一种硅兼容双极性异质结紫外-近红外双波段光电探测器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种硅兼容双极性异质结紫外‑近红外双波段光电探测器及其制备方法，该探测器的结构为：在单晶硅衬底的上、下表面皆设置有SiO

【技术实现步骤摘要】
一种硅兼容双极性异质结紫外-近红外双波段光电探测器及其制备方法
本专利技术涉及一种硅兼容双极性异质结紫外-近红外双波段光电探测器及其制备方法，属于半导体光电器件

技术介绍
光电探测器是将难以衡量和处理的光信号转换为易于量化和处理的电信号的仪器，是光电子器件的重要研究内容之一，在军事和国民生活中扮演着重要的角色。随着光电探测器的不断发展，各种不同类型的光电探测器被研制出来，譬如应用于军事上导弹制导的红外光电探测器、在食品医疗器械上有着广泛应用的紫外光电探测器。紫外-近红外双波段光电探测器在生物医学器械、成像系统等方面有着重要的作用，因而受到了广泛的研究。当前的双波段光电探测是在宽光谱光电探测器的基础上引入滤光片，将其它波段的光过滤从而实现紫外-近红外双波段探测器的功能。这种滤光片引入的方法不仅增加了研究的难度，还增加了器件的成本和体积，造成器件难以大规模的集成。随着研究的不断深入，近些年来关于无滤光片的双波段光电探测器有了相关的报道。例如利用InSe肖特基二极管和金等离子体纳米颗粒实现了紫外-可见光双波段探测[M.J.Dai；H本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅兼容双极性异质结紫外-近红外双波段光电探测器，其特征在于：所述紫外-近红外双波段光电探测器是以单晶硅衬底(5)作为基底，在所述单晶硅衬底(5)的上、下表面皆设置有SiO

【技术特征摘要】
1.一种硅兼容双极性异质结紫外-近红外双波段光电探测器，其特征在于：所述紫外-近红外双波段光电探测器是以单晶硅衬底(5)作为基底，在所述单晶硅衬底(5)的上、下表面皆设置有SiO2绝缘层(4)；在各层SiO2绝缘层(4)的中心、沿SiO2绝缘层的厚度方向皆形成有一盲孔，所述盲孔的深度与所述SiO2绝缘层的厚度相等；在单晶硅衬底上表面的盲孔内沉积有二维2H-MoSe2材料(1)、下表面的盲孔内沉积有二维1T-WS2材料(2)，且所述二维2H-MoSe2材料(1)与所述二维1T-WS2材料(2)的厚度与盲孔深度相等；
所述二维2H-MoSe2材料(1)与所述二维1T-WS2材料(2)分别位于单晶硅衬底(5)的上、下表面，形成2H-MoSe2/Si/1T-WS2双极性异质结；
在位于单晶硅衬底上表面的二维2H-MoSe2材料(1)上设置有顶电极(3)，在位于单晶硅衬底下表面的二维1T-WS2材料(2)下设置有底电极(6)，所述顶电极(3)及所述底电极(6)分别与相应的二维2H-MoSe2材料(1)和二维1T-WS2材料(2)形成欧姆接触。


2.根据权利要求1所述的硅兼容双极性异质结紫外-近红外双波段光电探测器，其特征在于：所述单晶硅衬底(5)的厚度为100μm-500μm。


3.根据权利要求1所述的硅兼容双极性异质结紫外-近红外双波段光电探测器，其特征在于：所述SiO2绝缘层(4)的厚度为50-200nm。


4.根据权利要求1所述的硅兼容双极性异质...

【专利技术属性】
技术研发人员：于永强，徐艳，宋龙梅，夏宇，许高斌，马渊明，陈兴，
申请(专利权)人：合肥工业大学，
类型：发明
国别省市：安徽;34