【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体模块
本专利技术涉及一种半导体模块。
技术介绍
使用在多个半导体元件的焊盘处键合导线而对多个半导体元件进行并行驱动的半导体模块(例如，参照专利文献1)。专利文献1：国际公开第2014/046058号
技术实现思路
就通过环氧类树脂等进行封装的半导体模块而言，由于树脂流入而使导线漂动。因此，为了确保制造性和可靠性，难以使导线细化。但是，如果导线直径粗，则需要使被进行导线的键合的半导体元件的焊盘也变大，存在半导体元件的有效面积减少的问题。本专利技术就是为了解决上述课题而提出的，其目的在于，得到一种半导体模块，其能够确保制造性和可靠性并且增加半导体元件的有效面积。本专利技术所涉及的半导体模块的特征在于，具有：基座板；半导体元件，其配置于所述基座板之上，具有焊盘；外部电极；配线用元件，其配置于所述基座板之上，具有第1中继焊盘、第2中继焊盘和配线，该第2中继焊盘配置得比所述第1中继焊盘更靠近所述焊盘，该配线对所述第1中继焊盘以及所述第2中继焊盘进行连接；第1导线，其对所述外部电极与所述...
【技术保护点】
1.一种半导体模块，其特征在于，具有：/n基座板；/n半导体元件，其配置于所述基座板之上，具有焊盘；/n外部电极；/n配线用元件，其配置于所述基座板之上，具有第1中继焊盘、第2中继焊盘和配线，该第2中继焊盘配置得比所述第1中继焊盘更靠近所述焊盘，该配线对所述第1中继焊盘以及所述第2中继焊盘进行连接；/n第1导线，其对所述外部电极与所述第1中继焊盘进行连接；/n第2导线，其对所述焊盘与所述第2中继焊盘进行连接；以及/n树脂，其对所述半导体元件、所述配线用元件以及所述第1导线、所述第2导线进行封装，/n所述第2导线比所述第1导线细，/n所述焊盘小于所述第1中继焊盘。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体模块，其特征在于，具有：
基座板；
半导体元件，其配置于所述基座板之上，具有焊盘；
外部电极；
配线用元件，其配置于所述基座板之上，具有第1中继焊盘、第2中继焊盘和配线，该第2中继焊盘配置得比所述第1中继焊盘更靠近所述焊盘，该配线对所述第1中继焊盘以及所述第2中继焊盘进行连接；
第1导线，其对所述外部电极与所述第1中继焊盘进行连接；
第2导线，其对所述焊盘与所述第2中继焊盘进行连接；以及
树脂，其对所述半导体元件、所述配线用元件以及所述第1导线、所述第2导线进行封装，
所述第2导线比所述第1导线细，
所述焊盘小于所述第1中继焊盘。
2.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，
还具有强电部，该强电部形成于所述基座板之上，与所述半导体元件的下表面的功率端子连接，
所述配线用元件还具有形成于所述强电部之上的基板和形成于所述基板之上的绝缘层，
在所述绝缘层之上形成有所述第1中继焊盘及所述第2中继焊盘、所述配线。
3.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，
所述基座板是导体板。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体模块，其特征在于，
所述配线具有：
第1配线，其配置成环状；以及
第2配线，其配置于所述第1配线的内侧。
5.根据权利要求4所述的半导体模块，其特征在于，
环状的所述第1配线的一部分断开。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体模块，其特征在于，
所述半导体元件具有多个晶体管，
所述第2中继焊盘具有分别与所述多个晶体管的栅极连接的多个焊盘，
在所述多个焊盘与所述配线之间分别连接有多个栅极电阻，
对应的所述半导体元件的阈值电压越高，所述栅极电阻的电阻值越低。
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