一种阵列基板、阵列基板制程方法及显示面板技术

本申请实施例提供一种阵列基板、阵列基板制程方法及显示面板，该阵列基板包括：基板、栅极、栅极绝缘层、种子层以及半导体层。所述基板包括相对设置的第一面和第二面。所述栅极部分覆盖所述第一面。所述栅极绝缘层设置在所述栅极远离所述第一面的一侧，且延伸至所述第一面。所述种子层设置在所述栅极绝缘层远离所述栅极的一侧。所述半导体层部分覆盖所述种子层远离所述栅极绝缘层的一侧，且所述半导体层远离所述种子层的一侧表面具有纳米晶粒生长形成的凹凸形结构。通过纳米晶粒生长形成的凹凸形结构，增强半导体层的吸光性，解决响应速度慢的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、阵列基板制程方法及显示面板
本申请涉及半导体
，具体涉及一种阵列基板、阵列基板制程方法及显示面板。
技术介绍
低成本和低功耗的光电探测器显示面板(photodetectors)对于智能穿戴产品在遥感、光度计、热成像、环境监控等方面的应用至关重要。光电探测器主要基于量子点，超晶格和异质结结构等被广泛使用，目前光电探测器低电荷传输迁移率成为发展的瓶颈。铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZOTFT)具有低的亚阈值摆幅(S.S.)，关态电流密度低，并且具有10–50cm2V-1s-1的高电子迁移率。将铟镓锌氧化物(indiumgalliumzincoxide,IGZO)与光敏感膜层结合后，在具有高迁移率的电子传输层的情况，可以更有效地将光转换为电流，因此异质结晶体管显示面板可以实现高效率和高响应率。相关技术中采用双层结构对传感器性能进行调节，下层调节阈值电压，上层吸收光。但相关技术中吸收光的效率较低。如何对双层结构进行改善，来提高半导体的吸收光的效率，从而提高光的敏感性是需要解决的问题。专利技术内容本申请实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n基板，所述基板包括相对设置的第一面和第二面；/n栅极，所述栅极部分覆盖所述第一面；/n栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述栅极远离所述第一面的一侧，且延伸至所述第一面；/n种子层，所述种子层设置在所述栅极绝缘层远离所述栅极的一侧；/n半导体层，所述半导体层部分覆盖所述种子层远离所述栅极绝缘层的一侧，且所述半导体层远离所述种子层的一侧表面具有纳米晶粒生长形成的凹凸形结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板，所述基板包括相对设置的第一面和第二面；
栅极，所述栅极部分覆盖所述第一面；
栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述栅极远离所述第一面的一侧，且延伸至所述第一面；
种子层，所述种子层设置在所述栅极绝缘层远离所述栅极的一侧；
半导体层，所述半导体层部分覆盖所述种子层远离所述栅极绝缘层的一侧，且所述半导体层远离所述种子层的一侧表面具有纳米晶粒生长形成的凹凸形结构。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层包括结晶层和导电层，所述结晶层部分覆盖所述种子层远离所述栅极绝缘层的一侧，且所述结晶层远离所述种子层的一侧表面具有纳米晶粒生长形成的凹凸形结构，所述导电层对应设置在所述结晶层远离所述种子层的一侧，且所述导电层具有凹凸形结构。


3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述结晶层的载流子浓度高于所述导电层的载流子浓度。


4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述结晶层的厚度为5nm至50nm。


5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述种子层采用的材料为金属氧化物、金属或合金中的任一种或多种组合，所述种子层的厚度为5nm。


6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：源极和漏极，所述源极和漏极设置在所述种子层未被所述半导体层覆盖的区域，且所述源极和漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：翟玉浩，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44