一种声表面波滤波器及其形成方法技术

本发明专利技术提供了一种声表面波滤波器及其形成方法。在制备声表面波滤波器时，先将封装盖板键合在压电材料层上，从而可以在封装盖板能够对压电材料层进行稳固支撑的情况下，对压电材料层执行减薄工艺，进而可以在减薄后的压电材料层上直接沉积布拉格反射层中的低声阻抗材料层和高声阻抗材料层。即，本发明专利技术提供的形成方法中，通过将器件的加工工艺和器件的封装工艺相互结合，不仅可以直接制备出封装后的声表面波滤波器，有效简化了器件的制备步骤，并且还有利于降低布拉格反射层的制备难度，进一步实现工艺简化的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种声表面波滤波器及其形成方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种声表面波滤波器及其形成方法。
技术介绍
声表面波滤波器（surfaceacousticwave，SAW）属于固态电子器件，其主要是利用声-电换能器在压电材料层上完成从电信号-声信号-电信号的信号转换和处理。目前，基于声表面波滤波器具有稳定的频率源功能和滤波功能而被广泛应用，而随着技术的不断发展，对声表面波滤波器的要求也越来越高，由此一种高性能声表面波滤波器（IHP-SAW）被提出。具体而言，高性能声表面波滤波器（IHP-SAW），一般通过在压电材料层的下方设置周期性排布的低声阻抗材料和高声阻抗材料，以构成布拉格发射层，从而能有效地将泄漏的能量反射到压电材料表面，从而可以有效提高Q值。其中，针对具有布拉格反射层的声表面波滤波器而言，其制备方法通常包括：首先，执行器件的加工工艺，以基于预先设定的工艺参数制备所述声表面波滤波器，使得所制备出的声表面波滤波器满足预先设定的性能要求；之后，执行器件的封装工艺，以对制备完成的声表面波滤波器进行封装，以确保表面声波滤波器的使用性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种声表面波滤波器的形成方法，其特征在于，包括/n提供封装盖板和具有压电材料层的器件基板，所述封装盖板上形成有第一键合凸环，所述器件基板上定义有所述声表面波滤波器的器件区，并在所述器件基板的压电材料层上形成有第二键合凸环，所述第二键合凸环环绕所述器件区；/n对所述器件基板上的器件区执行第一封装步骤，包括：将所述封装盖板键合至所述器件基板，以利用所述封装盖板封盖所述器件基板中的器件区，其中所述封装盖板的所述第一键合凸环和所述器件基板的所述第二键合凸环相互键合；以及，/n对所述器件基板背离所述封装盖板的一侧执行减薄工艺，减薄所述压电材料层，并在减薄后的压电材料层上依次沉积低声阻材料层和高声阻材...

【技术特征摘要】
1.一种声表面波滤波器的形成方法，其特征在于，包括
提供封装盖板和具有压电材料层的器件基板，所述封装盖板上形成有第一键合凸环，所述器件基板上定义有所述声表面波滤波器的器件区，并在所述器件基板的压电材料层上形成有第二键合凸环，所述第二键合凸环环绕所述器件区；
对所述器件基板上的器件区执行第一封装步骤，包括：将所述封装盖板键合至所述器件基板，以利用所述封装盖板封盖所述器件基板中的器件区，其中所述封装盖板的所述第一键合凸环和所述器件基板的所述第二键合凸环相互键合；以及，
对所述器件基板背离所述封装盖板的一侧执行减薄工艺，减薄所述压电材料层，并在减薄后的压电材料层上依次沉积低声阻材料层和高声阻材料层，以形成布拉格反射层。


2.如权利要求1所述的声表面波滤波器的形成方法，其特征在于，在所述封装盖板上形成所述第一键合凸环的方法包括：
刻蚀所述封装盖板，以形成底部凸环；以及，
在所述底部凸环上形成第一金属环，以构成所述第一键合凸环。


3.如权利要求1所述的声表面波滤波器的形成方法，其特征在于，在执行所述第一封装步骤之后，所述第一键合凸环和所述第二键合凸环相互键合并围绕出一腔室，并将器件区中的叉指结构封闭在所述腔室中。


4.如权利要求3所述的声表面波滤波器的形成方法，其特征在于，所述叉指结构包括叉指本体，所述叉指本体的顶表面不高于所述第二键合凸环的顶表面。


5.如权利要求3所述的声表面波滤波器的形成方法，其特征在于，所述叉指结构包括至少两个叉指电极；
以及，所述第一封装步骤还包括：刻蚀所述封装盖板以形成连接孔，并在所述连接孔中填充导电材料以形成接触插塞，所述接触插塞电性连接所述叉指电极；以及，在所述封装盖板背离所述压电材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：项少华，王冲，杨应田，冯雪丽，
申请(专利权)人：中芯集成电路制造绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33