FPGA及配置PROM抗总剂量测试方法及专用电路板技术

ＦＰＧＡ及配置ＰＲＯＭ抗总剂量测试方法及专用电路板，涉及集成电路技术，本发明专利技术的专用电路板包括电源接口及开关、稳压电路、配置ＰＲＯＭ夹具、ＦＰＧＡ夹具、显示器件和晶振，电源接口通过稳压电路为整个电路板供电，显示器件连接在ＦＰＧＡ夹具上，晶振与ＦＰＧＡ夹具连接，配置ＰＲＯＭ夹具与稳压电路和ＦＰＧＡ夹具连接。本发明专利技术尽最大可能的屏蔽了外部干扰因素，测试效结果可靠性高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路技术，特别涉及FPGA测试技术。
技术介绍
半导体器件在航天应用中，会受到地球辐射带的质子和电子以及太阳宇宙线的质子的辐照，从而引起半导体器件的总剂量效应。为了评估半导体器件经受这种辐射的能力，预估半导体器件在这种辐射环境下能正常工作的寿命，需要进行地面模拟试验。大量的理论和实验研究表明，在地面模拟实验中可采用钴60(Co-60)γ源的辐照来模拟空间环境。在这种地面模拟实验中，不同的被测器件有不同的测试参数和不同的测试方法。超大规模集成电路(VLSI)的总剂量效应的测试方法目前还处于探索阶段。而现场可编程门阵列(FPGA)作为一种超大规模集成电路(VLSI)，如何快速、简单、安全的得到具有很大参考意义的抗总剂量实验结果也还处于摸索阶段。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种FPGA及配置PROM抗总剂量测试方法，能够准确测试辐射对FPGA及配置PROM工作影响。本专利技术所要解决的另一个技术问题是，提供一种FPGA及配置PROM抗总剂量测试专用电路板。本专利技术解决所述技术问题采用的技术方案是，FPGA及配置PROM抗总剂量测试方法，其特征在于，本文档来自技高网...

【技术保护点】
ＦＰＧＡ及配置ＰＲＯＭ抗总剂量测试方法，其特征在于，包括下述步骤：　（１）将待测ＦＰＧＡ和配置ＰＲＯＭ安装在测试电路板上，对其进行参数测试并记录；　（２）测试装有Ｃｏ－６０的铅罐的窗口处的剂量率；　（３）将步骤（１）中的测 试电路板固定在屏蔽Ｃｏ６０的铅罐窗口处；　（４）将电源由实验室外部引入，连接到电路板上，并在实验室外电源处串接安培表，然后对测试电路板进行调试；所述测试电路板带有显示模块；　（５）将钴源从井里用机械臂升起来，对被测器件进行辐照。 　（６）根据屏蔽室外对屏蔽室内剂量率的检测，在剂量率最大时，开始计时；　（７）在室外观察电...

【技术特征摘要】
1、FPGA及配置PROM抗总剂量测试方法，其特征在于，包括下述步骤：(1)将待测FPGA和配置PROM安装在测试电路板上，对其进行参数测试并记录；(2)测试装有Co-60的铅罐的窗口处的剂量率；(3)将步骤(1)中的测试电路板固定在屏蔽Co60的铅罐窗口处；(4)将电源由实验室外部引入，连接到电路板上，并在实验室外电源处串接安培表，然后对测试电路板进行调试；所述测试电路板带有显示模块；(5)将钴源从井里用机械臂升起来，对被测器件进行辐照。(6)根据屏蔽室外对屏蔽室内剂量率的检测，在剂量率最大时，开始计时；(7)在室外观察电流表的变化，记录时间点和该点的电流值，通过设置在实验室内的摄像头，用监视器观察电路板的显示数据并记录；(8)测试到预设的总剂量时，将钴源用机械臂降到水井里；(9)将电路板断电，取下待测器件，再测试各项参数。2、如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄国辉，李威，王蚕英，杨志明，曾波，
申请(专利权)人：成都华微电子系统有限公司，
类型：发明
国别省市：90[中国|成都]