检测薄膜磁头的方法和制造薄膜磁头的方法技术

在检测薄膜磁头的方法中，准备设置了具有自由层的磁阻膜和铁磁层的薄膜磁头，该自由层的磁化方向根据外部磁场而改变，该铁磁层将一个偏置磁场加载到自由层。然后，沿着加载偏置磁场的方向将一个ＤＣ磁场加载到铁磁层。随后，沿着加载偏置磁场的方向将一个ＡＣ磁场加载到铁磁层。其后，通过将一个外部磁场加载到磁阻膜同时将一个电流加载于其上来检测薄膜磁头的诸如非对称和复制输出的特征。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种检测薄膜磁头的方法和一种制造薄膜磁头的方法。
技术介绍
通常，安装在硬盘驱动器等内的薄膜磁头包括一个磁阻膜和一对硬偏置层(铁磁层)，磁阻膜具有一个自由层，自由层的磁化方向基于外部磁场而改变，硬偏置层把一个偏置磁场加到自由层上，从而获得一个磁化方向的单个畴(例如日本已公开的专利申请HEI10-242544)。在来自硬盘(记录介质)等的外部磁场的影响下，自由层的磁化方向改变了，因此，记录在硬盘等上的信息根据相应于磁化方向的欧姆值被复制。在这样一个薄膜磁头内，随着硬盘的记录密度变高，记录信号的写宽度和复制信号的读宽度以加速的方式变窄。所以，难于制造由各种薄膜工艺加工的薄膜磁头，并由此有时产生带有差的特征的缺陷产品。通常，由以下的方式来检测一个薄膜磁头的特征。首先，切割形成有许多薄膜磁头的晶片，从而形成一个条带，在此条带内，磁头按行排列。随后，将薄膜磁头重叠放置在面向硬盘的方向，从而得到一个所期望的MR高度。然后，将在此状态的条带放置到一个检测装置上。检测装置包括一个固定条带的台、一个恒流源，一个诸如Helmholtz线圈的磁场发生器等，该恒流源将读出电流加载到每一个薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种检测薄膜磁头的方法，该方法包括步骤：准备一个包括具有自由层的磁阻膜和铁磁层的薄膜磁头，该自由层的磁化方向根据外部磁场而改变，该铁磁层用于将偏置磁场加载到自由层；　沿着加载偏置磁场的方向将一个ＤＣ磁场加载到铁磁层； 此后，沿着加载偏置磁场的方向将一个ＡＣ磁场加载到铁磁层；及通过将一个外部磁场加载到磁阻膜，同时向其提供一个电流来检测薄膜磁头的特征。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：松隈裕树，小桥宗顺，
申请(专利权)人：TDK株式会社，新科实业有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]