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本申请公开了一种薄膜半导体结构、图像传感器及手持装置,所述薄膜半导体结构包括一像素(P11),包括:光电二极管(102),用来在曝光操作时,将光线转换为电荷;第一薄膜晶体管(106),闸极耦接至光电二极管的阴极;第二薄膜晶体管(108),漏...该专利属于深圳市汇顶科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市汇顶科技股份有限公司授权不得商用。
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本申请公开了一种薄膜半导体结构、图像传感器及手持装置,所述薄膜半导体结构包括一像素(P11),包括:光电二极管(102),用来在曝光操作时,将光线转换为电荷;第一薄膜晶体管(106),闸极耦接至光电二极管的阴极;第二薄膜晶体管(108),漏...