在玻璃基材上形成薄膜晶体管的方法以及由此形成的液晶显示器技术

薄膜晶体管(TFT)液晶显示器(LCD)包括在上方的液晶显示层与下方的玻璃基材之间划界的多个图像像素。每个图像像素包括设置在玻璃基材上方的专用顶栅TFT。每个顶栅薄膜晶体管包括设置在玻璃基材上方的工艺敏感性半导体层，以及设置在工艺敏感性半导体层上方的源电极和漏电极。工艺敏感性半导体层在源电极与漏电极之间形成工艺敏感性半导体有源层，并且在工艺敏感性半导体有源层的上方设置有源层保护膜。在源电极与漏电极之间的有源层保护膜上方设置有栅极电介质层，并且在栅极电介质层的上方设置有栅电极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在玻璃基材上形成薄膜晶体管的方法以及由此形成的液晶显示器相关申请的交叉引用本申请要求2018年3月27日提交的系列号为62/648,581的美国临时申请的优先权权益，本文以该申请的内容为基础并通过引用将其全文纳入本文，如同在下文完整阐述。背景
本说明书一般涉及形成薄膜晶体管的方法，更具体地，涉及形成具有在玻璃基材上的薄膜晶体管的液晶显示器的方法。
技术介绍
液晶显示器(LCD)一般是利用液晶的光调制性质来提供所需图像的平面显示器。典型的LCD应用包括电脑监测器、电视、仪器面板、室内和户外标示牌等。LCD包括多个彩色像素，并且每个彩色像素通常包括在一对电极与一对偏振滤波器之间的液晶层。所述一对偏振滤波器彼此垂直对齐并且传输通过其中一个偏振滤波器的光模式被液晶旋转，使得该光可通过另一个偏振滤波器。具体地，使用晶体管在所述一对电极上施加电压，并且所施加的电压使液晶旋转或不旋转，以使得通过其中一个偏振滤波器的光或者通过或者不通过另一个偏振滤波器。以这种方式，LCD的每个彩色像素可“打开”或“关闭”并具有期望的颜色，从而提本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管液晶显示器，其包括在上方的液晶显示层与下方的玻璃基材之间划界的多个图像像素，其中，每个图像像素包括设置在玻璃基材上方的专用顶栅薄膜晶体管，并且每个顶栅薄膜晶体管包括：/n设置在玻璃基材上方的工艺敏感性半导体层；/n设置在工艺敏感性半导体层上方的源电极和漏电极，其中，所述工艺敏感性半导体层在源电极与漏电极之间形成工艺敏感性半导体有源层；/n设置在工艺敏感性半导体有源层上方的有源层保护膜；/n设置在源电极与漏电极之间的有源层保护膜上方的栅极电介质层，其中，有源层保护膜被夹在工艺敏感性半导体有源层与栅极电介质层之间；以及/n设置在栅极电介质层上方的栅电极。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180327 US 62/648,5811.一种薄膜晶体管液晶显示器，其包括在上方的液晶显示层与下方的玻璃基材之间划界的多个图像像素，其中，每个图像像素包括设置在玻璃基材上方的专用顶栅薄膜晶体管，并且每个顶栅薄膜晶体管包括：
设置在玻璃基材上方的工艺敏感性半导体层；
设置在工艺敏感性半导体层上方的源电极和漏电极，其中，所述工艺敏感性半导体层在源电极与漏电极之间形成工艺敏感性半导体有源层；
设置在工艺敏感性半导体有源层上方的有源层保护膜；
设置在源电极与漏电极之间的有源层保护膜上方的栅极电介质层，其中，有源层保护膜被夹在工艺敏感性半导体有源层与栅极电介质层之间；以及
设置在栅极电介质层上方的栅电极。


2.如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器，其中，工艺敏感性半导体层由过渡金属二硫属化物(TMD)半导体材料和有机半导体材料中的至少一种形成。


3.如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器，其中，工艺敏感性半导体有源层是由选自MoS2、WS2和WSe2中的至少一种的过渡金属二硫属化物(TMD)半导体材料形成的2D半导体有源层。


4.如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器，其中，工艺敏感性半导体有源层由有机半导体材料形成，所述有机半导体材料包括苯基-C61-丁酸甲酯(PCBM)、并五苯、咔唑化合物、酞菁和e-聚(偏二氟乙烯-六氟丙烯)(e-PVDF-HFP)中的至少一种。


5.如权利要求1-4中任一项所述的薄膜晶体管液晶显示器，其中，有源层保护膜包括SiNx、SiO2、Al2O3、HfO2或其组合。


6.如权利要求1-4中任一项所述的薄膜晶体管液晶显示器，其中，有源层保护膜包括厚度在约5nm至约20nm之间的Al2O3膜。


7.如权利要求1-6中任一项所述的薄膜晶体管液晶显示器，其中，栅极电介质层包括SiNx、SiO2、Al2O3、HfO2、聚酰亚胺化合物和聚(并四噻吩-二酮基吡咯并吡咯)(PTDPPTFT4)中的至少一种。


8.如权利要求1-7中任一项所述的薄膜晶体管液晶显示器，其中，源电极和漏电极包括Ti、Cu、Al和Mo。


9.一种用于液晶显示器的面板，其包括：
玻璃基材和设置在玻璃基材上方的多个顶栅薄膜晶体管，其中，所述多个顶栅薄膜晶体管中的每一者包括：
设置在玻璃基材上方的工艺敏感性半导体层；
设置在工艺敏感性半导体层上方的源电极和漏电极，其中，所述工艺敏感性半导体层在源电极与漏电极之间形成工艺敏感性半导体有源层；
设置在工艺敏感性半导体有源层上方的有源层保护膜；
设置在源电极与漏电极之间的有源层保护膜上方的栅极电介质层，其中，有源层保护膜被夹在工艺敏感性半导体有源层与栅极电介质层之间；以及
设置在栅极电介质层上方的栅电极。


10.如权利要求9所述的面板，其中，工艺敏感性半导体有源层由过渡金属二硫属化物(TMD)半导体材料和有机半导体材料中的至少一种形成。


11.如权利要求9所述的面板，其中，工艺敏感性半导体有源层是由过渡金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：MH·黄，R·B·李，R·瓦迪，朱斌，
申请(专利权)人：康宁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US