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本发明描述了使用牺牲隔离区域和基于氧化硅的堆叠件而没有中间氮化物蚀刻停止层在图像传感器器件中形成焊盘结构。图像传感器器件包括：半导体层，该半导体层包括与第二横向表面相对的第一横向表面；金属化层，形成在半导体层的第二横向表面上，其中金属化层包...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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