放射线感测装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种放射线感测装置。放射线感测装置包括基板以及多个半导体元件。半导体元件设置于基板上且至少一个半导体元件包括第一闸极、主动层以及第二闸极。主动层设置在第一闸极上，而第二闸极设置在主动层上。在待机状态中，第二闸极具有正偏压。第二闸极可用以于待机状态中具有正偏压，藉此对半导体元件受放射线照射后所产生的电性影响进行改善。

【技术实现步骤摘要】
放射线感测装置
本专利技术涉及一种放射线感测装置，特别涉及一种具有半导体元件的放射线感测装置。
技术介绍
光感应技术随着科技发展已应用于许多电子产品以及检测设备中，而其中可侦测放射线(例如X射线)的光感应技术为相当受瞩目的应用之一。由于具有低辐射剂量、电子影像成像快速以及影像易于检视、重制、撷取、传送及分析等优点，数字式放射线感测装置已逐渐取代传统利用底片侦测放射线的方式，而成为目前数字医学影像发展的趋势。一般的数字式放射线感测装置是利用感光元件接收放射线能量并转换成电子信号，并利用半导体开关元件来控制信号的读取动作。然而，受到放射线照射时的能量或/及剂量的影响，半导体开关元件中的迭层(例如半导体通道层、闸极介电层或/及通道钝化层等)可能会因此产生变化，而影响半导体开关元件的电性表现，例如可能造成半导体开关元件的临界电压(thresholdvoltage，Vth)发生负偏移的现象进而导致放射线感测装置操作失效等问题。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一种放射线感测装置，利用第二闸极于待机状态中具有正偏压，藉此使半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种放射线感测装置，其特征在于，包括：/n一基板；以及/n多个半导体元件，设置于该基板上，该多个半导体元件中的至少一个包括：/n一第一闸极；/n一主动层，设置在该第一闸极上；以及/n一第二闸极，设置在该主动层上，其中，在待机状态中，该第二闸极具有正偏压。/n

【技术特征摘要】
1.一种放射线感测装置，其特征在于，包括：
一基板；以及
多个半导体元件，设置于该基板上，该多个半导体元件中的至少一个包括：
一第一闸极；
一主动层，设置在该第一闸极上；以及
一第二闸极，设置在该主动层上，其中，在待机状态中，该第二闸极具有正偏压。


2.如权利要求1所述的放射线感测装置，其特征在于，更包括至少一感光元件，设置于该基板上，该至少一感光元件包括一第一半导体层、一本质半导体层以及一第二半导体层，其中该本质半导体层夹置于该第一半导体层与该第二半导体层之间。


3.如权利要求2所述的放射线感测装置，其特征在于，该多个半导体元件中的该至少一个更包括一源极以及一汲极，该源极与该汲极中的一者与该第一半导体层电性连接，其中该第一半导体层为一P型半导体层，且该第二半导体层为一N型半导体层。


4.如权利要求2所述的放射线感测装置，其特征在于，该多个半导体元件中的该至少一个更包括一源极以及一汲极，该源极与该汲极中的一者与该第一半导体层电性连接，其中该第一半导体层为一N型半导体层，且该第二半...

【专利技术属性】
技术研发人员：王智弘，林信宏，吴智濠，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71