【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有偏移3D结构的多芯片封装
技术介绍
常规类型的多芯片模块包括并排安装在中介层上的处理器芯片和四个存储器芯片(所谓的“2.5D”)，所述中介层继而安装在球栅阵列(BGA)封装衬底上。存储器芯片围绕处理器芯片的外围布置。处理器芯片和存储器芯片安装在中介层上，并通过相应多个焊料接头与其互连。中介层和封装衬底设置有多个电通路，以针对芯片间功率、接地和信号传播以及来自中介层本身的输入/输出两者为导体芯片提供输入/输出通路。半导体芯片包括相应的底部填充材料层，以减轻由于芯片、中介层和焊料接头的热膨胀系数不同而引起的热膨胀差异的影响。中介层被制造成具有众多穿硅通孔(TSV)，以在已安装芯片与上面安装有中介层的封装衬底之间提供通路。TSV和迹线是使用大量处理步骤制作的。虽然常规BGA插槽具有许多形状和尺寸，但通常存在各种工业标准尺寸和引脚分配。一旦确定下来，这些标准尺寸就随着时间推移而使用，有时用于许多不同装置(诸如计算机、手持式装置和其他电子装置)中。常规BGA插槽的一个实例是NvidiaSMX2。另一种常规多芯片模块技术是2D晶圆级扇出(或2DW...
【技术保护点】
1.一种半导体芯片装置，其包括：/n重构半导体芯片封装(115)，所述重构半导体芯片封装(115)包括：具有第一侧和相反的第二侧的中介层(125)与位于所述第一侧上的金属化堆叠(145)；第一半导体芯片(25)，所述第一半导体芯片(25)位于所述金属化堆叠上并且至少部分地由所述金属化堆叠上的电介质层(165)包封；以及多个半导体或芯片(40、45)，所述多个半导体或芯片(40、45)定位在第一半导体芯片之上并且与所述第一半导体芯片至少部分地侧向重叠。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180424 US 15/961,1231.一种半导体芯片装置，其包括：
重构半导体芯片封装(115)，所述重构半导体芯片封装(115)包括：具有第一侧和相反的第二侧的中介层(125)与位于所述第一侧上的金属化堆叠(145)；第一半导体芯片(25)，所述第一半导体芯片(25)位于所述金属化堆叠上并且至少部分地由所述金属化堆叠上的电介质层(165)包封；以及多个半导体或芯片(40、45)，所述多个半导体或芯片(40、45)定位在第一半导体芯片之上并且与所述第一半导体芯片至少部分地侧向重叠。
2.如权利要求1所述的半导体芯片装置，其包括电路板(120)，所述重构半导体芯片封装安装在所述电路板上。
3.如权利要求2所述的半导体芯片装置，其中所述电路板包括半导体芯片封装衬底。
4.如权利要求1所述的半导体芯片装置，其包括至少部分地包封所述多个半导体芯片的模制层(188)。
5.如权利要求1所述的半导体芯片装置，其包括定位在所述模制层中的至少一个虚设部件(110)。
6.如权利要求1所述的半导体芯片装置，其中所述电介质层包括开口(260)，所述开口(260)适于使散热器(265)的一部分定位在其中以与所述第一半导体芯片热接触。
7.如权利要求1所述的半导体芯片装置，其包括将所述第一半导体芯片电连接到所述金属化堆叠的多个无凸点互连件(202)以及将所述第一半导体芯片物理地连接到所述金属化堆叠的绝缘结合层(215)。
8.如权利要求1所述的半导体芯片装置，其中所述中介层包括多个穿衬底通孔(140)，并且所述电介质层包括多个穿电介质通孔(170)。
9.一种半导体芯片封装，其包括：
半导体芯片封装衬底(120)，所述半导体芯片封装衬底(120)适于安装在电路板插槽(15)中；以及
重构半导体芯片封装(115)，所述重构半导体芯片封装(115)安装在半导体芯片封装衬底上，并且包括：具有第一侧和相反的第二侧的中介层(125)与位于所述第一侧上的金属化堆叠(145)；第一半导体芯片(25)，所述第一半导体芯片(25)位于所述金属化堆叠上并且至少部分地由所述金属化堆叠上的电介质层(165)包封；以及多个半导体芯片(40、45)，所述多个...
【专利技术属性】
技术研发人员：米林德·S·巴格瓦特，拉胡尔·阿加瓦尔，加布里埃尔·H·罗，
申请(专利权)人：超威半导体公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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