背照式图像传感器及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种背照式图像传感器及其制作方法。所述制作方法包括：提供半导体基底，在半导体基底上形成第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽的开口宽度大于所述第二沟槽；然后形成阻挡层且所述阻挡层覆盖半导体基底的表面；接着形成填充材料层，所述填充材料层填满第一沟槽和第二沟槽；以及执行平坦化工艺，去除填充材料层的部分厚度，且停止于阻挡层。所述制作方法中对填充材料层进行的平坦化处理时，可以停止在阻挡层，阻挡层下的半导体基底不受平坦化工艺影响，使得填充材料层可以被充分处理，从而得到的背照式图像传感器的厚度均匀性较好，有助于提高背照式图像传感器的性能。

【技术实现步骤摘要】
背照式图像传感器及其制作方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种背照式图像传感器及其制作方法。
技术介绍
图1为一种正照式图像传感器的结构示意图。图2为一种背照式图像传感器的结构示意图。对比图1和图2所示可知，入射光从背照式图像传感器(BSI)的没有布线层的背面传输到内部的受光面，避免了金属线路和晶体管对入射光的阻碍，因此，背照式图像传感器相比正照式图像传感器具有更高的宽容度，更快的数据吞吐率，以及更佳的低光照成像能力，从而背照式图像传感器得到了广泛应用。随着技术的发展，远红外成像的应用也越来越广泛，例如安保监控，虹膜扫描仪，飞行时间(ToF)传感器等。在背照式图像传感器的基础上，如何增加入射光的散射，增加入射光的入射距离，是远红外背照式图像传感器研究的方向。图3为一种背面添加了深沟槽隔离结构的背照式图像传感器的结构示意图。如图3所示，目前比较有效地方法是在背照式图像传感器的硅基底背面上增加深沟槽隔离结构10，可以大幅度的增加图像传感器的量子效率(QE)。图4为一种背面添加了深沟槽隔离结构和浅沟槽隔离结构的背照式图像传感器的结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背照式图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：/n提供半导体基底，所述半导体基底中形成有第一沟槽和第二沟槽，在垂直于所述半导体基底表面的平面上，所述第一沟槽的开口宽度大于所述第二沟槽；/n在所述半导体基底上形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述半导体基底的表面以及所述第一沟槽和所述第二沟槽的内表面；/n在所述半导体基底上形成填充材料层，所述填充材料层覆盖所述阻挡层，且所述填充材料层填满所述第一沟槽和所述第二沟槽；以及/n执行平坦化工艺，去除所述填充材料层的部分厚度，且停止于所述阻挡层，所述填充材料层的上表面与所述阻挡层的上表面齐平。/n

【技术特征摘要】
1.一种背照式图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底，所述半导体基底中形成有第一沟槽和第二沟槽，在垂直于所述半导体基底表面的平面上，所述第一沟槽的开口宽度大于所述第二沟槽；
在所述半导体基底上形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述半导体基底的表面以及所述第一沟槽和所述第二沟槽的内表面；
在所述半导体基底上形成填充材料层，所述填充材料层覆盖所述阻挡层，且所述填充材料层填满所述第一沟槽和所述第二沟槽；以及
执行平坦化工艺，去除所述填充材料层的部分厚度，且停止于所述阻挡层，所述填充材料层的上表面与所述阻挡层的上表面齐平。


2.如权利要求1所述的背照式图像传感器的制作方法，其特征在于，在所述半导体基底上形成所述填充材料层包括：
采用原子力沉积工艺在所述半导体基底上形成第一填充材料层，所述第一填充材料层覆盖所述阻挡层，且所述第一填充材料层填满所述第二沟槽，其中，在形成第一填充材料层后，所述第一沟槽内形成有第三沟槽，在垂直于所述半导体基底表面的平面上，所述第三沟槽的深度小于所述第一沟槽的深度；以及
采用化学气相沉积工艺在所述半导体基底上形成第二填充材料层，所述第二填充材料层覆盖所述第一填充材料层，且所述第二填充材料层填满所述第三沟槽。


3.如权利要求2所述的背照式图像传感器的制作方法，其特征在于，在执行所述平坦化工艺后，所述制作方法还包括：
在所述半导体基底上沉积形成氧化层，所述氧化层覆盖所述第一填充材料层、第二填充材料层以及所述阻挡层。


4.如权利要求1所述的背照式...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦佑华，陈昊瑜，王奇伟，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31