独立气流管道将工艺气体经所述分离气口导入到所述镀膜子区域;每个所述区域独立气流管道设置独立气流控制器;
S3:分别设置每一个所述独立气流控制器的气流通入参数;
S4:自上而下设置M个整流板;其中,M≥1,且M为正整数;
S5:将基材通过输送装置运输到所述整流板下方的镀膜工艺区;
S6:所述独立气流控制器根据预先设置的所述气流通入参数,将工艺气体分布经所述区域独立气流管道、所述分离气口导入设置了M个所述整流板的多级整流区域;
S7:工艺气体经M个所述整流板进行多级整流后,均匀分流到所述镀膜工艺区,与所述基材发生工艺反应。
2.根据权利要求1所述一种真空镀膜设备多路入气多级整流工艺,其特征在于:所述镀膜子区域、所述独立气流控制区域的形状包括:矩形、圆型、椭圆形、三角形、平行四边形。
3.根据权利要求1所述一种真空镀膜设备多路入气多级整流工艺,其特征在于:步骤S1中,将镀膜区域...
【专利技术属性】
技术研发人员:叶飞,刘晓萌,
申请(专利权)人:无锡爱尔华光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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