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本发明提供一种背照式图像传感器及其制作方法。所述制作方法包括：提供半导体基底，在半导体基底上形成第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽的开口宽度大于所述第二沟槽；然后形成阻挡层且所述阻挡层覆盖半导体基底的表面；接着形成填充材料层，所述填充材料层填...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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