【技术实现步骤摘要】
一种用于带凸起部晶圆曝光的掩膜板和方法
本专利技术涉及集成电路
,具体地涉及光刻领域,更具体地涉及一种用于带凸起部晶圆曝光的掩膜板和方法。
技术介绍
现有技术中晶圆背面的研磨工艺,主要有Taiko工艺和传统的非Taiko(non-Taiko)研磨工艺。采用Taiko工艺对晶圆进行研磨时,将保留晶圆的外围边缘部分,只对晶圆内进行研磨薄型化。该工艺能够降低薄型晶圆的搬运风险,并且能够减少传统研磨工艺造成的晶圆翘曲现象,提高晶圆的强度。然而,由于Taiko工艺处理后的晶圆(简称Taiko晶圆)背面边缘保留,因此会有高出曝光面285-335μm高的圆环状凸起部(Taikoring),现有的步进式光刻机无法直接对这种带有凸起部的晶圆进行对准,若进行开发和改造价格昂贵,并且也存在透镜撞击到圆环状凸起上的风险,而掩膜对准器(MaskAligner)虽然能够通过红外光实现对Taiko晶圆的背面对准,但圆环状凸起部的存在导致掩膜板不能接近Taiko晶圆背面的对准标记,所以仍然会导致分辨率达不到工艺要求。另外现有的 ...
【技术保护点】
1.一种用于带凸起部晶圆曝光的掩膜板,所述晶圆朝向所述掩膜板的一侧设置有至少一个凸起部,所述掩膜板上设置有图形层和对准标记,其特征在于,所述掩膜板上朝向所述晶圆的一面上还开设有能够接纳所述凸起部插入的至少一个缺口。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于带凸起部晶圆曝光的掩膜板,所述晶圆朝向所述掩膜板的一侧设置有至少一个凸起部,所述掩膜板上设置有图形层和对准标记,其特征在于,所述掩膜板上朝向所述晶圆的一面上还开设有能够接纳所述凸起部插入的至少一个缺口。
2.根据权利要求1所述的用于带凸起部晶圆曝光的掩膜板,其特征在于,所述缺口的深度大于或等于所述凸起部的高度。
3.根据权利要求1所述的用于带凸起部晶圆曝光的掩膜板,其特征在于,所述凸起部为设置在所述晶圆背面边缘的圆环状凸起。
4.根据权利要求3所述的用于带凸起部晶圆曝光的掩膜板,其特征在于,所述圆环状凸起的径向截面为矩形。
5.根据权利要求4所述的用于带凸起部晶圆曝光的掩膜板,其特征在于,所述缺口的内侧壁为圆柱形,所述缺口的外侧向背离中心侧开放。
6.根据权利要求5所述的用于带凸起部晶圆曝光的掩膜板,其特征在于,所述圆环状凸起的内侧壁半径R1减去所述缺口的内侧壁半径R1’的差值不小于所述掩膜板与所述晶圆对准时水平方向上所需的调整间隙。
7.根据权利要求4所述的用于...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭素华,
申请(专利权)人:芯恩青岛集成电路有限公司,
类型:发明
国别省市:山东;37
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