半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置。具有配置在半导体集成电路内的相互不同的第1对象位置及第2对象位置的第1温度检测元件及第2温度检测元件(D1、D2)，使用第1温度检测元件及第2温度检测元件生成与第1对象位置的温度和第2对象位置的温度的温度差对应的温度差保护信号S

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
在包含形成线性调节器或开关调节器的电源IC的各种IC中，多内置有温度保护电路，目的在于保护自身免受自发热及外部气体造成的热的影响。温度保护电路有时也被称为热保护电路、热关断电路等。这种温度保护电路一般在IC内的对象位置的温度为预定的保护温度以上时使IC的动作停止。上述温度保护电路为有益的电路，但是在IC(半导体装置)内发生热的不均衡时，热保护有可能不充分。专利文献1：日本特开2016-126650号公报
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供有助于提高热保护功能的半导体装置。本专利技术的半导体装置构成为，在包含半导体集成电路的半导体装置中，具备：温度差保护信号输出电路，其具有配置在所述半导体集成电路内的相互不同的第1对象位置及第2对象位置的第1温度检测元件及第2温度检测元件，使用所述第1温度检测元件及第2温度检测元件输出与所述第1对象位置的温度和所述第2对象位置的温度的温度差对应的温度差保护信号；作为发热源的对象元件；以及控制电路，其基于所述温度差保护信号控制所述对象元件，所述第1温度检测元件与所述对象元件的距离比所述第2温度检测元件与所述对象元件的距离短(第1结构)。在上述第1结构的半导体装置中，也可以构成为，具备从外部装置接收输入电压的输入端子以及输出端子，将所述对象元件作为介于所述输入端子与所述输出端子之间的元件，设置在所述半导体集成电路内，基于所述输入电压的电流流过经由所述输入端子、所述对象元件及所述输出端子的对象电路，由此，所述对象元件发热，所述控制电路基于所述温度差保护信号控制所述对象元件，由此进行所述对象电路的形成或切断(第2结构)。在上述第2结构的半导体装置中，也可以构成为，所述对象元件为晶体管，所述控制电路基于所述温度差保护信号控制所述晶体管的状态，由此进行所述对象电路的形成或切断(第3结构)。在上述第2或第3结构的半导体装置中，也可以构成为，具备温度保护电路，所述温度保护电路具有所述温度差保护信号输出电路、输出与所述半导体集成电路内的第1特定位置的温度对应的第1温度保护信号的第1温度保护信号输出电路以及输出与所述半导体集成电路内的第2特定位置的温度对应的第2温度保护信号的第2温度保护信号输出电路，所述控制电路基于所述温度差保护信号、所述第1温度保护信号及所述第2温度保护信号进行所述对象电路的形成或切断(第4结构)。在上述第4结构的半导体装置中，也可以构成为，在所述第1对象位置的温度比所述第2对象位置的温度高出预定的差分保护温度以上时，所述温度差保护信号输出电路将所述温度差保护信号设为有效状态，在所述第1特定位置的温度为预定的第1保护温度以上时，所述第1温度保护信号输出电路将所述第1温度保护信号设为有效状态，在所述第2特定位置的温度为比所述第1保护温度高的预定的第2保护温度以上时，所述第2温度保护信号输出电路将所述第2温度保护信号设为有效状态，在所述温度差保护信号及所述第1温度保护信号均为有效状态时或者在所述第2温度保护信号为有效状态时，所述控制电路切断所述对象电路(第5结构)。在上述第2或第3结构的半导体装置中，也可以构成为，具备温度保护电路，所述温度保护电路具有所述温度差保护信号输出电路以及输出与所述半导体集成电路内的特定位置的温度对应的温度保护信号的温度保护信号输出电路，所述控制电路基于所述温度差保护信号及所述温度保护信号进行所述对象电路的形成或切断(第6结构)。在上述第6结构的半导体装置中，也可以构成为，在所述第1对象位置的温度比所述第2对象位置的温度高出预定的差分保护温度以上时，所述温度差保护信号输出电路将所述温度差保护信号设为有效状态，在所述特定位置的温度为预定的保护温度以上时，所述温度保护信号输出电路将所述温度保护信号设为有效状态，在所述温度差保护信号及所述温度保护信号中的至少一方为有效状态时，所述控制电路切断所述对象电路(第7结构)。在上述第2或第3结构的半导体装置中，也可以构成为，在所述第1对象位置的温度比所述第2对象位置的温度高出预定的差分保护温度以上时，所述温度差保护信号输出电路将所述温度差保护信号设为有效状态，在所述温度差保护信号为有效状态时，所述控制电路切断所述对象电路(第8结构)。在上述第1～第8结构的任一个的半导体装置中，也可以构成为，具备：形成有所述半导体集成电路的半导体芯片；收纳所述半导体芯片的壳体；以及安装于所述壳体的多个外部端子，所述多个外部端子中包含所述输入端子及所述输出端子，在所述半导体芯片中的预定的对象区域形成所述对象元件，在所述半导体芯片上设置有多个金属焊盘，各金属焊盘经由金属引线与对应的外部端子连接，所述第1温度检测元件与所述对象区域的距离比所述第2温度检测元件与所述对象区域的距离短，所述第2温度检测元件与所述多个金属焊盘的距离中的最小距离比所述第1温度检测元件与所述多个金属焊盘的距离中的最小距离短(第9结构)。在上述第9结构的半导体装置中，也可以构成为，沿着所述半导体芯片中的预定的边配置所述多个金属焊盘中所含的第1～第k金属焊盘，k为2以上的整数，所述第1～第k金属焊盘与所述对象区域的距离中，所述第k金属焊盘与所述对象区域的距离最长，所述第1～第k金属焊盘与所述第2温度检测元件的距离中，所述第k金属焊盘与所述第2温度检测元件的距离最短(第10结构)。在上述第1～第10结构的任一个的半导体装置中，也可以构成为，所述第1温度检测元件为电气特性根据所述第1对象位置的温度而变化的元件，所述第2温度检测元件为电气特性根据所述第2对象位置的温度而变化的元件，所述温度差保护信号输出电路利用与所述第1对象位置的温度对应的所述第1温度检测元件的电气特性的变化以及与所述第2对象位置的温度对应的所述第2温度检测元件的电气特性的变化来生成与所述温度差对应的所述温度差保护信号(第11结构)。根据本专利技术，能够提供有助于提高热保护功能的半导体装置。附图说明图1是本专利技术的第1实施方式的半导体装置的外观立体图。图2是本专利技术的第1实施方式的电源IC的概略结构图。图3是表示本专利技术的第1实施方式的形成于电源IC的半导体芯片的多个区域的图。图4是属于本专利技术的第1实施方式的实施例EX1_1的温度差检测电路的电路图。图5是属于本专利技术的第1实施方式的实施例EX1_2的温度检测电路的电路图。图6是属于本专利技术的第1实施方式的实施例EX1_3的温度保护电路的结构图。图7是属于本专利技术的第1实施方式的实施例EX1_4的温度保护电路的结构图。图8是属于本专利技术的第1实施方式的实施例EX1_5的温度保护电路的结构图。图9是属于本专利技术的第1实施方式的实施例EX1_6的温度差检测电路的电路图。图10是属于本专利技术的第1实施方式的实施例EX1_7的半导体芯片的概略布局图。图11是本专利技术的第2实施方式的车辆的概略结构图。具体实施方式以下，参照附图具体说本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其包含半导体集成电路，其特征在于，具备：/n温度差保护信号输出电路，其具有配置在所述半导体集成电路内的相互不同的第1对象位置及第2对象位置的第1温度检测元件及第2温度检测元件，使用所述第1温度检测元件及第2温度检测元件输出与所述第1对象位置的温度和所述第2对象位置的温度的温度差对应的温度差保护信号；/n作为发热源的对象元件；以及/n控制电路，其基于所述温度差保护信号控制所述对象元件，/n所述第1温度检测元件与所述对象元件的距离比所述第2温度检测元件与所述对象元件的距离短。/n

【技术特征摘要】
20190529 JP 2019-1000291.一种半导体装置，其包含半导体集成电路，其特征在于，具备：
温度差保护信号输出电路，其具有配置在所述半导体集成电路内的相互不同的第1对象位置及第2对象位置的第1温度检测元件及第2温度检测元件，使用所述第1温度检测元件及第2温度检测元件输出与所述第1对象位置的温度和所述第2对象位置的温度的温度差对应的温度差保护信号；
作为发热源的对象元件；以及
控制电路，其基于所述温度差保护信号控制所述对象元件，
所述第1温度检测元件与所述对象元件的距离比所述第2温度检测元件与所述对象元件的距离短。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体装置具备：
从外部装置接收输入电压的输入端子；以及
输出端子，
将所述对象元件作为介于所述输入端子与所述输出端子之间的元件，设置在所述半导体集成电路内，
基于所述输入电压的电流流过经由所述输入端子、所述对象元件及所述输出端子的对象电路，由此，所述对象元件发热，
所述控制电路基于所述温度差保护信号控制所述对象元件，由此进行所述对象电路的形成或切断。


3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
所述对象元件为晶体管，
所述控制电路基于所述温度差保护信号控制所述晶体管的状态，由此进行所述对象电路的形成或切断。


4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体装置具备：温度保护电路，其具有所述温度差保护信号输出电路、输出与所述半导体集成电路内的第1特定位置的温度对应的第1温度保护信号的第1温度保护信号输出电路以及输出与所述半导体集成电路内的第2特定位置的温度对应的第2温度保护信号的第2温度保护信号输出电路，
所述控制电路基于所述温度差保护信号、所述第1温度保护信号及所述第2温度保护信号进行所述对象电路的形成或切断。


5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
在所述第1对象位置的温度比所述第2对象位置的温度高出预定的差分保护温度以上时，所述温度差保护信号输出电路将所述温度差保护信号设为有效状态，
在所述第1特定位置的温度为预定的第1保护温度以上时，所述第1温度保护信号输出电路将所述第1温度保护信号设为有效状态，
在所述第2特定位置的温度为比所述第1保护温度高的预定的第2保护温度以上时，所述第2温度保护信号输出电路将所述第2温度保护信号设为有效状态，
在所述温度差保护信号及所述第1温度保护信号均为有效状态时或者在所述第2温度保护信号为有效状态时，所述控制电路切断所述对象电路。


6.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体装置具备...

【专利技术属性】
技术研发人员：猪上浩树，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP