含氮化合物、电子元件和电子装置制造方法及图纸

本申请属于有机材料技术领域，提供了一种含氮化合物、电子元件和电子装置。该含氮化合物的结构如化学式1所示，其中，Ar

【技术实现步骤摘要】
含氮化合物、电子元件和电子装置
本申请涉及有机材料
，尤其涉及一种含氮化合物、电子元件和电子装置。
技术介绍
随着电子技术的发展和材料科学的进步，用于实现电致发光或者光电转化的电子元件的应用范围越来越广泛。该类电子元件，例如有机电致发光器件或者光电转化器件，通常包括相对设置的阴极和阳极，以及设置于阴极和阳极之间的功能层。该功能层由多层有机或者无机膜层组成，且一般包括能量转化层、位于能量转化层与阳极之间的空穴传输层、位于能量转化层与阴极之间的电子传输层。举例而言，当电子元件为有机电致发光器件时，其一般包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、作为能量转化层的有机发光层、电子传输层和阴极。当阴阳两极施加电压时，两电极产生电场，在电场的作用下，阴极侧的电子向有机发光层移动，阳极侧的空穴也向有机发光层移动，电子和空穴在有机发光层结合形成激子，激子处于激发态向外释放能量，进而使得有机发光层对外发光。现有技术中，专利文献CN110467536A也公开了一些新的电致发光材料。然而，依然有必要继续研发新型的材料，以进一步提高电子元件的性能。
技术介绍
部分描述的上述信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种含氮化合物、电子元件和电子装置，该含氮化合物能提高电子元件的性能。为实现上述专利技术目的，本申请采用如下技术方案：根据本申请的第一方面，提供一种含氮化合物，所述含氮化合物的结构如化学式1所示：其中，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4彼此相同或不同，各自独立地选自：取代或未取代的碳原子数为6～30的芳基、取代或未取代的碳原子数为3～30的杂芳基；Ar1、Ar2、Ar3、Ar4上的取代基彼此相同或不同，且各自独立地选自：氘、卤素基团、氰基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～18的杂芳基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为1～10的烷硫基；R1和R2彼此相同或不同，各自独立地选自：氘、卤素基团、氰基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～18的杂芳基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为1～10的烷硫基；n1表示R1的个数，且n1选自0、1、2、3或4；且当n1大于1时，任意两个R1相同或者不相同；n2表示R2的个数，且n2选自0、1或2；且当n2为2时，两个R2相同或者不相同。根据本申请的第二方面，提供一种电子元件，该电子元件包括相对设置的阳极和阴极，以及设于所述阳极和所述阴极之间的功能层；所述功能层包含上述的含氮化合物。根据本申请的第三个方面，提供一种电子装置，该电子装置包括上述的电子元件。本申请提供的含氮化合物中，将两个三芳基胺基团通过由金刚烷螺合的芴基类连接，且三芳基胺位于芴基的同一侧的环上，分子不对称性增加；该种组合方式使材料在保持高的空穴迁移率的同时，具有极佳的抑制材料结晶的性能，将该类材料用于有机电致发光器件的空穴传输层时，能够形成均一稳定的膜状态，有利于空穴的注入从而降低器件电压，并使器件具有长的寿命。附图说明通过参照附图详细描述其示例实施方式，本申请的上述和其它特征及优点将变得更加明显。图1是本申请化合物1的核磁氢谱图。图2是本申请化合物2的核磁氢谱图。图3是本申请一种实施方式的有机电致发光器件的结构示意图。图4是本申请一种实施方式的电子装置的结构示意图。图5是本申请一种实施方式的光电转化器件的结构示意图。图6是本申请另一种实施方式的电子装置的结构示意图。附图标记说明：100、阳极；200、阴极；300、功能层；310、空穴注入层；320：空穴传输层；321、第一空穴传输层；322、第二空穴传输层；330、有机发光层；340、电子传输层；350、电子注入层；360、光电转化层；400、第一电子装置；500、第二电子装置。具体实施方式现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本申请将更加全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。在图中，为了清晰，可能夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。第一方面，本申请提供一种含氮化合物，其结构如化学式1所示：其中，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4彼此相同或不同，各自独立地选自：取代或未取代的碳原子数为6～30的芳基、取代或未取代的碳原子数为3～30的杂芳基；Ar1、Ar2、Ar3、Ar4上的取代基彼此相同或不同，且各自独立地选自：氘、卤素基团、氰基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～18的杂芳基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为1～10的烷硫基；R1和R2彼此相同或不同，各自独立地选自：氘、卤素基团、氰基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～18的杂芳基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为1～10的烷硫基；n1表示R1的个数，且n1选自0、1、2、3或4；且当n1大于1时，任意两个R1相同或者不相同；n2表示R2的个数，且n2选自0、1或2；且当n2为2时，两个R2相同或者不相同。本申请提供的含氮化合物中，将两个三芳基胺基团通过由金刚烷螺合的芴基类连接，且三芳基胺位于芴基的同一侧的环上，分子不对称性增加；该种组合方式使材料在保持高的空穴迁移率的同时，具有极佳的抑制材料结晶的性能，将该类材料用于有机电致发光器件的空穴传输层时，能够形成均一稳定的膜状态，有利于空穴的注入从而降低器件电压，并使器件具有长的寿命。在本申请中，芳基指的是衍生自芳香碳环的任选官能团或取代基。芳基可以是单环芳基或多环芳基，换言之，芳基可以是单环芳基、稠环芳基、通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个单环芳基、通过碳碳键共轭连接的单环芳基和稠环芳基、通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个稠环芳基。即，通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个芳香基团也可以视为本申请的芳基。其中，芳基中不含有B、N、O、S、P和Si等杂原子。举例而言，在本申请中，联苯基、三联苯基等为芳基。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含氮化合物，其特征在于，所述含氮化合物的结构如化学式1所示：/n

【技术特征摘要】
20200217 CN 20201012193461.一种含氮化合物，其特征在于，所述含氮化合物的结构如化学式1所示：



其中，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4彼此相同或不同，各自独立地选自：取代或未取代的碳原子数为6～30的芳基、取代或未取代的碳原子数为3～30的杂芳基；
Ar1、Ar2、Ar3、Ar4上的取代基彼此相同或不同，且各自独立地选自：氘、卤素基团、氰基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～18的杂芳基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为1～10的烷硫基；
R1和R2彼此相同或不同，各自独立地选自：氘、卤素基团、氰基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～18的杂芳基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为1～10的烷硫基；
n1表示R1的个数，且n1选自0、1、2、3或4；且当n1大于1时，任意两个R1相同或者不相同；
n2表示R2的个数，且n2选自0、1或2；且当n2为2时，两个R2相同或者不相同。


2.根据权利要求1所述的含氮化合物，其特征在于，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4各自独立地选自：取代或未取代的碳原子数为6～25的芳基、取代或未取代的碳原子数为3～20的杂芳基。


3.根据权利要求1所述的含氮化合物，其特征在于，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4各自独立地选自化学式i-1至化学式i-15所示的基团所组成的组：






其中，M1选自单键或者
G1～G5各自独立地选自N或者C(F1)，且G1～G5中至少一个选自N；当G1～G5中的两个以上选自C(F1)时，任意两个F1相同或者不相同；
G6～G13各自独立地选自N或者C(F2)，且G6～G13中至少一个选自N；当G6～G13中的两个以上选自C(F2)时，任意两个F2相同或者不相同；
G14～G23各自独立地选自N或者C(F3)，且G14～G23中至少一个选自N；当G14～G23中的两个以上选自C(F3)时，任意两个F3相同或者不相同；
G24～G33各自独立地选自N或者C(F4)，且G24～G33中至少一个选自N；当G24～G33中的两个以上选自C(F4)时，任意两个F4相同或者不相同；
H1选自氢、氘、氟、氯、溴、氰基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为1～10的烷硫基；
H2～H9、H21各自独立地选自：氢、氘、氟、氯、溴、氰基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为1～10的烷硫基、碳原子数为3～18的杂芳基；
H10～H20、F1～F4各自独立地选自：氢、氘、氟、氯、溴、氰基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为1～10的烷硫基、碳原子数为6～18的芳基、碳原子数为3～18的杂芳基；
h1～h21以hk表示，H1～H21以Hk表示，k为变量，表示1～21的任意整数，hk表示取代基Hk的个数；其中，当k选自5或者17时，hk选自1、2或者3；当k选自2、7、8、12、15、1...

【专利技术属性】
技术研发人员：边春阳，马天天，曹佳梅，
申请(专利权)人：陕西莱特光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61