阵列基板及其制备方法技术

本申请提供一种阵列基板及其制备方法，所述阵列基板包括基板、第一薄膜晶体管、第一层间介质层、感光传感器以及第一金属层，所述第一薄膜晶体管设置于所述基板上，所述第一层间介质层覆盖所述第一薄膜晶体管以及所述基板，所述第一层间介质层包括第一通孔，所述第一通孔贯穿所述第一层间介质层以暴露所述第一薄膜晶体管层，所述感光传感器设置于所述第一层间介质层上，并位于所述第一薄膜晶体管之上，所述第一金属层设置于所述第一通孔，并电连接所述第一薄膜晶体管和所述感光传感器。通过将感光传感器设置于第一薄膜晶体管上，提高了阵列基板的开口率，并提高感光传感器的灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法
本申请涉及显示
，具体涉及一种有阵列基板及其制备方法。
技术介绍
目前光学指纹传感器具有稳定性好、成本低和抗静电能力强等的优点，被广泛应用于各类阵列基板中，但仍然存在阵列基板开口率较低以及之中的光学指纹传感器产生暗电流偏高和感光材料对可见光的吸收率低的问题，进而影响阵列基板的性能。
技术实现思路
本申请提供一种阵列基板及其制备方法，以解决现有技术中阵列基板开口率低的问题，进而阵列基板的性能。本申请提供一种阵列基板，包括：基板；第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管设置于所述基板上；第一层间介质层，所述第一层间介质层覆盖所述第一薄膜晶体管以及所述基板，所述第一层间介质层包括第一通孔，所述第一通孔贯穿所述第一层间介质层以暴露所述第一薄膜晶体管层；感光传感器，所述感光传感器设置于所述第一层间介质层上，并位于所述第一薄膜晶体管之上；以及第一金属层，所述第一金属层设置于所述第一通孔，并电连接所述第一薄膜晶体管和所述感光传感器。在本申请所提供的阵列基板中，所述感光传感器在所述基板上的投影落在所述第一薄膜晶体管在所述基板上的投影之内。在本申请所提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括平坦层，所述平坦层覆盖所述第一层间介质层、第一金属层以及所述感光传感器，所述平坦层包括第二通孔和第三通孔，所述第二通孔贯穿所述平坦层以暴露所述感光传感器，所述第三通孔贯穿所述平坦层以暴露所述第一金属层。在本申请所提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括第一存储电容，所述第一存储电容包括第二金属层和第三金属层，所述第二金属层设置于所述平坦层上，所述第三金属层设置于所述第三通孔中以电连接所述第一金属层，所述第二金属层与所述第三金属层相互绝缘。在本申请所提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管同层设置，所述第二薄膜晶体管用于驱动显示单元。在本申请所提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括第一钝化层，所述第一钝化层覆盖所述平坦层以及所述第一存储电容，所述第一钝化层包括第四通孔，所述第四通孔贯穿所述第一钝化层以暴露所述第二金属层。在本申请所提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括第二存储电容，所述平坦层还包括第五通孔，所述第五通孔贯穿所述平坦层以暴露所述第二薄膜晶体管，所述第二存储电容包括第一部分和第二部分，所述第一部分设置于所述第一钝化层上，所述第二部分设置于所述第五通孔以电连接所述第二薄膜晶体管，所述第一部分与所述第二部分相互绝缘。在本申请所提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括电极层，所述电极层设置于所述感光传感器上、所述第一钝化层上、所述第五通孔中以及所述第一存储电容上。本申请还提供一种阵列基板的制备方法，包括：提供一基板；在所述基板上设置第一薄膜晶体管；在所述基板以及所述第一薄膜晶体管上设置第一层间介质层，所述第一层间介质层包括第一通孔，所述第一通孔贯穿所述第一层间介质层以暴露所述第一薄膜晶体管；在所述第一层间介质层上设置感光传感器，并位于所述第一薄膜晶体管之上；以及在所述第一通孔中以及所述第一层间介质层上设置第一金属层，并电连接所述第一薄膜晶体管和所述感光传感器。在本申请所提供的阵列基板的制备方法中，所述在所述第一通孔中以及所述第一层间介质层上设置第一金属层，并电连接所述第一薄膜晶体管和所述感光传感器的步骤之后，还包括：在所述第一层间介质、所述感光传感器以及所述第一金属层上形成平坦层，所述平坦层包括第二通孔和第三通孔，所述第二通孔贯穿所述平坦层以暴露所述感光传感器，所述第三通孔贯穿所述平坦层以暴露所述第一金属层。本申请提供一种阵列基板及其制备方法，所述阵列基板包括基板、第一薄膜晶体管、第一层间介质层、感光传感器以及第一金属层，所述第一薄膜晶体管设置于所述基板上，所述第一层间介质层覆盖所述第一薄膜晶体管以及所述基板，所述第一层间介质层包括第一通孔，所述第一通孔贯穿所述第一层间介质层以暴露所述第一薄膜晶体管层，所述感光传感器设置于所述第一层间介质层上，并位于所述第一薄膜晶体管之上，所述第一金属层设置于所述第一通孔，并电连接所述第一薄膜晶体管和所述感光传感器。通过将感光传感器设置于第一薄膜晶体管上，提高了阵列基板的开口率，并提高感光传感器的灵敏度。附图说明为了更清楚地说明本申请中的技术方案，下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请提供的阵列基板的结构剖视图。图2为本申请所提供的感光传感器以及第一薄膜晶体管在基板上的投影图。图3为本申请所提供的阵列基板的制备方法流程图。图4-21为本申请提供的阵列基板的制备方法流程剖视图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。请参阅图1，图1为本申请提供的阵列基板的结构剖视图。本申请提供一种阵列基板10。所述阵列基板10包括基板100、第一薄膜晶体管200、第一层间介质层300、感光传感器400以及第一金属层500。所述基板100可以为玻璃基板和柔性基板等。在一实施例中，所述阵列基板10还包括遮光层600。所述遮光层600设置于所述基板100上。所述遮光层600的材料包括Mo、Cu、Al和Fe等。所述遮光层用于避免外界光线射入阵列基板中，从而避免阈值电压漂移。在一实施例中，所述阵列基板10还包括缓冲层700。所述缓冲层700覆盖所述基板100以及所述遮光层600。所述第一薄膜晶体管200设置于所述基板100上。所述第一薄膜晶体管200可以为指纹薄膜晶体管开关。具体的，所述第一薄膜晶体管200包括第一有源层210、第一栅极绝缘层220、第一栅极层230、第一源极240、第一漏极250以及第二层间介质层260。所述第一有源层210设置于所述缓冲层700上，并位于所述遮光层600之上。所述第一有源层210包括半导体部211、第一掺杂部212和第二掺杂部213。所述第一掺杂部212设置于所述半导体部211的两侧。所述第二掺杂部213设置于远离所述半导体部211的第一掺杂部212的两侧。所述第一掺杂部212以及所述第二掺杂部213均为N型掺杂。所述第二掺杂部213为N型掺杂，可以使得第一薄膜晶体管易于欧姆接触。所述第一掺杂部212的掺杂浓度大于所述第二掺杂部213的掺杂浓度。所述第一栅极绝缘层220覆盖所述缓冲层700以及所述第一有源层210。所述第一栅极层230设置于所述第一栅极绝缘层220上，并位于所述半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n基板；/n第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管设置于所述基板上；/n第一层间介质层，所述第一层间介质层覆盖所述第一薄膜晶体管以及所述基板，所述第一层间介质层包括第一通孔，所述第一通孔贯穿所述第一层间介质层以暴露所述第一薄膜晶体管层；/n感光传感器，所述感光传感器设置于所述第一层间介质层上，并位于所述第一薄膜晶体管之上；以及/n第一金属层，所述第一金属层设置于所述第一通孔，并电连接所述第一薄膜晶体管和所述感光传感器。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管设置于所述基板上；
第一层间介质层，所述第一层间介质层覆盖所述第一薄膜晶体管以及所述基板，所述第一层间介质层包括第一通孔，所述第一通孔贯穿所述第一层间介质层以暴露所述第一薄膜晶体管层；
感光传感器，所述感光传感器设置于所述第一层间介质层上，并位于所述第一薄膜晶体管之上；以及
第一金属层，所述第一金属层设置于所述第一通孔，并电连接所述第一薄膜晶体管和所述感光传感器。


2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述感光传感器在所述基板上的投影落在所述第一薄膜晶体管在所述基板上的投影之内。


3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括平坦层，所述平坦层覆盖所述第一层间介质层、第一金属层以及所述感光传感器，所述平坦层包括第二通孔和第三通孔，所述第二通孔贯穿所述平坦层以暴露所述感光传感器，所述第三通孔贯穿所述平坦层以暴露所述第一金属层。


4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第一存储电容，所述第一存储电容包括第二金属层和第三金属层，所述第二金属层设置于所述平坦层上，所述第三金属层设置于所述第三通孔中以电连接所述第一金属层，所述第二金属层与所述第三金属层相互绝缘。


5.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管同层设置，所述第二薄膜晶体管用于驱动显示单元。


6.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第一钝化层，所述第一钝化层覆盖所述平坦层以及所...

【专利技术属性】
技术研发人员：艾飞，宋继越，宋德伟，龚帆，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42