一种基板、制备基板的方法和显示面板技术

本申请公开了一种基板、制备基板的方法和显示面板，基板包括衬底、主动开关、主动发光像素阵列和反射层，所述主动开关形成在所述衬底上；所述反射层形成于所述衬底上，位于所述主动开关的底部，相比所述主动开关远离所述基板的入光面；所述主动发光像素阵列与所述主动开关连接；所述主动开关包括多晶硅层；其中，所述反射层完全覆盖所述衬底，所述反射层表面光滑。激光被非晶硅层吸收，剩下的激光穿透非晶硅层，照射到反射层，再反射再次经过非晶硅层，非晶硅层吸收部分反射回来的激光，快速形成多晶硅层；所以可以调低镭射激光的能量达到原先不设置反射层的效果，增加镭射头等耗品替换的周期性，同时不会提高镭射结晶化的时间。

【技术实现步骤摘要】
一种基板、制备基板的方法和显示面板
本申请涉及显示
，尤其涉及一种基板、制备基板的方法和显示面板。
技术介绍
随着平板显示的发展，高分辨率、低能耗的面板需求不断被提出，非晶硅电子迁移率低，低温多晶硅因可在低温下制作，且拥有高的电子迁移率，因此被广泛研究用以达到面板高分辨率、低能耗的需求；镭射头发射高能量激光照射非晶硅层，会将非晶硅层转化成多晶硅层。镭射头容易因高能缘故耗损快,因此将镭射能量调低,有助于增加镭射装置耗品替换的周期性，但是降低镭射能量会提高镭射结晶化的时间。
技术实现思路
本申请的目的是提供一种有助于增加镭射装置耗品替换的周期性同时降低镭射结晶化时间的一种基板、制备基板的方法和显示面板。本申请公开了一种基板，所述基板包括衬底、主动开关、主动发光像素阵列和反射层，所述主动开关形成在所述衬底上；所述反射层形成于所述衬底上，位于所述主动开关的底部，相比所述主动开关远离所述基板的入光面；所述主动发光像素阵列与所述主动开关连接；所述主动开关包括多晶硅层；其中，所述反射层完全覆盖所述衬底，所述反射层表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板，其特征在于，包括：/n衬底；/n主动开关，形成在所述衬底上；所述主动开关包括多晶硅层；/n主动发光像素阵列，与所述主动开关连接；以及/n反射层，形成于所述衬底上，位于所述主动开关的底部，相比所述主动开关远离所述基板的入光面；/n其中，所述反射层完全覆盖所述衬底，所述反射层表面光滑。/n

【技术特征摘要】
1.一种基板，其特征在于，包括：
衬底；
主动开关，形成在所述衬底上；所述主动开关包括多晶硅层；
主动发光像素阵列，与所述主动开关连接；以及
反射层，形成于所述衬底上，位于所述主动开关的底部，相比所述主动开关远离所述基板的入光面；
其中，所述反射层完全覆盖所述衬底，所述反射层表面光滑。


2.如权利要求1所述的一种基板，其特征在于，所述主动开关包括第一缓冲层，所述第一缓冲层设置在所述衬底上，所述多晶硅层设置在所述第一缓冲层上。


3.如权利要求1所述的一种基板，其特征在于，所述反射层与所述主动开关分别位于所述衬底的两侧，所述衬底包括保护层，所述保护层设置在所述反射层上，所述保护层将所述反射层包覆。


4.如权利要求1所述的一种基板，其特征在于，所述反射层与所述主动开关都位于所述衬底的同一侧，所述主动开关包括第一缓冲层，所述第一缓冲层设置在所述反射层上，所述多晶硅层设置在所述第一缓冲层上。


5.如权利要求2所述的一种基板，其特征在于，所述主动开关包括导电层、第二缓冲层、第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层、第三金属层；
所述基板包括覆盖在所述第三金属层上的第三绝缘层、平坦层和透明导电薄膜，所述第二缓冲层、所述第一金属层、所述第一绝缘层、所...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹仁宏，唐崇伟，
申请(专利权)人：北海惠科光电技术有限公司，惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广西;45