用于确定角度或位置的磁阻传感器制造技术

本发明专利技术涉及利用ＡＭＲ或ＧＭＲ效应的磁阻传感器，在角度测量期间指示出可转动的永磁体的均匀磁场方向，或者在位置测量期间指示出传感器相对于以不同方向被周期性磁化的测量棒的位置，其中角度值或位置值可以借助于反正切内插法由两个桥或半桥的输出信号的商获得。当输出信号含有较少的谐波分量和磁滞区域时可以所述磁阻传感器的减小误差。该目的由根据本发明专利技术的装置通过如下方式来实现：磁阻由多个磁阻带构成，并且在作用于磁阻带上的每个均匀磁场中，确定磁阻的角度沿着磁阻带的纵向延伸方向连续变化。确定磁阻的角度在ＡＭＲ传感器中位于电流方向和磁化方向之间，而在ＧＭＲ传感器中位于两个层单元的磁化方向之间。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于确定角度的磁阻传感器，它具有一个相对于传感器可转动的磁铁；或者一种用于确定位置的磁阻传感器，其中传感器正对着一个磁标尺(magnetic scale)，并且具有周期性的磁象(magnetic pattern)。这种角度和位置测量装置被大量应用在例如机器制造、汽车工业或者精密仪器中。用于确定角度或者位置的磁阻传感器是已知的。关于类似的借助于各向异性磁阻效应(AMR)、巨磁阻效应(GMR)和磁阻层间隧道效应(TMR)来确定角度和位置的现有技术的综述在文献WO02/06845A1中给出。在AMR效应下，层带的磁阻是由电流方向和磁化方向之间的夹角α来确定的。它可以通过如下的关系来确定R(α)＝R0+(ΔR/2)·(1-cos(2α))。由此可以看出，当角度α变化180°后磁阻改变已经经过了一个完整的周期。磁化的方向与安装在附近的一个可转动的永磁体作用在层带上的磁场方向相匹配，这样在永磁体转动一周的同时可以获得两个完整的磁阻变化周期。这可以在电流流经层带时作为电压变化被测量出来。在GMR效应和TMR效应下，层带的磁阻或隧道过渡区的磁阻与磁阻材料的两个层或层单元的磁化本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于确定传感器方向与相对于该传感器可转动的磁场（Ｈ↓［ｈ］）之间的夹角、或者用于确定传感器与一个相对于该传感器可在移动方向上移动的周期性磁场（Ｈ↓［ｈ］）之间的相对位置的磁阻传感器，包括至少两个半桥或者全桥，它们提供相移的周期性信号并且它们的磁阻通过磁阻材料构成的磁阻带形成，它们可以利用各向异性磁阻（ＡＭＲ）效应，其中磁阻值通过电流方向（Ｉ）和磁化方向（Ｍ）之间的确定磁阻的夹角（α）来确定；或者也可以利用巨磁阻（ＧＭＲ）效应，其中磁阻值通过磁阻材料的不同单元的磁化（Ｍ↓［１］；Ｍ↓［２］）之间的确定磁阻的夹角（β）来确定，其特征在于，在作用于各个磁阻带（１；１２）的任意磁场（Ｈ↓［ｈ］）中，确...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿克塞尔巴托斯，阿明麦森博格，弗里茨德特曼，
申请(专利权)人：HL平面技术有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]