阵列基板及其制备方法与显示面板技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制备方法与显示面板，所述阵列基板包括：基板；第一缓冲层，设于所述基板上，所述第一缓冲层中设有凹槽；遮光层，完全填充于所述凹槽中，且所述遮光层的上表面与所述第一缓冲层的上表面齐平；第二缓冲层，设于所述第一缓冲层与所述遮光层上；以及有源层，设于所述缓冲层上，所述有源层的材料为低温多晶硅。所述第二缓冲层具有平整的上表面，使得上层有源层在形成时，不会因下层膜层具有台阶，而导致台阶处所沉积的膜层较薄，具体地，当有源层的材料采用低温多晶硅时，可避免因台阶处较薄的膜层相较其他非台阶区域的膜层发生晶化异常，而影响阵列基板相关性能的问题。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法与显示面板
本申请涉及显示
，具体涉及一种阵列基板及其制备方法与显示面板。
技术介绍
有源矩阵式薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)液晶显示是指使用TFT作为像素开关的液晶显示技术。TFT是像素电路的核心器件，由有源层、栅极绝缘层、栅电极和源漏电极构成。基于矩阵显示逐行扫描的原理，当逐行扫描的栅极电压低于TFT的阈值电压时，TFT的导电沟道处于截断状态，此时像素电路处于关态；当逐行扫描的栅极电压高于TFT阈值电压时，TFT导电沟道处于导通状态，由源极接入的信息电压将加载到像素(漏极)电容和存储电容上，像素电路处于开态；扫描完成后像素行TFT全部关闭，已经写入的信息电压保持不变，直到下一帧扫描到时再重新写入信息。对于TFT器件，起到核心作用的是半导体有源层，目前主流的材料为非晶硅(AmphorousSilicon,a-Si)和多晶硅(PolycrystallineSilicon,p-Si)。其中，低温多晶硅薄膜晶体管(LowTemperaturePoly-SiThinFilmTransistor，LTPS-TFT)具有制备温度低，载流子迁移率高，器件尺寸小等突出优点，是发展低功耗、高集成度显示面板的关键技术。其基本制备工艺为使用化学气相沉积生长a-Si薄膜，使用准分子激光退火(ExcimerLaserAnnealing,ELA)形成p-Si,最后通过曝光蚀刻工艺制作硅岛。在实际生产中，为避免LTPS-TFT漏电流较大引起的显示不良，通常在硅岛图案的底部设计金属遮光层(Lightshielding，LS)。由于金属遮光层的边缘存在台阶，a-Si在台阶处覆盖性较差，导致台阶处薄膜较其他位置偏薄，进行ELA制程时该处结晶异常，导致TFT器件性能偏移，稳定性差。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板及其制备方法与显示面板，可解决非晶硅薄膜因不平整造成结晶异常而影响薄膜晶体管性能的问题。为解决上述问题，第一方面，本专利技术提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：基板；第一缓冲层，设于所述基板上，所述第一缓冲层中设有凹槽；遮光层，完全填充于所述凹槽中，且所述遮光层的上表面与所述第一缓冲层的上表面齐平；第二缓冲层，设于所述第一缓冲层与所述遮光层上；以及有源层，设于所述缓冲层上，所述有源层的材料为低温多晶硅。进一步地，凹槽的贯穿地设于所述第一缓冲层中。进一步地，所述遮光层在所述基板上的正投影与所述有源层在所述基板上的正投影部分重合。进一步地，在所述有源层上，还依次设有栅极绝缘层，栅极金属层，层间绝缘层，源漏极金属层以及钝化层。另一方面，本专利技术还提供了一种阵列基板的制备方法，所述方法包括下列步骤：S10：提供一基板，在所述基板上形成第一缓冲层，所述第一缓冲层中形成有凹槽；S20：在所述凹槽中形成遮光层，并使得所述遮光层的上表面与所述第一缓冲层的上表面齐平；S30：在所述第一缓冲层与所述遮光层上形成第二缓冲层；以及S40：在所述第二缓冲层上形成有源层，所述有源层的材料为低温多晶硅。进一步地，在所述步骤S10中，所述凹槽的深度与所述遮光层的预设厚度相等，所述凹槽的宽度与所述遮光层在对应方向上的预设宽度相等。进一步地，所述步骤S20具体包括：S201：在所述第一缓冲层上形成整面的金属膜层；以及S202：通过曝光蚀刻工艺，去除所述凹槽以外区域对应的所述金属膜层，形成图案化的金属膜层，即为所述遮光层。进一步地，所述步骤S40具体包括：S401：在所述第二缓冲层上形成整面的非晶硅薄膜；S402：通过准分子激光退火工艺，所述整面的非晶硅薄膜熔融，冷却结晶，形成整面的多晶硅薄膜；以及S403：通过曝光蚀刻工艺，形成图案化的多晶硅薄膜，即为所述有源层。进一步地，所述步骤S401中的所述整面的非晶硅薄膜，与所述步骤S30中的所述第二缓冲层在同一工艺腔室中连续沉积形成。另一方面，本专利技术还提供了一种显示面板，包括前述的阵列基板。有益效果：本专利技术提供了一种阵列基板及其制备方法与显示面板，在所提供的阵列基板中，包括第一缓冲层以及遮光层，所述遮光层，完全填充于所述第一缓冲层的凹槽中，且所述遮光层的上表面与所述第一缓冲层的上表面齐平即提供了一个平整的上表面，使得缓冲层上的有源层在形成时，不会因下层膜层具有台阶，而导致台阶处所沉积的膜层较薄，具体地，当有源层的材料采用低温多晶硅时，可避免因台阶处较薄的膜层相较其他非台阶区域的膜层发生晶化异常，而影响阵列基板相关性能的问题。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术现有技术提供的一种阵列基板的截面结构示意图；图2是本专利技术现有技术提供的一种阵列基板的平面结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的截面结构示意图；图4是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制备方法的文字流程示意图；图5a-5d是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制备方法的结构流程示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本申请中，“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本申请中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本专利技术，给出了以下描述。在以下描述中，为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本专利技术。在其它实例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本专利技术的描述变得晦涩。因此，本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：/n基板；/n第一缓冲层，设于所述基板上，所述第一缓冲层中设有凹槽；/n遮光层，完全填充于所述凹槽中，且所述遮光层的上表面与所述第一缓冲层的上表面齐平；/n第二缓冲层，设于所述第一缓冲层与所述遮光层上；以及/n有源层，设于所述缓冲层上，所述有源层的材料为低温多晶硅。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
基板；
第一缓冲层，设于所述基板上，所述第一缓冲层中设有凹槽；
遮光层，完全填充于所述凹槽中，且所述遮光层的上表面与所述第一缓冲层的上表面齐平；
第二缓冲层，设于所述第一缓冲层与所述遮光层上；以及
有源层，设于所述缓冲层上，所述有源层的材料为低温多晶硅。


2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述凹槽的贯穿地设于所述第一缓冲层中。


3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层在所述基板上的正投影与所述有源层在所述基板上的正投影部分重合。


4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述有源层上，还依次设有栅极绝缘层，栅极金属层，层间绝缘层，源漏极金属层以及钝化层。


5.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括下列步骤：
S10：提供一基板，在所述基板上形成第一缓冲层，所述第一缓冲层中形成有凹槽；
S20：在所述凹槽中形成遮光层，并使得所述遮光层的上表面与所述第一缓冲层的上表面齐平；
S30：在所述第一缓冲层与所述遮光层上形成第二缓冲层；以及
S40：在所述第二缓冲层上形成有源层，所述有源层...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂晓辉，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42