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一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置及其工艺制造方法及图纸

技术编号:26473476 阅读:41 留言:0更新日期:2020-11-25 19:14
本发明专利技术公开了一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置,包括壳体,所述壳体上开设有反应室,所述反应室内固定设置有固定块,所述固定块呈L型设置,所述固定块的横板紧贴反应室的一侧侧壁设置,且所述固定块的纵板上设有与之对应的固定机构,所述固定块的横板内设有液体腔,所述壳体的两侧侧壁上对称固定设置有两个输液口,两个所述输液口均贯穿壳体和固定块的侧壁与液体腔连通设置,所述固定块的侧壁上还固定设置有抽真空机,所述抽真空机的输出端固定设置有两根抽气管。本发明专利技术能够在反应过程中自动的循环进行抽真空和通入气体交替操作,保证了反应的真空环境的同时稳定反应时的气压,提高了半导体制备的成品率。

【技术实现步骤摘要】
一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置及其工艺
本专利技术涉及半导体制备
,尤其涉及一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置及其工艺。
技术介绍
在真空状态下制备半导体材料需要将不同反应气体分别送入反应室,在送入反应室之前不同反应气体必须分层隔离且需要冷却,在将不同气体送入反应室后,又要求反应气体在衬底表面充分均匀混合,因而一般都采用喷雾器装置进行送气。但是,在现有技术中,在对半导体材料的制备过程中,常常由于持续的通入气体导致反应室内气压过高,但在对反应室降压的过程中常常会破坏反应室内的真空环境,大大降低了半导体制备的成品率,为此,我们提出了一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置来解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,如:传统半导体制备过程中常常会由于持续通入气体导致压强较大,在降压的过程中难以保证反应的真空环境,而提出的一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置及其工艺。为了实现上述目的,本专利技术采用了如下技术方案:一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置,包本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置,包括壳体(1),其特征在于,所述壳体(1)上开设有反应室(2),所述反应室(2)内固定设置有固定块(3),所述固定块(3)呈L型设置,所述固定块(3)的横板紧贴反应室(2)的一侧侧壁设置,且所述固定块(3)的纵板上设有与之对应的固定机构,所述固定块(3)的横板内设有液体腔(9),所述壳体(1)的两侧侧壁上对称固定设置有两个输液口(5),两个所述输液口(5)均贯穿壳体(1)和固定块(3)的侧壁与液体腔(9)连通设置,所述固定块(3)的侧壁上还固定设置有抽真空机(6),所述抽真空机(6)的输出端固定设置有两根抽气管(7),两个所述抽气管(7)均贯穿固定块...

【技术特征摘要】
1.一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置,包括壳体(1),其特征在于,所述壳体(1)上开设有反应室(2),所述反应室(2)内固定设置有固定块(3),所述固定块(3)呈L型设置,所述固定块(3)的横板紧贴反应室(2)的一侧侧壁设置,且所述固定块(3)的纵板上设有与之对应的固定机构,所述固定块(3)的横板内设有液体腔(9),所述壳体(1)的两侧侧壁上对称固定设置有两个输液口(5),两个所述输液口(5)均贯穿壳体(1)和固定块(3)的侧壁与液体腔(9)连通设置,所述固定块(3)的侧壁上还固定设置有抽真空机(6),所述抽真空机(6)的输出端固定设置有两根抽气管(7),两个所述抽气管(7)均贯穿固定块(3)的横板和液体腔(9)设置,所述固定块(3)的横板上还固定设置有两根进气管(8),两根所述进气管(8)均贯穿固定块(3)的横板和液体腔(9)设置,所述固定块(3)的纵板上设有与进气管(8)和抽气管(7)对应的开关控制机构,所述反应室(2)的下壁上还设置有衬底(11),所述衬底(11)固定设置在的固定块(3)横板的下侧,且所述衬底(11)的侧壁均与固定块(3)的纵板侧壁和反应室(2)的侧壁紧贴设置。


2.根据权利要求1所述的一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置,其特征在于,所述固定机构包括两块卡板(14),所述固定块(3)的纵板下壁上固定设置有插板(4),所述反应室(2)的下壁上开设有与插板(4)对应的插槽(13),所述插槽(13)的侧壁上对称开设有两个伸缩槽(15),两个所述卡板(14)分别滑动设置在两个伸缩槽(15)内,且两个所述卡板(14)均通过伸缩弹簧(16)与伸缩槽(15)的内壁相连接,所述插板(4)靠近卡板(14)的两侧侧壁上均开设有与卡板(14)对应的卡槽(17),两个所述卡板(14)上还均固定设置有拨杆(12).两个所述拨杆(12)均滑动贯穿壳体(1)的侧壁设置,所述壳体(1)的侧壁上对称开设有两个与拨杆(12)对应的条形滑口。


3.根据权利要求1所述的一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置,其特征在于,所述开关控制机构包括滑板(10),所述滑板(10)滑动设置在固定块(3)的纵板上,且所述滑板(10)的侧壁均紧贴反应室(2)的侧壁设置,两个所述进气管(8)和两个抽气管(7)均滑动贯穿滑板(10)设置,两个所述进气管(8)和两个抽气管(7)内均滑动设置有两块挡板(20),若干所述挡板(20)两两一组分别滑动设置在进气管(8)的下侧和抽气管(7)的上侧,两个所述进气管(8)和两个抽气管(7)的内壁上均对称开设有两个与挡板(20)对应的收纳槽(23),每个所述挡板(20)分别滑动设置在收纳槽(23)内,且每个所述挡板(20)均通过第二弹簧(24)与收纳槽(23)的内壁相连接,每个所述挡板(20)靠近第二弹簧(24)的一侧侧壁上均固定设置有拉绳(25),若干所述拉绳(25)均滑动贯穿抽气管(7)和进气管(8)的侧壁设置,两个所述进气管(8)和两个抽气管(7)的侧壁上均对称滑动设置有滑块(26),每个所述拉绳(25)远离挡板(20)的一端均固定设置在滑块(26)上,每个所述进气管(8)和抽气管(7)内均设有与挡板(20)对应的限制机构。


4.根据权利要求3所述的一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置,其特征在于,...

【专利技术属性】
技术研发人员:王丽
申请(专利权)人:王丽
类型:发明
国别省市:江苏;32

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