掩膜版及其制造方法技术

本发明专利技术实施例涉及一种掩膜版及其制造方法，掩膜版包括：基板；图形层，所述图形层位于所述基板上，且所述图形层包括图形区以及环绕所述图形区的外围区；透光盖板，所述透光盖板设置于所述外围区上，所述透光盖板、所述基板与所述外围区围成掩膜腔室，所述图形区位于所述掩膜腔室内。本发明专利技术能够显著改善掩膜版质量，提高掩膜版的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
掩膜版及其制造方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种掩膜版及其制造方法。
技术介绍
图形化技术是集成电路制造领域常用的技术之一。图形化技术中重要的一个环节包括，采用包含电路设计信息的掩膜版(mask)进行光刻技术，将电路设计信息转移到晶圆(wafer)上，其中的掩膜版也称为光刻胶版、光刻掩膜版或者光罩。掩膜版包括对曝光光线具有透光性的基板以及位于基板上的图形层，所述图形层包括对曝光光线具有遮光性的至少一个几何图形，可进行有选择地遮挡照射到晶圆表面的光刻胶(PR)上的光线，最终在晶圆表面的光刻胶上形成相应的图案。掩膜版的质量会直接影响所形成的光刻胶图案的质量。然而，现有技术提供的掩膜版的质量较差。
技术实现思路
本专利技术实施例解决的技术问题为提供一种掩膜版及其制造方法，改善掩膜版的质量。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种掩膜版，包括：基板；图形层，所述图形层位于所述基板上，且所述图形层包括图形区以及环绕所述图形区的外围区；透光盖板，所述透光盖板设置在所述外围区上，所述透光盖板、所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩膜版，其特征在于，包括：/n基板；/n图形层，所述图形层位于所述基板上，且所述图形层包括图形区以及环绕所述图形区的外围区；/n透光盖板，所述透光盖板设置在所述外围区上，所述透光盖板、所述基板与所述外围区围成掩膜腔室，所述图形区位于所述掩膜腔室内。/n

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版，其特征在于，包括：
基板；
图形层，所述图形层位于所述基板上，且所述图形层包括图形区以及环绕所述图形区的外围区；
透光盖板，所述透光盖板设置在所述外围区上，所述透光盖板、所述基板与所述外围区围成掩膜腔室，所述图形区位于所述掩膜腔室内。


2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述透光盖板与所述基板材质相同。


3.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述透光盖板的厚度为1.1mm～1.6mm。


4.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，还包括：粘附层，所述粘附层位于所述透光盖板与所述外围区之间。


5.如权利要求4所述的掩膜版，其特征在于，所述粘附层的厚度为0.2mm～0.55mm。


6.如权利要求4所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜腔室为密封腔室。


7.如权利要求6所述的掩膜版，其特征在于，在平行于所述图形层...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34