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本发明提供一种硅基板的分析方法，可以ICP‑MS高精度地分析成膜有膜厚较厚的氮化膜的硅基板中的微量金属等杂质。本发明的分析方法使用硅基板用分析装置，该硅基板用分析装置具备：分析扫描端口、分析液采取机构及进行感应偶合等离子体分析的分析机构；前...
该专利属于铠侠股份有限公司;埃耶士株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过铠侠股份有限公司;埃耶士株式会社授权不得商用。

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