硅基板的分析方法技术

本发明专利技术提供一种硅基板的分析方法，可以ICP‑MS高精度地分析成膜有膜厚较厚的氮化膜的硅基板中的微量金属等杂质。本发明专利技术的分析方法使用硅基板用分析装置，该硅基板用分析装置具备：分析扫描端口、分析液采取机构及进行感应偶合等离子体分析的分析机构；前述分析扫描端口具有：载入端口、基板搬送机器人、对准器、干燥室、气相分解腔室、分析台及基板分析用喷嘴，其中，将成膜有氮化膜的硅基板通过基板分析用喷嘴以氢氟酸与过氧化氢水的混合液的回收液扫掠硅基板表面并回收，之后将回收液吐出至硅基板表面并加热干燥，吐出强酸溶液或强碱溶液并加热干燥，以分析液扫掠硅基板表面并回收，且将分析液以ICP‑MS进行分析。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】硅基板的分析方法
本专利技术涉及分析使用于制造半导体等的硅基板所含的微量金属等杂质的分析方法。尤其，本专利技术涉及一种硅基板的分析方法，该方法适合分析在分析对象的硅基板表面成膜有膜厚较厚的氮化膜的硅基板的情形。
技术介绍
用于制造半导体等的硅制晶片等的硅基板中，随着高集成化而要求能够检测出会影响装置特性的金属等杂质的分析装置。就即使硅基板的金属等杂质量极为微量也能够检测出的分析方法之一而言，已知有使用感应偶合等离子体质谱分析装置(ICP-MS)的方法。该分析方法中，为了将硅基板所含的金属等杂质取出成为能够导入至ICP-MS的形态，以气相分解法将硅基板蚀刻，并以分析液扫掠(sweeping)该蚀刻后的硅基板表面，据此使金属等杂质转移至分析液中，而将该分析液导入至ICP-MS并进行分析(例如专利文献1)。另外，专利文献2已揭示使用基板分析用喷嘴而使硅基板所含的杂质进入分析液并进行分析的方法。如此的分析方法中，已提出将成膜有膜厚较厚的氮化膜或硅的氧化膜等的硅基板进行分析的技术(例如专利文献3)。该专利文献3的分析方法中，将分析对象的硅基板进行本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅基板的分析方法，使用硅基板用分析装置，所述硅基板用分析装置具备：分析扫描端口、分析液采取机构、喷雾器及分析机构；所述分析扫描端口具有：载入端口、基板搬送机器人、调整硅基板位置的对准器、加热干燥硅基板的干燥室、通过蚀刻气体来蚀刻硅基板用的气相分解腔室、载置硅基板的分析台、及基板分析用喷嘴，所述载入端口设置有收纳匣，所述收纳匣收纳有分析对象的硅基板，所述基板搬送机器人能够将收纳于载入端口的硅基板取出、搬送、设置，所述基板分析用喷嘴以分析液扫掠载置于分析台的硅基板表面，且回收已转移分析对象物的分析液；所述分析液采取机构具有分析容器，所述分析容器能够投入以基板分析用喷嘴回收的分析液；所述喷雾...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180413 JP 2018-0772921.一种硅基板的分析方法，使用硅基板用分析装置，所述硅基板用分析装置具备：分析扫描端口、分析液采取机构、喷雾器及分析机构；所述分析扫描端口具有：载入端口、基板搬送机器人、调整硅基板位置的对准器、加热干燥硅基板的干燥室、通过蚀刻气体来蚀刻硅基板用的气相分解腔室、载置硅基板的分析台、及基板分析用喷嘴，所述载入端口设置有收纳匣，所述收纳匣收纳有分析对象的硅基板，所述基板搬送机器人能够将收纳于载入端口的硅基板取出、搬送、设置，所述基板分析用喷嘴以分析液扫掠载置于分析台的硅基板表面，且回收已转移分析对象物的分析液；所述分析液采取机构具有分析容器，所述分析容器能够投入以基板分析用喷嘴回收的分析液；所述喷雾器吸取投入至分析容器的分析液；所述分析机构对由喷雾器供给的分析液进行感应偶合等离子体分析；
其中，在硅基板使氮化膜成膜，
以基板搬送机器人由载入端口取出所述硅基板，将所述硅基板搬送至气相分解腔室并设置，在气相分解腔室以蚀刻气体进行硅基板的气相分解处理；
将经气相分解处理的硅基板搬送至分析扫描端口的分析台并载置，通过基板分析用喷嘴以1％至10％质量浓度的氢氟酸与1％至30％质量浓度的过氧化氢的混合液的回收液来扫掠所述硅基板表面并回收，将所回收的回收液吐出至硅基板表面；
之后，将经吐出回收液的硅基板搬送至干燥室并设置，进行加热干燥；
将经加热干燥的硅基板搬送至分析扫描端口的分析台并载置，通过基板分析用喷嘴于所述硅基板表面吐出强酸溶液或强碱溶液；
将经吐出强酸溶液或强碱溶液的硅基板搬送至干燥室并设置，进行加热干燥；
将经加热干燥的硅基板搬送至分析扫描端口的分析台并载置，通过基板分析用喷嘴以分析液扫掠所述硅基板表面，对已转移分析对象物的分析液进行感应偶合等离子体分析。


2.一种硅基板的分析方法，使用硅基板用分析装置，所述硅基板用分析装置具备：分析扫描端口、分析液采取机构、喷雾器及分析机构；所述分析扫描端口具有：载入端口、基板搬送机器人、调整硅基板位置的对准器、加热干燥硅基板的干燥室、通过蚀刻气体来蚀刻硅基板用的气相分解腔室、载置硅基板的分析台、及基板分析用喷嘴，所述载入端口设置有收纳匣，所述收纳匣收纳有分析对象的硅基板，所述基板搬送机器人能够将收纳于载入端口的硅基板取出、搬送、设置，所述基板分析用喷嘴以分析液扫掠载置于分析台的硅基板表面，且回收已转移分析对象物的分析液；所述分析液采取机构具有分析容器，所述分析容器能够投入以基板分析用喷嘴回收的分析液；所述喷雾器吸取投入至分析容器的分析液；所述分析机构对由喷雾器供给的分析液进行感应偶合等离子体分析；
其中，在硅基板使氮化膜成膜，
以基板搬送机器人由载入端口取出所述硅基板，将所述硅基板搬送至气相分解腔室并设置，在气相分解腔室以蚀刻气体进行硅基板的气相分解处理；
将经气相分解处理的硅基板搬送至分析扫描端口的分析台并载置，通过基板分析用喷嘴以1％至10％质量浓度的氢...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴佳红，川端克彦，池内满政，李晟在，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，埃耶士株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP