一种阵列基板及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种阵列基板及其制造方法，通过减去栅极绝缘层的光罩、新增第一绝缘层的光刻、减去有机绝缘层及其光罩等过程，将8 Mask变为7 Mask，并进一步在像素区的半导体沟道覆盖第一透明电极层和/或在信号走线区的第二绝缘层上覆盖第二透明电极层，获得的阵列基板不仅解决了薄膜晶体管失效导致的像素黑点问题，缩减了成本，提升了产能，还进一步解决了显示区边缘像素发绿的不良问题。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制造方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法。
技术介绍
边缘场开关(FringeFieldSwitching，简称FFS)技术，是目前的一种液晶显示器技术，是液晶界为解决大尺寸、高清晰桌面显示器和液晶电视应用而开发的一种广视角技术。FFS液晶面板具有响应时间快、光透过率高和宽视角等优点，但是由于FFS液晶面板采用两层氧化铟锡(IndiumTinOxide，简称ITO)来制作，它本身的制作流程要比一般的液晶面板要多一到两道光罩(掩膜版)工艺。为了缩减成本，提升产能，增强氧化物薄膜晶体管竞争力，对减光罩(Mask)技术进行了开发研究，新型氧化物半导体技术采用背沟道刻蚀方法(BackChannelEtching，BCE)，与9道光罩工艺采用刻蚀阻挡层(EtchingStopLayer，ESL)相比，减少了1道光罩，为8Mask，然而8Mask工艺中一般先进行有源层OS(如IndiumGalliumZincOxide，简称IGZO)光刻工艺后，再进行栅极绝缘层GI的黄光工艺，而实验结果显示，有源层OS本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，所述阵列基板分为像素区和信号走线区，其特征在于，所述像素区包括薄膜晶体管、覆盖所述薄膜晶体管的第一绝缘层、第二绝缘层、位于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间的公共电极以及位于所述第二绝缘层上的像素电极；所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、半导体沟道以及分别位于半导体沟道两侧且均与有源层接触的源极和漏极，所述像素电极与所述漏极电性连接，所述公共电极覆盖所述半导体沟道。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，所述阵列基板分为像素区和信号走线区，其特征在于，所述像素区包括薄膜晶体管、覆盖所述薄膜晶体管的第一绝缘层、第二绝缘层、位于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间的公共电极以及位于所述第二绝缘层上的像素电极；所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、半导体沟道以及分别位于半导体沟道两侧且均与有源层接触的源极和漏极，所述像素电极与所述漏极电性连接，所述公共电极覆盖所述半导体沟道。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述信号走线区包括与所述栅极同时形成的栅极信号走线、与所述源极同时形成的源漏极信号走线以及连接所述栅极信号走线和源漏极信号走线的公共电极信号走线，所述公共电极信号走线与所述公共电极同时形成。


3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层覆盖所述信号走线区，所述信号走线区还包括在所述第一绝缘层上刻蚀并在所述栅极信号走线上形成的栅极信号走线接触孔和在所述源漏极信号走线上形成的源漏极信号走线接触孔，所述公共电极信号走线通过所述栅极信号走线接触孔和所述源漏极信号走线接触孔将所述栅极信号走线和源漏极信号走线电性连接。


4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的材料为IGZO。


5.根据权利要求1-4中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述信号走线区还包括与所述像素电极同时形成的像素电极信号电极，所述像素电极信号电极覆盖所述信号走线区。


6.根据权利要求1-4中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述信号走线区还包括与所述像素电极同时形成的像素电极信号电极，所述像素电极信号电极部分覆盖所述信号走线区。


7.根据权利要求6所述的阵列基板，...

【专利技术属性】
技术研发人员：简锦诚，郝光叶，郑帅，陈宜铭，许家诚，
申请(专利权)人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32