图像传感器器件及其形成方法技术

本发明专利技术描述了使用牺牲隔离区域和基于氧化硅的堆叠件而没有中间氮化物蚀刻停止层在图像传感器器件中形成焊盘结构。图像传感器器件包括：半导体层，该半导体层包括与第二横向表面相对的第一横向表面；金属化层，形成在半导体层的第二横向表面上，其中金属化层包括介电层。图像传感器器件还包括焊盘区域，从第一横向表面穿过半导体层到第二横向表面。焊盘区域包括形成在金属化层的介电层上的没有介于中间的氮化物层的氧化物层以及与金属化层的导电结构物理接触的焊盘结构。本发明专利技术的实施例还涉及图像传感器器件及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器器件及其形成方法
本专利技术的实施例涉及图像传感器器件及其形成方法。
技术介绍
半导体图像传感器用于感测入射的可见或不可见辐射，诸如可见光、红外光等。互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)和电荷耦合器件(CCD)传感器用于各种应用中，诸如数码相机、移动电话、平板电脑、护目镜等。这些图像传感器利用像素阵列，像素阵列吸收(例如，感测)入射的辐射并将其转换为电信号。图像传感器的一个示例是背侧照明(BSI)图像传感器器件，BSI图像传感器器件检测来自衬底的“背侧”的辐射。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种图像传感器器件，包括：半导体层，所述半导体层包括与第二横向表面相对的第一横向表面；金属化层，形成在所述半导体层的所述第二横向表面上，并且包括介电层；一个或多个辐射感测区域，形成在所述半导体层中；以及焊盘区域，从所述第一横向表面穿过所述半导体层到所述第二横向表面，其中，所述焊盘区域包括：氧化物层，形成在所述金属化层的所述介电层上并且没有介于中间的氮化物层；以及焊盘结构，穿过所述氧化物层和所述金属化层的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器器件，包括：/n半导体层，所述半导体层包括与第二横向表面相对的第一横向表面；/n金属化层，形成在所述半导体层的所述第二横向表面上，并且包括介电层；/n一个或多个辐射感测区域，形成在所述半导体层中；以及/n焊盘区域，从所述第一横向表面穿过所述半导体层到所述第二横向表面，其中，所述焊盘区域包括：/n氧化物层，形成在所述金属化层的所述介电层上并且没有介于中间的氮化物层；以及/n焊盘结构，穿过所述氧化物层和所述金属化层的所述介电层，并且与所述金属化层的导电结构物理接触。/n

【技术特征摘要】
20190524 US 16/422,2711.一种图像传感器器件，包括：
半导体层，所述半导体层包括与第二横向表面相对的第一横向表面；
金属化层，形成在所述半导体层的所述第二横向表面上，并且包括介电层；
一个或多个辐射感测区域，形成在所述半导体层中；以及
焊盘区域，从所述第一横向表面穿过所述半导体层到所述第二横向表面，其中，所述焊盘区域包括：
氧化物层，形成在所述金属化层的所述介电层上并且没有介于中间的氮化物层；以及
焊盘结构，穿过所述氧化物层和所述金属化层的所述介电层，并且与所述金属化层的导电结构物理接触。


2.根据权利要求1所述的图像传感器器件，其中，所述氧化物层具有在100nm和700nm之间的厚度，并且包括氧化硅、未掺杂的硅酸盐玻璃(USG)、磷硅酸盐玻璃(PSG)、硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)、氟掺杂的硅酸盐玻璃(FSG)或它们的组合。


3.根据权利要求1所述的图像传感器器件，其中，所述氧化物层包括聚乙基恶唑啉(PEOX)，并且具有在100nm和700nm之间的厚度。


4.根据权利要求1所述的图像传感器器件，其中，所述焊盘区域和所述一个或多个辐射感测区域设置在所述图像传感器器件的不同区域中。


5.根据权利要求1所述的图像传感器器件，其中，所述一个或多个辐射感测区域位于所述图像传感器器件的中心部分处，并且所述焊盘区域位于所述图像传感器器件的外周处。


6.根据权利要求1所述的图像传感器器件，还包括：
隔离区域，位于所述一个或多个辐射感测区域之间；
器件层，设置在所述金属化层与所述半导体层的所述第二横向表面之间；以及
专用集成电路(ASIC)，与所述金属化层电连接和机械连接，使得所述金属化层位于所述专用集成电路和所述器件层之间。


7.一种形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：董怀仁，苏庆忠，廖耕颍，陈柏仁，叶书佑，陈思颖，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71