阵列基板及其制备方法与显示面板技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制备方法与显示面板，所述阵列基板包括：基板；第一缓冲层，设于所述基板上，所述第一缓冲层中设有凹槽；遮光层，完全填充于所述凹槽中，且所述遮光层的上表面与所述第一缓冲层的上表面齐平；第二缓冲层，设于所述第一缓冲层与所述遮光层上；以及有源层，设于所述缓冲层上，所述有源层的材料为低温多晶硅。所述第二缓冲层具有平整的上表面，使得上层有源层在形成时，不会因下层膜层具有台阶，而导致台阶处所沉积的膜层较薄，具体地，当有源层的材料采用低温多晶硅时，可避免因台阶处较薄的膜层相较其他非台阶区域的膜层发生晶化异常，而影响阵列基板相关性能的问题。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法与显示面板
本申请涉及显示
，具体涉及一种阵列基板及其制备方法与显示面板。
技术介绍
有源矩阵式薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)液晶显示是指使用TFT作为像素开关的液晶显示技术。TFT是像素电路的核心器件，由有源层、栅极绝缘层、栅电极和源漏电极构成。基于矩阵显示逐行扫描的原理，当逐行扫描的栅极电压低于TFT的阈值电压时，TFT的导电沟道处于截断状态，此时像素电路处于关态；当逐行扫描的栅极电压高于TFT阈值电压时，TFT导电沟道处于导通状态，由源极接入的信息电压将加载到像素(漏极)电容和存储电容上，像素电路处于开态；扫描完成后像素行TFT全部关闭，已经写入的信息电压保持不变，直到下一帧扫描到时再重新写入信息。对于TFT器件，起到核心作用的是半导体有源层，目前主流的材料为非晶硅(AmphorousSilicon,a-Si)和多晶硅(PolycrystallineSilicon,p-Si)。其中，低温多晶硅薄膜晶体管(LowTemperaturePoly-SiThinFilmTransist本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：/n基板；/n第一缓冲层，设于所述基板上，所述第一缓冲层中设有凹槽；/n遮光层，完全填充于所述凹槽中，且所述遮光层的上表面与所述第一缓冲层的上表面齐平；/n第二缓冲层，设于所述第一缓冲层与所述遮光层上；以及/n有源层，设于所述缓冲层上，所述有源层的材料为低温多晶硅。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
基板；
第一缓冲层，设于所述基板上，所述第一缓冲层中设有凹槽；
遮光层，完全填充于所述凹槽中，且所述遮光层的上表面与所述第一缓冲层的上表面齐平；
第二缓冲层，设于所述第一缓冲层与所述遮光层上；以及
有源层，设于所述缓冲层上，所述有源层的材料为低温多晶硅。


2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述凹槽的贯穿地设于所述第一缓冲层中。


3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层在所述基板上的正投影与所述有源层在所述基板上的正投影部分重合。


4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述有源层上，还依次设有栅极绝缘层，栅极金属层，层间绝缘层，源漏极金属层以及钝化层。


5.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括下列步骤：
S10：提供一基板，在所述基板上形成第一缓冲层，所述第一缓冲层中形成有凹槽；
S20：在所述凹槽中形成遮光层，并使得所述遮光层的上表面与所述第一缓冲层的上表面齐平；
S30：在所述第一缓冲层与所述遮光层上形成第二缓冲层；以及
S40：在所述第二缓冲层上形成有源层，所述有源层...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂晓辉，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42