一种化合物及其应用、包含其的有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术涉及一种新型有机化合物，具有如下式(1)的结构：

【技术实现步骤摘要】
一种化合物及其应用、包含其的有机电致发光器件
本专利技术涉及一类新型的三芳胺化合物及应用、包含其的有机电致发光器件。该类化合物可以作为空穴传输层材料应用在有机电致发光器件中，包括空穴注入、空穴传输、电子阻挡层。使用该类新型三芳胺类化合物的器件，对驱动电压、发光效率及器件寿命均有明显的提升。
技术介绍
OLED(organiclight-emittingdiode)是指有机功能材料在电场作用下，受到电流电压的激发而产生发光的现象，是一种直接将电能转化成光能的过程。1979年，“OLED之父”邓青云博士在实验室偶然发现了有机薄膜器件的电致发光特性；1987年邓青云博士等人制作出采用TPD作为空穴传输材料，Alq3为发光材料的双层结构的OLED器件，该器件在10V下可实现1000nit的亮度，寿命大于100小时，使得OLED技术的实用化成为可能。OLED器件是一种全固态自发光型器件，具有响应速度快，视角宽，工作温区范围广的特点。而有机发光材料可依据使用的要求进行结构设计和改进，理论上可以实现全色彩的输出。OLED显示技术相对于其它的显示技术来说，其结构更加简单，可以实现超薄的大面积平板显示。具有轻便、可挠曲、可折叠特性的OLED显示屏，让人们对其在实际生活中的应用充满了无穷的想象。现如今，OLED器件结构通常是在阴极和阳极之间按一定的排列顺序加入不同的功能材料组合而成，这些材料按其功能大体上可分为发光材料、空穴注入材料、空穴传输材料、电子传输材料等。器件的核心部分是能够让来自阳极的带正电荷载流子和来自阴极的带负电荷载流子复合产生激子的发光层。为了有效缓解发光材料中激子的聚集，避免浓度淬灭，提高发光效率，发光层一般采用主客体掺杂体系，主体产生的激子向掺杂剂传输，从而发出高效率的光。在电激发的过程中，根据量子自旋统计理论，这些产生的激子有四分之一处于单重激发态，四分之三处于三重激发态。从单重激发态退激发回到基态的发光现象称为荧光；从三重激发态退激发返回基态的发光现象称为磷光。在一般的有机发光材料中，三重态激子不能被用来辐射发光，因为三重态激子向基态的辐射跃迁为自旋禁阻。因此荧光材料内量子效率的理论值不超过25％，较低的效率严重制约着OLED的发展。但科学工作者的研究发现，含有过渡金属如Ir3+、Pt2+、Ru2+、Os2+的配合物材料，通过重金属原子的自旋轨道耦合作用可使OLED器件获得100％的内量子效率。磷光材料的出现，提升了OLED实用化的进程。就目前来看，OLED显示技术仍然存在驱动电压高、显示寿命短的问题，严重影响该技术的进一步实用。因此，需要持续努力地开发具有低电压驱动、高亮度及长寿命的有机发光器件。如上所述，空穴传输层在OLED器件充当的非常重要的作用。具有优秀空穴迁移率的空穴传输材料有利于正电荷载流子迅速传递到发光层，通过调配合理的势垒能级，实现载流子的注入平衡，从而实现降低器件驱动电压。另一方面，为了使发光层中生成的激子完全被发光材料俘获产生发光，避免激子向传输层传递，最终导致在空穴传输层与发光层界面上发光，出现偏色及发光效率降低的问题，这就要求空穴传输材料还需要有阻挡激子向空穴传输层扩散的能力，防止效率滚降并提升器件的稳定性。
技术实现思路
为了解决如上述问题，本专利技术目的在于提供具有优秀的空穴迁移率及同时具有电子阻挡能力的新颖化合物。在用作空穴传输层时，可以提高空穴的传输速度，从而有利于载流子的注入平衡；在作为电子阻挡层时，可阻挡激子向空穴传输层的传递，抑制出现效率的滚降现象，可实现低电压、长寿命的稳定的有机发光器件。本专利技术提出一类新型通式化合物，可由下面的化学式(1)来表示：其中：R和R’相同或不同,分别独立的选自C1～C20的烷基、烯基、炔基、C1～C20的烷氧基、取代或者未取代的C6～C18芳基、取代或者未取代的C4～C18杂芳基中的一种，R与R’可以连接成环；L1～L5分别独立地选自单键、取代或未取代的C6-C30的亚芳基、取代或未取代的C3～C30亚杂芳基中的一种；R1选自C1～C12烷基、C3～C12环烷基、C1～C12烷氧基、取代或未取代的C6～C30芳基胺基、取代或未取代的C3～C30杂芳基胺基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种；P选自1～4的整数；Ar1～Ar4分别独立地选自取代或未取代的C6～C30的芳基或者取代或未取代的C4～C30杂芳基；当上述基团存在取代基时，所述取代基选自氢、氘、卤素、、C1-C10的烷基或环烷基、C2-C10烯基、C1-C6的烷氧基或硫代烷氧基基团、C6-C30的单环芳烃或稠环芳烃基团、C3-C30的单环杂芳烃或稠环杂芳烃基团中的一种或者至少两种的组合。进一步的，本专利技术上述的式(1)由下式(1-1)或式(1-2)来表示：其中：R、R’、L1～L5、R1、p以及Ar1～Ar4的定义均与在通式(1)中的定义相同。进一步的，本专利技术上述的式(1)由下式(2-1)或式(2-2)表示：其中：R、R’、L1～L5、R1、P以及Ar1～Ar4的定义均与在通式(1)中的定义相同。再进一步的，本专利技术优选为如式(2-2)所示：其中：R、R’、L1～L5、R1、P以及Ar1～Ar4的定义均与在通式(1)中的定义相同。更进一步的，本专利技术优选为如式(3)所示：式(3)中，R、R’、L1～L5以及Ar1～Ar4的定义均与在通式(1)中的定义相同；R1选自C1～C12烷基、C3～C12环烷基、C1～C12烷氧基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种，或者R1选自如上式Y所述的取代基团；式Y中，L6～L8分别独立选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C3～C30亚杂芳基中的一种；Ar5～Ar6分别独立选自取代或者未取代的C6～C30的芳基、取代或者未取代的C4～C30杂芳基中的一种；当上述基团存在取代基时，所述取代基选自氢、氘、卤素、、C1-C10的烷基或环烷基、C2-C10烯基、C1-C6的烷氧基或硫代烷氧基基团、C6-C30的单环芳烃或稠环芳烃基团、C3-C30的单环杂芳烃或稠环杂芳烃基团中的一种或者至少两种的组合。进一步的，式(3)和式Y中：L1～L4和L6～L7优选为单键；L5优选为单键，或优选为取代或未取代的下述基团：亚苯基、亚联苯基、亚萘基、亚菲基中的一种；L8优选为单键，或优选为取代或未取代的下述基团：亚苯基、亚联苯基、亚萘基、亚菲基中的一种。再进一步的，式(3)和式Y中：Ar1～Ar6分别独立选自取代或者未取代的C6～C30的芳基，或选自取代或者未取代的C4～C30供电子杂芳基；更再进一步的，式(3)和式Y中：Ar1～Ar6分别独立选自取代或者未取代的下述基团：苯基、联苯基、萘基、菲基、芴、二苯并呋喃、二苯并噻吩中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种通式化合物，如下式(1)所示：/n

【技术特征摘要】
1.一种通式化合物，如下式(1)所示：



其中：
A和B其一如式Y1所示，另一如式Y2所示；
R和R’分别独立地选自C1～C20的烷基、烯基、炔基、C1～C20的烷氧基、取代或者未取代的C6～C18芳基、取代或者未取代的C4～C18杂芳基中的一种，R与R’可以连接成环；
L1～L5分别独立地选自单键、取代或未取代的C6-C30的亚芳基、取代或未取代的C3～C30亚杂芳基中的一种；
R1选自C1～C12烷基、C3～C12环烷基、C1～C12烷氧基、取代或未取代的C6～C30芳基胺基、取代或未取代的C3～C30杂芳基胺基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种；
p选自1～4的整数；
Ar1～Ar4分别独立地选自取代或未取代的C6～C30的芳基或者取代或未取代的C4～C30杂芳基；
当上述基团存在取代基时，所述取代基选自氢、氘、卤素、、C1-C10的烷基或环烷基、C2-C10烯基、C1-C6的烷氧基或硫代烷氧基基团、C6-C30的单环芳烃或稠环芳烃基团、C3-C30的单环杂芳烃或稠环杂芳烃基团中的一种或者至少两种的组合。


2.根据权利要求1所述的通式化合物，如下式(1-1)或式(1-2)所示：



其中：R、R’、L1～L5、R1、p以及Ar1～Ar4的定义均与在通式(1)中的定义相同。


3.根据权利要求1或2所述的通式化合物，如下式(2-1)或式(2-2)所示：



其中：R、R’、L1～L5、R1、p以及Ar1～Ar4的定义均与在通式(1)中的定义相同。


4.根据权利要求1所述的通式化合物，如下式(3)所示：



式(3)中，R、R’、L1～L5以及Ar1～Ar4的定义均与在通式(1)中的定义相同；
R1选自C1～C12烷基、C3～C12环烷基、C1～C12烷氧基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种，或者R1选自如上式Y所述的取代基团；
式Y中，L6～L8分别独立选自单键...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志鹏，张维宏，黄金华，曾礼昌，
申请(专利权)人：北京鼎材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11