薄膜半导体结构、图像传感器及手持装置制造方法及图纸

本申请公开了一种薄膜半导体结构、图像传感器及手持装置，所述薄膜半导体结构包括一像素(P11)，包括：光电二极管(102)，用来在曝光操作时，将光线转换为电荷；第一薄膜晶体管(106)，闸极耦接至光电二极管的阴极；第二薄膜晶体管(108)，漏/源极耦接至第一薄膜晶体管的一源/漏极，第二薄膜晶体管至少于曝光操作时被开启，使电流得以经过第二薄膜晶体管供应电流给第一薄膜晶体管；以及电容(110)，一端耦接于第一薄膜晶体管的源/漏极和所述第二薄膜晶体管的漏/源极。

【技术实现步骤摘要】
薄膜半导体结构、图像传感器及手持装置
本申请涉及半导体结构，尤其涉及一种薄膜半导体结构及相关图像传感器及手持装置。
技术介绍
随著手持装置上的指纹辨识功能的普及，对于屏幕上能够执行指纹辨识的区域面积要求也越来越高，使用互补金属氧化物半导体结构实现的图像传感器，其成本远远高于使用薄膜半导体结构实现的图像传感器，但使用薄膜半导体结构实现的图像传感器有许多缺点需要克服，例如使用薄膜半导体结构实现的源跟随薄膜晶体管的操作速度远不及使用互补金属氧化物半导体结构实现的源跟随薄膜晶体管。因此，需要进一步改良及创新以克服上述问题。
技术实现思路
本申请的目的之一在于公开一种薄膜半导体结构及相关图像传感器及手持装置，来解决上述问题。本申请的一实施例公开了一种薄膜半导体结构，所述薄膜半导体结构包括：像素阵列，包括多个像素，其中所述多个像素中的每一像素会输出电荷以代表对应像素的感测结果，所述多个像素中的每一像素包括：光电二极管，用来在曝光操作时，将光线转换为电荷；第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的闸极耦接至所述光电二极管的阴极；第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜半导体结构，其特征在于，包括：/n像素阵列，包括多个像素，其中所述多个像素中的每一像素会输出电荷以代表对应像素的感测结果，所述多个像素中的每一像素包括：/n光电二极管，用来在曝光操作时，将光线转换为电荷；/n第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的闸极耦接至所述光电二极管的阴极；/n第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的漏/源极耦接至所述第一薄膜晶体管的源/漏极，所述第二薄膜晶体管至少于所述曝光操作时被开启，使电流得以经过所述第二薄膜晶体管供应给所述第一薄膜晶体管；以及/n电容，所述电容的一端耦接于所述第一薄膜晶体管的所述源/漏极和所述第二薄膜晶体管的漏/源极。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜半导体结构，其特征在于，包括：
像素阵列，包括多个像素，其中所述多个像素中的每一像素会输出电荷以代表对应像素的感测结果，所述多个像素中的每一像素包括：
光电二极管，用来在曝光操作时，将光线转换为电荷；
第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的闸极耦接至所述光电二极管的阴极；
第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的漏/源极耦接至所述第一薄膜晶体管的源/漏极，所述第二薄膜晶体管至少于所述曝光操作时被开启，使电流得以经过所述第二薄膜晶体管供应给所述第一薄膜晶体管；以及
电容，所述电容的一端耦接于所述第一薄膜晶体管的所述源/漏极和所述第二薄膜晶体管的漏/源极。


2.如权利要求1所述的薄膜半导体结构，其特征在于，另包括行选择薄膜晶体管，所述行选择薄膜晶体管的一源/漏极耦接至所述第一薄膜晶体管的所述源/漏极和所述电容的所述一端。


3.如权利要求2所述的薄膜半导体结构，其特征在于，所述行选择薄膜晶体管用来通过所述行选择薄膜晶体管的另一源/漏极，将所述电容中的所述电荷输出。


4.如权利要求3所述的薄膜半导体结构，其特征在于，另包括开关，所述开关的一端耦接于所述第一薄膜晶体管的所述源/漏极，所述开关的另一端耦接于所述行选择薄膜晶体管的所述源/漏极和所述电容的所述一端。


5.如权利要求3所述的薄膜半导体结构，其特征在于，另包括重置薄膜晶体管，所述重置薄膜晶体管的一源/漏极耦接至所述第一薄膜晶体管的所述闸极和所述光电二极管的阴极。


6.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨孟达，
申请(专利权)人：深圳市汇顶科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44