摄像器件、堆叠式摄像器件和固态摄像装置制造方法及图纸

摄像器件，其设置有其中堆叠有第一电极(21)、光电转换层(23A)和第二电极(22)的光电转换单元。在所述第一电极(21)和所述光电转换层(23A)之间形成有由至少部分具有非晶结构的无机氧化物半导体材料制成的半导体材料层(23B)，其中具有与具有非晶结构的无机氧化物半导体材料相同的组成且具有晶体结构的无机氧化物半导体材料的形成能具有正值。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】摄像器件、堆叠式摄像器件和固态摄像装置
本公开涉及摄像器件、堆叠式摄像器件和固态摄像装置。
技术介绍
近年来，已将注意力集中在作为构成图像传感器等摄像器件的堆叠式摄像器件上。堆叠式摄像器件具有在两个电极之间插入光电转换层(光接收层)的结构。然后，堆叠式摄像器件需要用于存储和传输在光电转换层上基于光电转换产生的信号电荷的结构。常规结构需要用于将信号电荷存储和传输到浮动漏极(FD：floatingdrain)电极的机构，并且需要执行高速传输以免引起信号电荷延迟。例如，在日本专利申请公开号2016-63165中公开了用于解决这种问题的摄像器件(光电转换元件)。该摄像器件包括：形成在第一绝缘层上的存储电极；形成在存储电极上第二绝缘层；形成为覆盖存储电极和第二绝缘层的半导体层；收集电极，其形成为与半导体层接触并与存储电极分离；形成在半导体层上的光电转换层；以及形成在光电转换层上的上电极。将有机半导体材料用于其光电转换层的摄像器件可以光电转换特定的颜色(波长带)。在固态摄像装置中使用该摄像器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种摄像器件，其包括：/n光电转换单元，其中堆叠有第一电极、光电转换层和第二电极，/n其中，/n在所述第一电极和所述光电转换层之间形成有由至少部分具有非晶结构的无机氧化物半导体材料制成的半导体材料层，并且/n具有与具有非晶结构的所述无机氧化物半导体材料相同的组成且具有晶体结构的无机氧化物半导体材料的形成能具有正值。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180420 JP 2018-081250;20180831 JP 2018-1629731.一种摄像器件，其包括：
光电转换单元，其中堆叠有第一电极、光电转换层和第二电极，
其中，
在所述第一电极和所述光电转换层之间形成有由至少部分具有非晶结构的无机氧化物半导体材料制成的半导体材料层，并且
具有与具有非晶结构的所述无机氧化物半导体材料相同的组成且具有晶体结构的无机氧化物半导体材料的形成能具有正值。


2.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，所述形成能被定义为在当基于用于形成具有晶体结构的无机氧化物半导体材料的多种原始材料产生具有晶体结构的所述无机氧化物半导体材料时的反应能。


3.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，每种所述原始材料包含构成所述无机氧化物半导体材料的金属原子。


4.根据权利要求3所述的摄像器件，其中，形成所述无机氧化物半导体材料的金属元素具有封闭壳d轨道。


5.根据权利要求3所述的摄像器件，其中，每种所述原始材料由氧化物形成，所述氧化物由构成所述无机氧化物半导体材料的所述金属原子和氧原子形成。


6.根据权利要求3所述的摄像器件，其中，所述金属原子是选自铜、银、金、锌、镓、锗、铟、锡和铊的金属原子。


7.根据权利要求6所述的摄像器件，其中，所述金属原子是选自铜、银、锌、镓、锗和锡的金属原子。


8.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：中野博史，森胁俊贵，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP