场效应管V*及V*测试仪制造技术

一种场效应管Ｖ↓［Ｐ］及Ｖ↓［Ｔ］测试仪，其壳体面板上装有接线柱、测试插座、量程选择开关、壳体内装有变压器、桥式整流器件、滤波稳压器件，其特征是滤波稳压器件的输出端通过选择开关与自动调压测试电路板连接，该板上装有量程造选择电路器件、测量方式显示器件和测试电路器件，后三者的输出端均接在测试插座上。本实用新型专利技术采用了自动调节电路，测量时不必用手工调节，使用非常方便，效率高。（*该技术在2007年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种测量电量的装置，更具体地说涉及一种测量半导体器件场效应管VP和VT电压的测试仪。场效应管包括结型场效应管和MOS型场效应管，应用非常广泛。VP和VT是场效应管的重要直流参数。VP指耗尽型场效应的夹断电压，在规定的漏源电压下使用漏源电流等于规定的微小值时的栅源电压即为夹断电压。VT指增强型场效应管的开启电压，即在规定的漏源电压VDS下使漏源电流达到规定的数值时的栅源电压。目前通常使用晶体管特性图示仪或专用测试仪来测量VP和VT。使用晶体管特性图示仪测量的精度较低。有条件的专业厂家一般使用专用测试仪，目前国内的专用测试仪在使用时VDS通常是固定的或有限的几档，不需经常调整，但是栅源偏置电压VGS则必须每测一只管子都手工仔细的调节以使IDS等于规定的值。该规定的值通常很小，一般为1～10μA而场效应管的IDS随VGS的变化通常很灵敏，尤其在IDS较小的时候，操作起来更不易控制。由于经常调节，电位器也容易磨损，更加不易控制，因而使用不方便，效率低。本技术的目的是提供一种使用方便的场效应管VP及VT测试仪，以弥补现有测试仪的上述不足。本技术有一壳体，壳体面板上装有接线柱、测试插座、量程选择开关、壳体内装有变压器、桥式整流器件、滤波稳压器件，其特征是滤波稳压器件的输出端通过选择开关与自动调压测试电路板连接，该板上装有量程选择器件、测量方式显示器件和测试电路器件，后三者的输出端均接在测试插座上。本技术采用了自动调节电路，测量时可以自动调节加在场效应管栅源之间的电压VGS使IDS等于规定的数值，不必用手工调节，使用非常方便，效率高。下面通过实施例和附图进一步说明本技术。附附图说明图1为本技术壳体面板结构示意图。附图2为本技术壳体内结构示意图。附图3为本技术的电路图。本技术有一壳体，壳体面板上装有接线柱(2)、(3)、(4)、(5)、测试插座(15)、量程选择开关(14)、(16)、(17)、(18)，在壳体侧面装有开关(19)，在壳体内装有变压器(21)、桥式整流器件、滤波稳压器件，其特征是滤波稳压器件的输出端通过选择开关K2与自动调压测试电路板(22)连接，该板(22)上装有量程选择电路器件、测量方式显示器件和测试电路器件，后三者的输出端分别接在测试插座(15)的D、S、G点上。所述的桥式整流器件和滤波稳压器件也都固定在测试电路板(22)上。壳体面板上还装有+、-电源指示灯(1)和(6)，它们在电路图上分别用L1和L2表示，面板上还装有P、N沟指示灯(8)、(9)，在电路图上它们分别用L4和L3表示，面板上还装有外接指示灯(10)、10mA、1mA、10μA外接指示灯(11)、(12)、(13)、显示屏(7)、10mA、1mA和10μA选择开关(16)、(17)和(18)，在电路图上后三者分别用S8、S9和S10表示。壳体上还装有电源插座(20)装在面板内面上的数字电压表头(23)可把测得的电压通过显示屏(7)显示出来。本测试仪电路如附图3所示，测试仪使用220伏交流电源。电源开关K1闭合后，220伏交流电路经与K1连接的变压器T1变换为15V交流电，T1经过桥式整流电路接到滤波稳压电路上，交流电经整流滤波，再经过三端稳压块7815和7915得到+15V和-15V直流电源。这组直流电源就作为本测试电路的电源，并为自动调压测试电路中的运算放大器TD07供电。滤波稳压电路的输出端通过K2量程选择开关S8、S9、S10，再经过R10、R9和R8连接到测试插座(15)的“O”端，并接到运算放大器TD07的同相输入端上。运算放大器TD07的输出端即自动调节电路的输出端通过电阻R3与测试插座(15)的“G”端相连接，并连接到电压表头的“+”极上。电压表头的负极和测试插座(15)的“S”端共同接到公共地上。接线柱(3)(4)(5)分别通过导线与测试插座(15)的D、G、S端相连接，接线柱(2)通过开关K2直接与稳压电路的输出端相连。+15V电源和-15V电源通过开关K2再经过电阻R6与测量方式显示指示灯相连接。使用本技术时，接通电源后面板上方的两个指示灯发亮，指示仪器内部直流电源工作正常，此时可正常使用。场效应管的夹断电压或开启电压通常是在特定的IDS下测量的(不同厂家规定有所不同)，所以测量场效应管时应根据需要设定值。本仪器IDS值设定有四档10μA；1mA；10mA及“外调”档。当将K2拨向上方而K3、K4拨向下方时，对应的10mA指示灯(11)亮，此时IDS=10mA。当K3拨向上方而K2、K4拨向下方时，对应1mA的指示灯(12)亮，此时IDS=1mA，当将K4拨向上方而K2、K3、K4全部拨向下方时，对应“外调”档指示灯亮，此时需要在外接接线柱上外接电阻来设定IDS值此时IDS=10V/R。一般测量耗尽型场效应管夹断电压时，选10μA。测量增强型场效应管开启电压时，选择1mA档。而外调档可以测量各种IDS下对应的VGS值。测量N沟道场效应管时，将面板上的开关K1拨向右方，此时指示N沟道的指示灯(9)亮。测量P沟道的场效应管时，将面板上的开关K1拨向左方，此时，指示P沟道的指示灯(8)亮。将管子插入测试插座，此时，显示屏(7)上指示的值对于耗尽型场效应管即为夹断电压值VP，而对于增强型场效应管则为开启电压值(VT)。仪器面板上有四个接线柱，其中右边三个分别是D、S、G极接线柱，这三个接线柱主要是为便于接探针台测试芯片而设置，也可用来测量不便于插入测试插座(15)的管子。仪器面板上左边的一个接线柱和“D”极接线柱是接外调IDS电阻的接线柱。权利要求1．一种场效应管VP及VT测试仪，有一壳体，壳体面板上装有接线柱(2)、(3)、(4)、(5)、测试插座(15)、量程选择开关(14)、(16)、(17)、(18)、壳体内装有变压器(21)、桥式整流器件、滤波稳压器件，其特征是滤波稳压器件的输出端通过选择开关与自动调压测试电路板(22)连接，该板上装有量程选择电路器件、测量方式显示器件和测试电路器件，后三者的输出端均接在测试插座(15)上。专利摘要一种场效应管V文档编号G01R31/26GK2311782SQ9723221公开日1999年3月24日 申请日期1997年12月12日 优先权日1997年12月12日专利技术者刘建丽, 许震铀, 刘建华 申请人:刘建丽本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效应管Ｖ↓［Ｐ］及Ｖ↓［Ｔ］测试仪，有一壳体，壳体面板上装有接线柱（２）、（３）、（４）、（５）、测试插座（１５）、量程选择开关（１４）、（１６）、（１７）、（１８）、壳体内装有变压器（２１）、桥式整流器件、滤波稳压器件，其特征是滤波稳压器件的输出端通过选择开关与自动调压测试电路板（２２）连接，该板上装有量程选择电路器件、测量方式显示器件和测试电路器件，后三者的输出端均接在测试插座（１５）上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘建丽，许震铀，刘建华，
申请(专利权)人：刘建丽，
类型：实用新型
国别省市：95[中国|青岛]