【技术实现步骤摘要】
一种应用于表面有台阶的晶圆的涂胶及光刻方法
本专利技术涉及光刻工艺
,具体涉及一种应用于表面有台阶的晶圆的涂胶及光刻方法。
技术介绍
光刻是集成电路制造中的一道关键工艺,它是利用光化学反应原理把事先制备在掩膜版上的图形转印到一个衬底上,使选择性刻蚀和离子注入成为可能。光刻是微纳器件制备过程中的一个至关重要的环节;不管是半导体器件、光电器件,还是微机电系统的制备都离不开光刻工艺。目前按照标准工艺光刻在衬底上进行光刻工艺时,如图1所示,由于衬底表面出现较大的台阶,涂胶之后会在台阶处容易产生气泡,由于气泡区域失去了支撑,在后续工艺中就会形成断裂,直接会形成坏斑,进而影响成像质量。
技术实现思路
为克服上述技术问题,本专利技术提出一种应用于表面有台阶的晶圆的涂胶及光刻方法,在去除气泡的同时不会对显影的效果造成影响。为了实现上述目的,本专利技术提供了一种应用于表面有台阶的晶圆的涂胶方法,包括以下步骤:在晶圆表面进行增粘处理;对增粘处理后的晶圆进行涂胶,以在所述晶圆的表面形成光刻 ...
【技术保护点】
1.一种应用于表面有台阶的晶圆的涂胶方法,其特征在于,包括以下步骤:/n在晶圆表面进行增粘处理;/n对增粘处理后的晶圆进行涂胶,以在所述晶圆的表面形成光刻胶层;/n对所述光刻胶层进行第一次烘烤;/n对第一次烘烤后的光刻胶层进行第二次烘烤,其中,所述第二次烘烤的温度小于所述第一次烘烤的温度。/n
【技术特征摘要】
1.一种应用于表面有台阶的晶圆的涂胶方法,其特征在于,包括以下步骤:
在晶圆表面进行增粘处理;
对增粘处理后的晶圆进行涂胶,以在所述晶圆的表面形成光刻胶层;
对所述光刻胶层进行第一次烘烤;
对第一次烘烤后的光刻胶层进行第二次烘烤,其中,所述第二次烘烤的温度小于所述第一次烘烤的温度。
2.根据权利要求1所述的应用于表面有台阶的晶圆的涂胶方法,其特征在于,所述涂胶的步骤包括:
旋转晶圆,采用喷涂旋转式对晶圆进行涂布;
对涂布后的晶圆进行静置;
旋转晶圆进行匀胶。
3.根据权利要求2所述的应用于表面有台阶的晶圆的涂胶方法,其特征在于,所述匀胶的步骤包括:
首先调整晶圆转速为第一转速,进行第一步匀胶;
然后调整晶圆转速至第二转速,进行第二步匀胶;
最后调整晶圆转速至第三转速,进行第三步匀胶。
4.根据权利要求3所述的应...
【专利技术属性】
技术研发人员:贺晓彬,唐波,李俊峰,杨涛,刘金彪,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,
类型:发明
国别省市:北京;11
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